双工件台光刻机中的焦面控制技术 被引量：5

1

作者 李金龙 胡松 赵立新 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期234-238,共5页

面对可用焦深日益缩短的趋势,高精度的焦面控制技术显得尤为重要。针对双工件台光刻机中采用的焦面控制技术,介绍了基于偏振调制的光栅检焦技术及其测量原理,研究了双工件台光刻机中的调平调焦技术。基于平面拟合、最小二乘法及坐标变... 面对可用焦深日益缩短的趋势,高精度的焦面控制技术显得尤为重要。针对双工件台光刻机中采用的焦面控制技术,介绍了基于偏振调制的光栅检焦技术及其测量原理,研究了双工件台光刻机中的调平调焦技术。基于平面拟合、最小二乘法及坐标变换公式推导了曝光狭缝内离焦量计算公式;研究了一种离焦量解耦算法,该算法将曝光狭缝内离焦量解耦为调平调焦机构三个压电陶瓷的独立控制量,并使狭缝曝光场中心在调平调焦运动过程中不发生平移。经仿真分析表明,该算法可用于调平调焦精度优于10nm的高精度调焦调平系统,能满足线宽小于100nm投影步进扫描光刻机的需要。 展开更多

关键词 光学器件 光刻术 调平调焦 双工件台光刻机

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光刻投影物镜畸变检测技术 被引量：5

2

作者 曹译莎 唐锋 +4 位作者 王向朝 刘洋 冯鹏 卢云君 郭福东 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2022年第9期206-222,共17页

光刻投影物镜的畸变是影响光刻机套刻精度最重要的因素之一,畸变会导致物镜的横向放大率随视场的增大而变化,曝光到硅片上的图形相对于其理想位置发生偏移,从而引起套刻误差。在物镜的装调和使用过程中都需要对畸变进行检测和优化调整,... 光刻投影物镜的畸变是影响光刻机套刻精度最重要的因素之一,畸变会导致物镜的横向放大率随视场的增大而变化,曝光到硅片上的图形相对于其理想位置发生偏移,从而引起套刻误差。在物镜的装调和使用过程中都需要对畸变进行检测和优化调整,而目前高端光刻投影物镜的畸变小于1 nm,对其进行高精度检测是该领域的难点。对三种常用的光刻机畸变检测技术(曝光检测、空间像检测和波前检测)的原理和特点进行了分析,并对其发展方向进行了展望。对于16~19 nm及16 nm以下的光刻节点,多通道检测技术是提高畸变检测精度与速度的重要发展方向。 展开更多

关键词 测量与计量 光刻术 畸变检测 曝光 空间像传感器 相位测量干涉仪

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光刻全息图的蚀刻条件研究 被引量：3

3

作者 郭永康 郭履容 张晓春 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第3期252-255,共4页

本文提出发展蚀刻二元元件的工艺,其中最重要的是选择适当的蚀速比,它是制作具有连续厚度分布的浮雕型光刻全息图的关键,文中给出了反应功率一定时腐蚀气体流量和蚀刻速率的关系曲线,找到了合适的工作点,根据这些结果,制作成功性能优良... 本文提出发展蚀刻二元元件的工艺,其中最重要的是选择适当的蚀速比,它是制作具有连续厚度分布的浮雕型光刻全息图的关键,文中给出了反应功率一定时腐蚀气体流量和蚀刻速率的关系曲线,找到了合适的工作点,根据这些结果,制作成功性能优良的全息光学元件. 展开更多

关键词 光刻术 等离子蚀刻 全息光学元件

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预硬化明胶酶蚀成像特性的研究 被引量：1

4

作者 唐继跃 徐平 +1 位作者 陈波 郭履容 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期216-221,共6页

从预硬化重铬酸盐明胶光致抗酶蚀的成像机理出发，分析和推导了酶蚀成像特性曲线。并从实验上考察了几个主要因素对其线性动态范围的影响。其结果对于明胶酶蚀成像技术的应用。

