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四针状氧化锌晶须的生长机理 被引量：11
1
作者 陈艺锋 唐谟堂 杨声海 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期423-428,共6页
用“时间标尺”实验法测定了T ZnO晶须在不同生长时期的生长速率, 用扫描电镜观察分析了不同条件下晶须的生长形貌。结果表明: T ZnO晶须的结晶作用是气 液 固(VLS)方式, 晶须生长受螺旋生长机理控制; 锌蒸气中产生凝聚生长的锌液滴是制... 用“时间标尺”实验法测定了T ZnO晶须在不同生长时期的生长速率, 用扫描电镜观察分析了不同条件下晶须的生长形貌。结果表明: T ZnO晶须的结晶作用是气 液 固(VLS)方式, 晶须生长受螺旋生长机理控制; 锌蒸气中产生凝聚生长的锌液滴是制备T ZnO晶须的关键, 锌从液滴内向外扩散在晶须的端面产生生长台阶, 随着液滴内的原子向外不断扩散, 针体部分就不断地伸长生长, 当液滴内的原子全部消耗尽时, 晶须便不再发生轴向生长; 气 固(VS)方式的作用主要是促进晶须棱面生长而使晶须变粗, 对轴向生长几乎没有影响。 展开更多
关键词 T-ZnO晶须 生长速度 气-液-固生长 气-固生长
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Si纳米线的生长机制及其研究进展 被引量：2
2
作者 彭英才 X.W.Zhao +1 位作者 范志东 白振华 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期429-436,共8页
Si纳米线及其阵列是近年内新发展起来的准一维半导体光电信息材料,在场效应器件、单电子存储器件、光探测器件、场发射器件、纳米传感器件和高效率发光器件以及集成技术中具有潜在的应用。本文以气-液-固(VLS)生长机制为主线,介绍与评... Si纳米线及其阵列是近年内新发展起来的准一维半导体光电信息材料,在场效应器件、单电子存储器件、光探测器件、场发射器件、纳米传感器件和高效率发光器件以及集成技术中具有潜在的应用。本文以气-液-固(VLS)生长机制为主线,介绍与评论了近5年来Si纳米线在制备与合成技术方面所取得的一些最新进展。其主要内容包括Si纳米线的各种金属催化生长和氧化物辅助生长,最后指出了今后该研究的发展方向。 展开更多
关键词 SI纳米线 气-液-固生长 金属催化生长 氧化物辅助生长 光电器件应用
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Bi2O2Se纳米带的气-液-固生长与高性能晶体管的构筑 被引量：2
3
作者 谭聪伟 于梦诗 +9 位作者 许适溥 吴金雄 陈树林 赵艳 刘聪 张亦弛 涂腾 李天然 高鹏 彭海琳 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第1期256-262,共7页
作为一种具有高迁移率、高空气稳定性和带隙可调的二维材料,纳米硒氧化铋(Bi2O2Se)半导体有望成为未来电子学集成器件和光电子集成器件沟道材料的候选半导体。高质量的Bi2O2Se纳米带有望用于高性能晶体管的构筑;然而,其一维结构的合成... 作为一种具有高迁移率、高空气稳定性和带隙可调的二维材料,纳米硒氧化铋(Bi2O2Se)半导体有望成为未来电子学集成器件和光电子集成器件沟道材料的候选半导体。高质量的Bi2O2Se纳米带有望用于高性能晶体管的构筑;然而,其一维结构的合成方法尚未开发。在我们的研究中,我们在云母衬底上通过Bi催化汽-液-固生长机制合成了一维Bi2O2Se纳米带。合成的Bi2O2Se单晶纳米带的宽度为100 nm到20μm,长度可达亚毫米。再者,Bi2O2Se纳米带可以很容易地利用洁净转移方法被转移到Si O2/Si衬底上,并进一步制备成高性能场效应器件。Bi2O2Se纳米带场效应器件表现出优异的电学性质:室温电子迁移率高达~220 cm2·V-1·s-1,开关比高达>106,10μm沟道长度下电流密度高达~42μA·μm-1。由此说明,Bi2O2Se纳米带有望成为候选材料用于未来高性能晶体管的构筑。 展开更多
