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雷达用微波功率器件的发展趋势 被引量：3
1
作者 高志忠 《真空电子技术》 北大核心 1995年第6期8-13,29,共7页
本文从雷达技术发展的角度阐述了雷达用微波功率器件的发展趋势，并指出今后将主要发展ＭＰＭ，ＭＭＩＣ，毫米波真空器件和真空微电子器件。
关键词 雷达 微波功率模块 单片 微波集成电路
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真空微电子加速度传感器结构的有限元分析 被引量：2
2
作者 彭述成 温志渝 +2 位作者 温中泉 潘银松 李霞 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期292-294,301,共4页
论述了真空微电子加速度传感器的结构及工作原理 ,应用有限元方法对加速度传感器进行了静力学和动力学分析 ,拟合出悬臂梁的长宽厚与质量块最大位移量的关系曲线和谐振频率的关系曲线以及质量块受迫振动的谐响应曲线。
关键词 真空微电子 加速度传感器 结构 有限元分析 场致发射 力学量传感器 工作原理
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阴极-敏感膜复合型真空微电子压力传感器研究 被引量：2
3
作者 陶新昕 夏善红 +1 位作者 苏杰 陈绍凤 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2001年第1期81-84,共4页
该文提出了“阴极-敏感薄膜复合”结构的新型真空微电子压力传感器,并研制出了“阴极-敏感薄膜复合”结构,对硅薄膜在外力作用下产生的形变及其应力分布进行了计算机模拟计算,并讨论了薄膜结构参数对其敏感特性的影响。
关键词 真空微电子 压力传感器 阴极-敏感膜
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真空微电子压力传感器阵列数据采集研究
4
作者 潘银松 温志渝 +1 位作者 梁玉前 蒋子平 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期435-437,共3页
阐述了真空微电子压力传感器阵列的工作原理和工作波形。设计了一种供真空微电子压力传感器阵列器件使用的 12位A/D数据采集系统。系统采用微机为主控单元 ,地址发生和时序控制部分采用可编程逻辑器件 (CPLD)实现 ,提高了设计的灵活性 ... 阐述了真空微电子压力传感器阵列的工作原理和工作波形。设计了一种供真空微电子压力传感器阵列器件使用的 12位A/D数据采集系统。系统采用微机为主控单元 ,地址发生和时序控制部分采用可编程逻辑器件 (CPLD)实现 ,提高了设计的灵活性 ,简化了电路板设计。利用该采集系统对压力传感器阵列进行了数据采集 。 展开更多
关键词 真空微电子 压力传感器阵列 数据采集 MEMS 工作原理 可编程逻辑器件 电路板设计
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介质层对真空微电子三极管特性的影响研究 被引量：1
5
作者 薛晋惠 曾葆青 《四川师范学院学报（自然科学版）》 2003年第2期196-199,共4页
用粒子模拟程序MAGIC模拟了真空微电子三极管的电子学特性,其发射电流由Folwer Nordheim公式得出.研究了栅极与阴极间介质层对电子发射特性的影响,发现介质层的位置对发射特性有较大的影响.对一个典型结构真空微电子三极管的模拟结果表... 用粒子模拟程序MAGIC模拟了真空微电子三极管的电子学特性,其发射电流由Folwer Nordheim公式得出.研究了栅极与阴极间介质层对电子发射特性的影响,发现介质层的位置对发射特性有较大的影响.对一个典型结构真空微电子三极管的模拟结果表明,当介质孔半径从0.4μm增加到2.0μm时,发射电流将从0.198μA减小到0.115μA,前人的研究工作中常常忽略了介质层对电子发射特性的影响.同时还得到了电流 电压特性和电子轨迹图等模拟结果. 展开更多
关键词 真空微电子三极管 介质层 电子学特性 粒子模拟程序 发射电流 发射特性
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一种新型低噪声真空微电子加速度计的接口ASIC(英文) 被引量：1
6
作者 刘海涛 温志渝 +2 位作者 陈李 温中泉 贺学峰 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期911-916,共6页