关键词 重铬盐酸明胶 蛋白酶 浮雕光学元件 光刻术

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用近贴式软X射线光刻术研究DCPA光刻胶的曝光性能 被引量：1

5

作者 郭玉彬 李福田 +3 位作者 唐九华 李加 慎微 杜涌兴 《光子学报》 EI CAS CSCD 1995年第3期249-257,共9页

采用软Ｘ射线近贴式光刻术，对ＤＣＰＡ光刻胶的曝光性能进行了系统研究，得到了一些新的实验结果。

关键词 软X射线 近贴式 光刻胶 光刻术

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硅(100)晶面上硅和二氧化硅的横向与纵向腐蚀速率

6

作者 欧阳贱华 赵新生 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第3期236-240,共5页

定义了硅表面上硅和二氧化硅的横向腐蚀速率 ,系统地测量了硅 (10 0 )晶面上的硅和二氧化硅在 4 0 %(质量分数 )氟化铵水溶液中的横向与纵向腐蚀速率 ,并和硅 (111)晶面上的测量结果进行了对比 .对比结果表明 ,尽管两种晶面上的硅和二... 定义了硅表面上硅和二氧化硅的横向腐蚀速率 ,系统地测量了硅 (10 0 )晶面上的硅和二氧化硅在 4 0 %(质量分数 )氟化铵水溶液中的横向与纵向腐蚀速率 ,并和硅 (111)晶面上的测量结果进行了对比 .对比结果表明 ,尽管两种晶面上的硅和二氧化硅的腐蚀速率有明显的差别 ,其相应的表观活化能在误差范围内相同 .实验中还发现 ,溶液的温度为 38.2℃时 ,硅腐蚀过程中形成的气泡对硅的腐蚀速率有显著的影响 :开始时加速硅的腐蚀 ;但随着气泡在硅 /溶液界面的聚集 ,阻碍硅的腐蚀 . 展开更多

关键词 硅 二氧化硅 腐蚀速率 光刻术

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激光等离子体软X射线接近式光刻术初步研究 被引量：1

7

作者 郭玉彬 李福田 +1 位作者 唐九华 李加 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期313-319,共7页

描述了用高功率脉冲激光打靶产生的等离子体作为软Ｘ射线源而进行的接近式软Ｘ射线光刻研究。采用负性辐射线光刻胶聚氯甲基苯乙烯（ＰＣＭＳ），得到了一些新的实验结果。

关键词 软X射线 激光 等离子体 光刻术

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步进扫描投影光刻机剂量控制参量优化新算法研究 被引量：1

8

作者 刘世元 吴小健 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1192-1197,共6页

提出了一种以生产率、剂量精度与激光器使用成本三者最佳匹配为优化目标的步进扫描投影光刻机剂量控制参量优化新算法及其数学模型,通过将激光器重复频率作为可调参量并引入有效脉冲个数的概念,获得了有效剂量区间内任意给定剂量所应采... 提出了一种以生产率、剂量精度与激光器使用成本三者最佳匹配为优化目标的步进扫描投影光刻机剂量控制参量优化新算法及其数学模型,通过将激光器重复频率作为可调参量并引入有效脉冲个数的概念,获得了有效剂量区间内任意给定剂量所应采取的优化策略并给出了剂量控制参量的具体计算方法。理论推导和模拟计算结果表明,新算法既保持了原算法在生产率和剂量精度优化方面的优势,又改进了原算法在激光器成本优化目标上的缺陷。随着准分子激光器及其剂量控制技术的进一步发展,新算法可望更能显示出其优越性并具有更广阔的应用前景。 展开更多

关键词 深紫外准分子激光 剂量控制 扫描曝光 光刻术 优化算法

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亚硫酸根离子在硅和二氧化硅的湿法腐蚀中的作用(英文) 被引量：1

9

作者 欧阳贱华 吴念祖 赵新生 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第6期612-615,共4页