关键词 Bi2O2Se 气-液-固生长 纳米带 化学气相沉积 高迁移率
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基于气液固机理的大批量InN纳米线生长 被引量：1
4
作者 刘海滨 程国胜 解思深 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期2094-2097,共4页
采用气液固机理生长了大批量均匀的InN纳米线,扫描电镜图像显示出这些光滑纳米线的平均直径和长度分别为65nm和15μm。高分辨透射电镜、选区电子衍射、微区拉曼散射光谱结合EDS能谱说明了纳米线为六方纤锌矿结构单晶,并证实了纳米线的... 采用气液固机理生长了大批量均匀的InN纳米线,扫描电镜图像显示出这些光滑纳米线的平均直径和长度分别为65nm和15μm。高分辨透射电镜、选区电子衍射、微区拉曼散射光谱结合EDS能谱说明了纳米线为六方纤锌矿结构单晶,并证实了纳米线的生长遵循气液固生长机理。纳米线的光致发光光谱在1.89eV附近有一发光峰。改变NH3的流量可以调控纳米线的形貌和生长方向,我们从能量角度对此进行了解释。 展开更多
关键词 InN纳米线 气液固生长 生长方向
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Si纳米线的气-液-固生长与结构表征
5
作者 白振华 范志东 +1 位作者 程旭 彭英才 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2009年第6期582-586,共5页
以Au膜作金属催化剂、SiH4作为源气体,基于气-液-固（VLS）生长机制在n-Si（111）单晶衬底上制备出了Si纳米线.利用扫描电子显微镜对样品进行了结构表征,Si纳米线的直径为20-200 nm、长度为数微米到数十微米,X射线能量损失谱分析表明所... 以Au膜作金属催化剂、SiH4作为源气体,基于气-液-固（VLS）生长机制在n-Si（111）单晶衬底上制备出了Si纳米线.利用扫描电子显微镜对样品进行了结构表征,Si纳米线的直径为20-200 nm、长度为数微米到数十微米,X射线能量损失谱分析表明所制备的Si纳米线中含有少量的Au元素.讨论了生长温度、SiH4流量、Au膜层厚度和生长时间对Si纳米线的形成与结构的影响. 展开更多
关键词 SI纳米线 Au催化 气-液-固生长 结构表征
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一维ZnO纳米材料制备技术研究进展 被引量：1
6
作者 肖奇 司知蠢 +1 位作者 王平华 邱冠周 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第F11期49-52,共4页
氧化锌可用于透明导电膜、表面声波器件、真空荧光显示器、气体传感器、光激射激光器、紫外光探测器等，有广泛发展的产业化前景。近年来，一维ZnO纳米材料（纳米线、纳米带、纳米管等）的制备和应用已成为研究热点。综述了一维ZnO纳米... 氧化锌可用于透明导电膜、表面声波器件、真空荧光显示器、气体传感器、光激射激光器、紫外光探测器等，有广泛发展的产业化前景。近年来，一维ZnO纳米材料（纳米线、纳米带、纳米管等）的制备和应用已成为研究热点。综述了一维ZnO纳米材料制备方法的最新进展。 展开更多
关键词 一维ZnO纳米材料 气相-液相-固相生长法 气相-固相生长法 模板生长法
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氧气辅助法制备氮化硼纳米管 被引量：2
7
作者 李娟 吴浩 +1 位作者 陈拥军 徐盛明 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期880-884,共5页