真空微电子加速度计基于隧道效应而工作,其内部固有的低频噪声(如1/f噪声)大大降低其信噪比,而且也是影响精度和线性度的主要因素。采用混频技术和相关检测算法,本文研制和设计了一种新型低噪声接口ASIC(专用集成电路)。最后测试了加速... 真空微电子加速度计基于隧道效应而工作,其内部固有的低频噪声(如1/f噪声)大大降低其信噪比,而且也是影响精度和线性度的主要因素。采用混频技术和相关检测算法,本文研制和设计了一种新型低噪声接口ASIC(专用集成电路)。最后测试了加速度计的噪声和线性度,在0～200 Hz范围内输出信号平均噪声密度为69μV.Hz-1/2,线性度相关系数为99.99%,最大的非线性度为0.41%。通过实验结果可以看出该电路能大大改善加速度计的噪声特性和线性度,而且该电路设计思想能用于其它隧道效应加速度计。 展开更多
关键词 真空微电子 ASIC 低噪声 混频 相关检测
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真空微电子器件发展现状及远景了望
7
作者 罗恩泽 《真空电子技术》 北大核心 1993年第4期1-6,共6页
本文论述了真空微电子器件的发展远景,并回答了为什么真空微电子器件在未来必将取代固体器件,以及目前它在工艺上和理论上存在些什么困难。
关键词 真空微电子器件 真空电子器件 微电子器件
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真空微电子加速度传感器闭环控制模型仿真与实现
8
作者 范金焰 温志渝 +2 位作者 陈李 温中泉 刘海涛 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第2期222-225,共4页
为提高真空微电子加速度传感器的线性度,提出了基于数字PID控制算法的真空微电子加速度传感器闭环控制方法。建立了真空微电子加速度传感器闭环控制模型,进行仿真分析。设计制作以TMS320VC5416DSP为核心的控制电路,实现了真空微电子加... 为提高真空微电子加速度传感器的线性度,提出了基于数字PID控制算法的真空微电子加速度传感器闭环控制方法。建立了真空微电子加速度传感器闭环控制模型,进行仿真分析。设计制作以TMS320VC5416DSP为核心的控制电路,实现了真空微电子加速度传感器的闭环控制。实验结果表明,在±10m/s2)的测量范围内,加速度计的标度因数为0.212 7,满量程输出电压为0.427 3V,非线性度≤0.98%。该电路能较好的实现真空微电子加速度传感器的闭环控制。 展开更多
关键词 加速度传感器 真空微电子 闭环控制
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真空微二极管发射特性的解析解
9
作者 宫玉彬 王文祥 谢克难 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期108-110,共3页
通过保角变换方法，对具有椭圆锥形发射体的真空微电子二极管进行了研究，求得了二极管区域内电位分布和电场分布的解析表达式，进而得到了电场强度和场致发射电流密度与尖端曲率之间的关系．
关键词 真空微电子 场致发射 二极管
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台阶阵列阴极真空微电子压力传感器研究
10
作者 夏善红 崔大付 +2 位作者 韩泾鸿 陈绍凤 王利 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1996年第3期182-186,共5页
本文提出并研究了一种新型台阶阵列阴极真空微电子压力传感器。与平面阵列阴极真空微电子压力传感器相比，该传感器在扩展量程和提高灵敏度方面有较大的潜力。作者展示了计算机模拟计算结果和部分实验结果。
关键词 真空微电子 压力传感器 台阶阵列阴极 传感器
原文传递
真空微电子二极管的隧道效应
11
作者 宫玉彬 王文祥 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第S1期92-95,共4页
采用许瓦兹－克里斯托福变换，求得了以椭圆锥为发射体的真空微电子二极管区域的电位分布的解析解。采用自由电子模型，运用ＷＫＢ近似，对真空微电子二极管的表面势垒和隧道电流进行了理论研究，求得了表面势垒和隧道电流的表达式，并... 采用许瓦兹－克里斯托福变换，求得了以椭圆锥为发射体的真空微电子二极管区域的电位分布的解析解。采用自由电子模型，运用ＷＫＢ近似，对真空微电子二极管的表面势垒和隧道电流进行了理论研究，求得了表面势垒和隧道电流的表达式，并进行了数值计算。 展开更多