运用光刻技术和原子力显微技术(AFM)研究了亚硫酸根离子对硅和二氧化硅在40％(w)氟化铵水溶液中腐蚀速率的影响.结果表明硅和二氧化硅的腐蚀速率和亚硫酸根离子浓度有关.高分辨X射线光电子能谱(XPS)分析在有/没有亚硫酸根的溶液中腐蚀... 运用光刻技术和原子力显微技术(AFM)研究了亚硫酸根离子对硅和二氧化硅在40％(w)氟化铵水溶液中腐蚀速率的影响.结果表明硅和二氧化硅的腐蚀速率和亚硫酸根离子浓度有关.高分辨X射线光电子能谱(XPS)分析在有/没有亚硫酸根的溶液中腐蚀后的硅和二氧化硅表面氟元素的结果表明在这两种溶液中腐蚀得到的表面化学成分是有差别的.实验结果证明亚硫酸根离子在硅和二氧化硅的湿腐蚀中不只是表现为一种除氧剂,还干预了表面腐蚀反应过程. 展开更多

关键词 硅 二氧化硅 腐蚀速率 氟化铵 亚硫酸铵 光刻术

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电子工艺

10

《电子科技文摘》 2000年第1期40-41,共2页

Y99-61590-25 0000430光刻术的要求与挑战:超出193nm 的光刻=Require-ments and challenges for lithography:beyond 193nm op-tics[会,英]/Canning,J.//1998 IEEE InternationalConference on Microelectronic Test Structures.—25～2... Y99-61590-25 0000430光刻术的要求与挑战:超出193nm 的光刻=Require-ments and challenges for lithography:beyond 193nm op-tics[会,英]/Canning,J.//1998 IEEE InternationalConference on Microelectronic Test Structures.—25～28(AZ)半导体工业的成长是由显微光刻的稳定发展推动的。光刻正在达到其接近130nm 的成本-效益极限。下一代光刻(NGL)会在2003年产生,但实现的道路还不明朗。本文评述了修订的半导体工业协会(SIA)的路图及其对半导体工业在更小的特征尺寸、更大的芯片尺寸和新技术方面的影响。 展开更多

关键词 半导体工业 稳定发展 微光刻 无线通信 光刻术 稀土永磁合金 集成电路工艺 特征尺寸 芯片尺寸 纳米晶

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软X—射线投影光刻术：实验和实用的光刻机

11

作者 吴桂英 《光机情报》 1992年第4期16-26,共11页

关键词 软X射线 投影 光刻术 相机 光刻机

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用准分子激光进行的高分辨光刻术

12

作者 张兵 《激光杂志》 CAS 1988年第4期254-255,共2页

朝微电子学中高密度电路方向所作的努力，增长了人们对要求以高生产率生产精细分辨图型的各种各样高分辨光刻技术的兴趣。短波能改善分辨率，但需要进一步发展深紫外材料和工艺。

关键词 高分辨 准分子激光 光刻术 高生产率 微电子学 光刻技术 高密度 分辨率 深紫外

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微观世界的建造艺术

13

作者 George M.Whitesides +1 位作者 邱汉生 等 《科学（中文版）》 2001年第12期35-43,共9页

关键词 纳米结构 用途 制造方法 光刻术 纳米芯片 浸笔印刷术

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软X射线接触式光刻术的初步实验

14

作者 郭玉彬 李福田 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1993年第4期1-5,共5页

关键词 软X射线 激光等离子体 光刻术

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制作连续沟形微光学元件的新方法

15

作者 唐继跃 陈波 +1 位作者 徐平 郭履容 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期237-242,共6页

提出一种制作连续沟形微光学元件的新方法。用移动物面上二元图案的方法来获得连续灰度的记录，再用卤化银明胶处理技术，把灰度银像转化成明胶硬度潜像，最后采用酶蚀显影工艺把潜像显现为连续沟形的浮雕结构。文中给出了原理分析和实... 提出一种制作连续沟形微光学元件的新方法。用移动物面上二元图案的方法来获得连续灰度的记录，再用卤化银明胶处理技术，把灰度银像转化成明胶硬度潜像，最后采用酶蚀显影工艺把潜像显现为连续沟形的浮雕结构。文中给出了原理分析和实验验证。 展开更多