将无定形硼粉于流动氨气(50 mL/min)和不同氧气流量(10、15、20、40 mL/min)的混合气氛下高温(1300℃)处理后,在不锈钢基片上收集到白色棉花状产物。研究结果表明,微量的氧气可将硼粉氧化成气态的B2O2中间体,为BN纳米管的生长提供活性... 将无定形硼粉于流动氨气(50 mL/min)和不同氧气流量(10、15、20、40 mL/min)的混合气氛下高温(1300℃)处理后,在不锈钢基片上收集到白色棉花状产物。研究结果表明,微量的氧气可将硼粉氧化成气态的B2O2中间体,为BN纳米管的生长提供活性较高的硼源。当氧气流量适中时,所得纳米管的平均直径为80 nm,长度可达几百微米。氧气流量对BN纳米管的直径和产量影响较大,纳米管直径随着氧气流量的增大而增大,产量则出现先升高后降低的趋势。氮化硼纳米管的生长机理属于气–液–固模型。 展开更多
关键词 氮化硼纳米管 氧气辅助法 气–液–固生长机理
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SiO_x纳米线的热蒸发法制备及表征
8
作者 吴萍 邹兴权 程文德 《汕头大学学报（自然科学版）》 2006年第4期36-40,共5页
采用活性炭还原SnO2粉末得到的金属锡作为催化剂,在硅片上生长出SiOx(x在1～2之间)纳米线.分析900℃～1 100℃下生长出来的SiOx纳米线发现,温度越高,纳米线越密集,表面也更光滑;分析不同温度梯度下生长出来的纳米线表明,硅片上温度梯度... 采用活性炭还原SnO2粉末得到的金属锡作为催化剂,在硅片上生长出SiOx(x在1～2之间)纳米线.分析900℃～1 100℃下生长出来的SiOx纳米线发现,温度越高,纳米线越密集,表面也更光滑;分析不同温度梯度下生长出来的纳米线表明,硅片上温度梯度越小,生长的纳米线分布越均匀,直径也越均匀.并结合实验条件对SiOx纳米线的生长机理进行初步探讨. 展开更多
关键词 氧化硅纳米线 气-液-固生长模式
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基于蒙特卡罗方法的纳米线气-液-固生长机制研究
9
作者 曹霞 赵凯 +1 位作者 朱彦华 贺梦冬 《湘潭大学学报（自然科学版）》 CAS 2021年第2期47-54,共8页
纳米线(NWs)由于其独特的光电性质,已成为新时代信息与能源等技术的重要基础,对其生长机理的研究是当前纳米材料领域的重要课题之一.人们通常通过不同的物理化学过程(如化学沉积、物理沉积、元素合成法等)来描述其生长机理.该文基于蒙... 纳米线(NWs)由于其独特的光电性质,已成为新时代信息与能源等技术的重要基础,对其生长机理的研究是当前纳米材料领域的重要课题之一.人们通常通过不同的物理化学过程(如化学沉积、物理沉积、元素合成法等)来描述其生长机理.该文基于蒙特卡罗方法,从概率统计的角度研究NWs气-液-固(VLS)生长机制.研究发现,催化剂液滴在基底上分布的均匀性越好,NWs的生长角度越接近垂直状态.NWs长度对催化剂薄膜厚度十分敏感,随着催化剂薄膜厚度的增加,NWs的长度整体呈增加的趋势,并且对于不同的薄膜厚度,均存在两个概率密度较高的NWs长度.研究工作为理解NWs微观生长机制提供了一种全新的视角,有望为相关NWs生长及其调控提供理论依据. 展开更多
关键词 气-液-固生长机制 纳米线 蒙特卡罗方法
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氧化铟锡纳米晶须的VLS自组装生长研究
10
作者 沈燕 徐现刚 《齐鲁工业大学学报》 2016年第1期42-44,共3页
气液固(VLS)生长是一维纳米晶材料生长最常见的方法。通过电子束加热蒸发氧化铟锡薄膜,在缺氧状态下生长出无序纳米晶的表面形态,粗糙度达到了几十至上百纳米。分析其生长机理,是氧化物源在电子束高温下熔融分解金属,遇冷凝结成金属液滴... 气液固(VLS)生长是一维纳米晶材料生长最常见的方法。通过电子束加热蒸发氧化铟锡薄膜,在缺氧状态下生长出无序纳米晶的表面形态,粗糙度达到了几十至上百纳米。分析其生长机理,是氧化物源在电子束高温下熔融分解金属,遇冷凝结成金属液滴,作为VLS生长的金属催化剂使其结晶出纳米晶须。 展开更多
关键词 氧化铟锡 纳米晶须 气液固生长 电子束蒸发
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