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环境扫描电镜在法庭科学中的应用 被引量:6
1
作者 权养科 陶克明 李明东 《刑事技术》 北大核心 2000年第6期30-31,共2页
介绍了环境扫描电镜中二次电子成像的原理及在非导电样品、含水含油样品、植物及生物样品中的应用.
关键词 环境扫描电镜 二次电子 物证检验 刑事技术 应用
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氧环境扫描电镜对氧化物的荷电补偿 被引量:1
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作者 史佳新 吉元 +3 位作者 徐学东 肖卫强 张隐奇 郭汉生 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期247-250,共4页
在(5×10^(-3))~(2×10^(-2))Pa的氧环境扫描电镜(SEM)中观察到由入射电子束辐照引起的Al_2O_3、SiO_2等氧化物荷电现象得以减轻。氧化物受激氧解吸,使样品表面的氧空位成为荷电势阱而产生荷电。通过氧气氛中提供的氧离子对表... 在(5×10^(-3))~(2×10^(-2))Pa的氧环境扫描电镜(SEM)中观察到由入射电子束辐照引起的Al_2O_3、SiO_2等氧化物荷电现象得以减轻。氧化物受激氧解吸,使样品表面的氧空位成为荷电势阱而产生荷电。通过氧气氛中提供的氧离子对表面缺陷的修复作用,使氧化物的荷电现象得到补偿。氧环境扫描电子显微分析方法是针对氧化物类绝缘材料荷电的一种简便的、自动调节的荷电补偿方法。Al_2O_3的俄歇电子能谱证明,在6×10^(-6)Pa的氧压下可以完全消除Al_2O_3的表面荷电。 展开更多
关键词 氧环境 扫描电镜 氧化物 荷电补偿 二次电子 绝缘材料
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弱信号检测技术在电声扫描显微镜研制中的应用
3
作者 殷庆瑞 惠森兴 +2 位作者 江福民 张慧静 王通 《数据采集与处理》 CSCD 1992年第S1期80-83,共4页
电声扫描显微镜是近年发展起来的一种新型检测成像工具。由于它的成像原理基于微观热学与弹性变化,因而它具有常规扫描显微镜无法比拟的优点:试样的非破坏性亚表面剖面成像。电声扫描显微镜也是高新技术结合的产物,它的产生也得力于弱... 电声扫描显微镜是近年发展起来的一种新型检测成像工具。由于它的成像原理基于微观热学与弹性变化,因而它具有常规扫描显微镜无法比拟的优点:试样的非破坏性亚表面剖面成像。电声扫描显微镜也是高新技术结合的产物,它的产生也得力于弱信号检测技术的发展。本文简要介绍了电声扫描电镜的工作原理、结构及其应用,侧重介绍了弱信号检测技术在该仪器研制中的应用。 展开更多
关键词 扫描显微镜 弱信号检测 亚表面 锁相放大器 工作原理 压电陶瓷传感器 声信号检测 频率稳定 二次电子 调制系统
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GaP LPE半导体材料的扫描电子显微镜研究
4
作者 李永良 杨锡震 +1 位作者 李桂英 王亚非 《现代仪器使用与维修》 1998年第3期18-20,共3页
本文论述了用扫描电子显微镜研究GaP LPE半导体材料,二次电子像用于分析样品的表面形貌,电子束感生电流像(EBIC)用于显示p-n结的位置,定量EBIC用以确定少子扩散长度和表面复合速度等重要参量。
关键词 二次电子 电子束感生电流 磷化镓 SEM 半导体
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用扫描电镜鉴定纺织纤维的破损原因
5
作者 朱昱 赵彦军 +1 位作者 马子宁 宋洪波 《广东公安科技》 1996年第4期25-28,共4页
关键词 纺织纤维 扫描电镜 破损模型 形成机理 破损原因 热破损 二次电子 成纤维 断端 切割方向
原文传递
半导体二次电子像中的掺杂衬度
6
作者 陈文雄 徐军 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期406-410,共5页