关键词 微光学元件 光刻术 卤化银明胶 光学元件

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激光等离子体亚微米光刻术的初步研究

16

作者 郭玉彬 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第9期796-800,共5页

描述了用高功率脉冲激光打靶产生的等离子体作为软Ｘ射线源而进行的接近式软Ｘ射线光刻研究。采用正性光刻胶ＰＭＭＡ．得到了一些新的研究结果．

关键词 软X射线 激光等离子体 光刻术

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下一代光刻术国际讨论会简介

17

《激光与光电子学进展》 CSCD 1999年第1期16-17,共2页

出席１９９８年３月９～１０日在日本京都举行的第一届国际半导体技术讨论会的人员得出结论，光刻的未来前景是光明的，至少近几年如此。这次讨论会的目的是讨论２０００～２０１０年间全世界半导体产业的需求，特别是对光刻和干刻的要... 出席１９９８年３月９～１０日在日本京都举行的第一届国际半导体技术讨论会的人员得出结论，光刻的未来前景是光明的，至少近几年如此。这次讨论会的目的是讨论２０００～２０１０年间全世界半导体产业的需求，特别是对光刻和干刻的要求。讨论会由日本日电公司（ＮＥＣ）... 展开更多

关键词 光刻术 国际讨论会 半导体制造工艺

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原子全息术的应用

18

作者 许雪艳 陈海波 《巢湖学院学报》 2006年第6期52-55,共4页

与光学全息术相比,原子全息术是一种新型的显微成像技术,成像分辨力也由于用原子束代替了光束而获得极大提高。本文综述了原子全息领域的研究进展,并系统地叙述了原子全息术在现代科学领域的具体应用。

关键词 原子全患术 原子光刻术 纳米材料制备 原子芯片 表面科学

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微结构成型的革命化技术——全息微光刻术

19

作者 大舟 《光机电信息》 1996年第8期18-20,共3页

不久前,针对传统的光学微光刻术,出现一种效率更高的技术,这就是利用全息图而不是一般用透镜,将掩模的结构复制在芯片上.按此方法,可利用常规的紫外激光,在大的照明范围内达到0.25μm的分辨率.随着电子存储元件不断地小型化,而基底面积... 不久前,针对传统的光学微光刻术,出现一种效率更高的技术,这就是利用全息图而不是一般用透镜,将掩模的结构复制在芯片上.按此方法,可利用常规的紫外激光,在大的照明范围内达到0.25μm的分辨率.随着电子存储元件不断地小型化,而基底面积越来越增大,传统的光刻方法,碰到了它们工艺上的极限.透镜不断增大的同时,像差也增大,这就引起了图像的畸变,到目前为止还不能够大于25×25mm^2的视场,在高分辨率应用情况进行一次性照明.有一种不用透镜也行的光刻方法,它与传统方法相比,有很多优点,也许能够使光学光刻的结束期延长.这种无透镜方法是以全息术为基础的. 展开更多

关键词 集成电路 微结构成型 全息微光刻术

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用电子束光刻术制造矩形孔菲涅尔微透镜阵列

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作者 Teruhiro Shiono Kentaro Sotsune +2 位作者 Osamu YamaZaki Kiyotaka Wasa 陆锡南 《应用光学》 CAS CSCD 1991年第4期54-58,共5页

本文提出一种矩形孔菲涅尔微透镜阵列。这些微透镜阵列的制作采用了专为制造微光学元件而研制的电子束写入系统。实验表明,这种透镜阵列具有聚焦均匀的特性,以及每一透镜具有衍射限聚焦特性,其效率为74％。

关键词 电子束光刻术 菲涅尔 微透镜 列阵

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