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功率双基区晶体管（DUBAT）及其压（流）控调频效应 被引量：4
1
作者 郭维廉 郑云光 +1 位作者 侯曾 郑爱林 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第4期310-316,共7页
在重点考虑了提高击穿电压和增大电流容量的基础上，设计并研制出功率型ＤＵＢＡＴ。其主要参数达到：ＢＶ（ＣＥ０）≥１２０Ｖ，Ｉ（ＣＭ）≥２Ａ，ＲＮ≈５０～１１０Ω，Ｐ（ＣＭ）≥１０Ｗ。并在此器件上首次发现了电压（流）控制... 在重点考虑了提高击穿电压和增大电流容量的基础上，设计并研制出功率型ＤＵＢＡＴ。其主要参数达到：ＢＶ（ＣＥ０）≥１２０Ｖ，Ｉ（ＣＭ）≥２Ａ，ＲＮ≈５０～１１０Ω，Ｐ（ＣＭ）≥１０Ｗ。并在此器件上首次发现了电压（流）控制调节脉冲频率效应。 展开更多
关键词 双基区晶体管 负阻器件 电压控制 电流控制 调频
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光电双基区晶体管光控脉冲振荡器的实验研究 被引量：3
2
作者 沙亚男 李树荣 +3 位作者 郭维廉 郑云光 毛陆虹 张培宁 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期11-13,16,共4页
光电双基区晶体管(PDUBAT)是一种能产生‘N’型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现PDUBAT在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率... 光电双基区晶体管(PDUBAT)是一种能产生‘N’型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现PDUBAT在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率增加,振幅减小。最后,对该器件的应用及发展前景进行了讨论。 展开更多
关键词 双基区晶体管 光电负阻器件 光控脉冲振荡器
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一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管 被引量：1
3
作者 郭维廉 齐海涛 +8 位作者 张世林 钟鸣 梁惠来 毛陆虹 宋瑞良 周均铭 王文新 C.Jagadish 傅岚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1783-1788,共6页
利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHBT).经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT具有显著的微分负阻效应,并发现负电流区负阻效应和光照可改变其I... 利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHBT).经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT具有显著的微分负阻效应,并发现负电流区负阻效应和光照可改变其IV特性,器件模拟结果和测试结果基本一致. 展开更多
关键词 异质结双极晶体管 双基区晶体管 三端负阻器件 逻辑功能器件
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三端电压控制型负阻器件（3） 被引量：1
4
作者 郭维廉 《半导体杂志》 1994年第3期30-43,共14页
三端电压控制型负阻器件（３）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第三章双基区晶体管［８］双基区晶体管（Ｄｕａｌ－ＢａｓｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＤＵＢＡＴ。一般情况下它是以一横向ｐｕｐ双极管作为反馈器件，将其... 三端电压控制型负阻器件（３）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第三章双基区晶体管［８］双基区晶体管（Ｄｕａｌ－ＢａｓｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＤＵＢＡＴ。一般情况下它是以一横向ｐｕｐ双极管作为反馈器件，将其集电极与另一纵向ｎｐｎ双极管（作为... 展开更多
关键词 电压控制型 负阻器件 双基区晶体管
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基于双基区晶体管的负阻特性静态随机存储单元电路的设计
5
作者 罗贤亮 董晨民 王永顺 《电脑知识与技术》 2010年第3X期2251-2252,共2页
双基区晶体管是一种硅基三端压控型负阻器件,它的Ic—Vbe曲线具有双稳态特性。利用双基区晶体管的负阻、高速特性构成的静态随机存储电路,结构简单、器件数量少、噪声容限大抗干扰能力强、速度快。将4v时钟信号作为器件的驱动电源,降低... 双基区晶体管是一种硅基三端压控型负阻器件,它的Ic—Vbe曲线具有双稳态特性。利用双基区晶体管的负阻、高速特性构成的静态随机存储电路,结构简单、器件数量少、噪声容限大抗干扰能力强、速度快。将4v时钟信号作为器件的驱动电源,降低了电路功耗。 展开更多
关键词 双基区晶体管 静态随机存储器 负阻器件
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光电双基区晶体管(PDUBAT)物理模型探讨 被引量：4
6
作者 郑云光 张世林 +3 位作者 郭维廉 李树荣 沙亚男 毛陆虹 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1123-1125,共3页
本文通过分析器件内部电流传输探讨了光电双基区晶体管 (PDUBAT)负阻特性产生机理 ,首次提出了PDUBAT负阻形成的原因是其输出管横向输出电流的反馈作用 。
关键词 光电双基区晶体管 间接耦合光电探测器 物理模型
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光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型 被引量：2
7
作者 张生才 郑云光 +5 位作者 郭辉 李树荣 张世林 郭维廉 胡泽军 夏克军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期790-792,共3页
本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后 ,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路 ,描述了光电双基区晶体管 (PDUBAT)
关键词 光电双基区晶体管 反馈电流 瞬态电流
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一种OLED双稳态驱动电路的设计方案
8
作者 黄林根 《实验科学与技术》 2006年第B12期9-11,共3页
以光电双基区晶体管为驱动器,设计了一种有机电致发光显示器(OLED)双稳态驱动电路的方案,通过实验得出了输入光功率和输出光功率的光学双稳态的特性曲线,并对该双稳态电路在OLED驱动的应用上进行了分析。
关键词 光电双基区晶体管 有机电致发光显示器 双稳态驱动电路
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基于双基区晶体管结构的光控振荡器
9
作者 卜春雨 李树荣 +1 位作者 吴静 李丹 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1164-1168,共5页
采用 DUBAT(双基区晶体管 )和光电二极管构成新型无电感光控振荡器 ,并对其等效电路进行了模拟 ,分析了工作原理 .实验数据证明了该光控振荡器频率与光强成正比 ,可实现光的模数转化 .由于 DU BAT结构简单 ,与集成电路工艺兼容 ,成本低... 采用 DUBAT(双基区晶体管 )和光电二极管构成新型无电感光控振荡器 ,并对其等效电路进行了模拟 ,分析了工作原理 .实验数据证明了该光控振荡器频率与光强成正比 ,可实现光的模数转化 .由于 DU BAT结构简单 ,与集成电路工艺兼容 ,成本低廉 。 展开更多
关键词 振荡器 光电双基区晶体管 光控调频 光控振荡 光电转换
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