本文详细评述和介绍了近几年来国际上关于扫描电镜二次电子像中的掺杂衬度方面的实验和理论研究成果 ,总结了实验中发现的各种现象 ,并用电离能的观点对所有这些现象作出了理论上的解释 。
关键词 半导体 二次电子 掺杂衬度 功函数 电离能 扫描电子显微镜 表面形貌
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二次电子像质量
7
作者 郭莉萍 吴东晓 张大同 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期653-654,共2页
关键词 扫描电镜 分辨率 显微结构 自然衬度 信噪比 电子束直径 聚焦电子 取样区 二次电子
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2014年中实国金第二批能力验证计划
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《冶金分析》 CAS CSCD 北大核心 2014年第10期83-84,共2页
关键词 能力验证计划 金第 形貌观察 西布曲明 氨氮含量 呋喃他酮 重铬酸盐 二次电子 沾色 晶粒度
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应用扫描电镜的低加速电压观察AC纸复型的线条痕迹
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《刑事技术》 1985年第4期4-5,共2页
前言公安部第二研究所电镜室于1985年1月提出了扫描电镜在低加速电压下获得高质量图像的方法,为了扩大在刑事技术上的应用。
关键词 AC 加速电压 复型 扫描电镜 镜室 刑事技术 双面胶纸 刑事科学技术 离子溅射仪 二次电子
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电子轰击所引起的二次电子像的变化
10
作者 范垂祯 陈丹 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第3期141-144,149,共5页
本工作主要研究在超高真空环境中,3keV能量电子束轰击Al、Mo、Cu三金属表面所导致的二次电子像上的变化。通过观察不同金属表面或同一金属但预处理方法不同的表面在电子轰击下,其二次电子像中所发生的变化,对电子诱导表面低能二次电子... 本工作主要研究在超高真空环境中,3keV能量电子束轰击Al、Mo、Cu三金属表面所导致的二次电子像上的变化。通过观察不同金属表面或同一金属但预处理方法不同的表面在电子轰击下,其二次电子像中所发生的变化,对电子诱导表面低能二次电子产额变化的机理进行了讨论。 展开更多
关键词 二次电子 电子轰击 电子诱导脱附 电子束流 产额 功函数 非弹性散射 电负性气体 真空度 化合物形成
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反差倒转换图像的分析及其应用
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作者 郭全英 李启东 周风秋 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 2001年第S1期12-14,共3页
反差倒转换图象是扫描电子显微镜能观察到的一种图象.这种图象具有特殊的性质,即它和正常二次电子象的图象相反、互补,利用这种对应关系可以制作幻灯片.详细介绍了反差倒转换图像成像原理,分析了它的特性以及利用它具体制作幻灯片的过程.
关键词 反差倒转换图 二次电子 幻灯片
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电子光学
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《中国光学》 EI CAS 1998年第4期95-96,共2页
TN16 98042768高分辨二次电子像中的成分衬度=Composition con-trast in high resolution secondary electron im-age[刊,中]/徐军,陈文雄,张会珍(北京大学电子显微镜实验室.北京(100871))∥电子显微学报.—1997,16(1).
关键词 电子显微学报 高分辨电子显微象 环境扫描电镜 电子显微镜 二次电子 中科院 电子光学 场发射 北京大学 高温样品台
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不锈钢的损伤及其防止措施(28)——以事例为中心
13
作者 张志仁(译) 《不锈(市场与信息)》 2008年第13期19-20,共2页
事例4波纹管材质 SUS 316,口径139Ф,1.2t,内筒设有补强环使用环境管内350℃、20kg/cm^2过热蒸汽使用期1年图13.9表示其外观在波峰部位的圆周方向裂纹张开,裂纹从图13.10可见是从内侧开始发生的,其断面的二次电子像如图13.11... 事例4波纹管材质 SUS 316,口径139Ф,1.2t,内筒设有补强环使用环境管内350℃、20kg/cm^2过热蒸汽使用期1年图13.9表示其外观在波峰部位的圆周方向裂纹张开,裂纹从图13.10可见是从内侧开始发生的,其断面的二次电子像如图13.11所示,可看到有明显的条纹,是属于疲劳破坏。一般,波纹管的疲劳裂纹不一定从内外哪一边先发生。 展开更多
关键词 事例 不锈钢 损伤 疲劳裂纹 二次电子 使用环境 过热蒸汽 疲劳破坏
原文传递
2014年中实国金第二批能力验证计划
14
《冶金分析》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期81-82,共2页
关键词 能力验证计划 金第 形貌观察 西布曲明 氨氮含量 呋喃他酮 重铬酸盐 二次电子 沾色 晶粒度
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PVT生长掺V SiC单晶的扫描电镜二次电子像衬度 被引量:1
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作者 王香泉 洪颖 +3 位作者 章安辉 冯玢 郝建民 严如岳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期317-319,共3页
在用SEM观察沿单晶生长方向切割掺V SiC晶片时,发现其二次电子像存在衬度。表现为先生长部分较明亮,后生长部分较暗淡,中间存在明显突变。在用PVT生长掺V SiC单晶时,SiC单晶中同时含有浅施主N和深受主杂质V是补偿半导体。从补偿半导体... 在用SEM观察沿单晶生长方向切割掺V SiC晶片时,发现其二次电子像存在衬度。表现为先生长部分较明亮,后生长部分较暗淡,中间存在明显突变。在用PVT生长掺V SiC单晶时,SiC单晶中同时含有浅施主N和深受主杂质V是补偿半导体。从补偿半导体载流子浓度计算出发,建立了二次电子像衬度与载流子浓度的对应关系,很好解释了这一实验现象。结果表明,SiC单晶生长过程中随着浅施主N的减少,n型载流子的浓度逐步减少;当其浓度与V相当时,载流子浓度突变,可瞬间减少10个量级,此后又缓慢减少。正是这种载流子的突变引发了扫描电镜二次电子像衬度。 展开更多
关键词 碳化硅 二次电子衬度 载流子浓度 扫描电镜 物理气相传输法
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高分辨二次电子像中的成份衬度 被引量:2
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作者 徐军 陈文雄 张会珍 《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第6期535-535,共1页
高分辨二次电子像中的成份衬度徐军陈文雄张会珍(北京大学电镜实验室,北京100871)在传统的扫描电子显微学的概念中,二次电子像中包含的是形貌衬度,而背散射电子像中包含的是成份衬度。但实际上二次电子的产额是和样品的成份... 高分辨二次电子像中的成份衬度徐军陈文雄张会珍(北京大学电镜实验室,北京100871)在传统的扫描电子显微学的概念中,二次电子像中包含的是形貌衬度,而背散射电子像中包含的是成份衬度。但实际上二次电子的产额是和样品的成份有关的,不过样品表面极易玷污,样品... 展开更多
关键词 二次电子 成份衬度 电镜 电子显微学
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钨灯丝扫描电子显微镜
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《中国科学院院刊》 CSSCI CSCD 北大核心 2023年第S01期35-35,共1页
主要技术与性能指标,分辨率:二次电子像2.5 nm@20 kV;4 nm@3 kV;5 nm@1 kV,电子枪:预对中型发叉式钨灯丝电子枪,加速电压范围:0.2-30 kV,放大倍数范围:1-300000×,具有多功能接口,可安装EDS/EBSD/CL/WDS等分析附件,样品台:五轴自动... 主要技术与性能指标,分辨率:二次电子像2.5 nm@20 kV;4 nm@3 kV;5 nm@1 kV,电子枪:预对中型发叉式钨灯丝电子枪,加速电压范围:0.2-30 kV,放大倍数范围:1-300000×,具有多功能接口,可安装EDS/EBSD/CL/WDS等分析附件,样品台:五轴自动样品。 展开更多
关键词 二次电子 加速电压 放大倍数 多功能接口 扫描电子显微镜 电子 性能指标 分辨率
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