关键词 二极管 真空微电子 保角变换 隧道效应
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场致发射硅尖阵列的研制 被引量：5
12
作者 吴海霞 仲顺安 +2 位作者 李文雄 邵雷 鲁雪峰 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期638-640,共3页
研究真空微电子器件场致发射硅尖阵列的制作工艺.利用HNA湿法腐蚀工艺制作场致发射硅尖阵列,比较带胶腐蚀与不带胶腐蚀的不同.采用氧化削尖技术对硅尖进行锐化处理.制作了50×60硅尖阵列,同时给出了硅尖阵列的I-V特性.利用HNA湿法... 研究真空微电子器件场致发射硅尖阵列的制作工艺.利用HNA湿法腐蚀工艺制作场致发射硅尖阵列,比较带胶腐蚀与不带胶腐蚀的不同.采用氧化削尖技术对硅尖进行锐化处理.制作了50×60硅尖阵列,同时给出了硅尖阵列的I-V特性.利用HNA湿法腐蚀制备的硅尖结构与理论分析一致,锐化处理改善了硅尖阴极阵列的场致发射特性. 展开更多
关键词 真空微电子器件 湿法腐蚀 场致发射阴极阵列 硅尖
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新型真空器件在武器装备中的应用 被引量：3
13
作者 吴海东 《电子产品可靠性与环境试验》 2004年第4期53-56,共4页
介绍真空电子器件和固态器件组合的新型电子器件—微波功率模块 （Ｍ ＰＭ ），以及将微电子工艺应 用 于传 统真 空 电子 器件 而 出现 的真 空 微电 子器 件 ，这 两种 器 件将 对下 一 代武 器系 统 有重 要 的影 响。
关键词 微波功率模块 真空微电子器件 微波集成电路
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场发射真空微电子二极管结构与性能关系研究 被引量：2
14
作者 刘卫东 罗恩泽 《真空电子技术》 北大核心 1993年第5期23-25,共3页
本文讨论了场发射真空微电子二极管的工作原理与结构性能关系
关键词 真空 微电子二极管 场发射 尖端效应
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双栅极场发射阵列的特性模拟与设计 被引量：1
15
作者 庄学曾 夏善红 陶新昕 《电子科学学刊》 CSCD 1998年第1期114-119,共6页
具有聚焦能力的双栅极场发射阵列(DGFEA)是两类最有发展前途的真空微电子器件(高分辨率场发射显示器和真空微电子微波、毫米波器件)的关键技术。本文简要比较了两种结构的DGFEA的主要性能和优缺点,叙述了双层栅极结构DGFEA的设计与模拟... 具有聚焦能力的双栅极场发射阵列(DGFEA)是两类最有发展前途的真空微电子器件(高分辨率场发射显示器和真空微电子微波、毫米波器件)的关键技术。本文简要比较了两种结构的DGFEA的主要性能和优缺点,叙述了双层栅极结构DGFEA的设计与模拟方法.从模拟计算获得的发射特性和聚焦性能可以看到:这种结构的DGFEA能获得几乎平行的场发射电子束,其最大发射电流密度可达到约500A/cm^2以上,是发展真空微电子微波、毫米波器件和其它强流电子注器件等较理想的电子源。 展开更多
关键词 真空微电子器件 微波器件 毫米波器件
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微密封真空微电子二极管 被引量：1
16
作者 刘卫东 罗恩泽 《微电子学》 CAS CSCD 1994年第5期55-56,共2页
本文介绍了一种微密封真空微电子二极管的工艺及实验结果。
关键词 微密封 真空微电子器件 二极管 微电子
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真空微电子器件的场发射理论计算模型
17
作者 刘卫东 郑修麟 +1 位作者 刘云鹏 罗恩泽 《电子器件》 CAS 1994年第3期28-32,共5页
本文建立了个真空微电子器件场发射理论计算模型；
关键词 场发射 计算模型 真空微电子器件 Spindt阴极
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真空微电子器件硅锥阴极的工艺研究 被引量：1
18
作者 关辉 朱长纯 刘君华 《微电子学》 CAS CSCD 1992年第4期70-73,共4页
本文介绍了利用半导体硅材料制作的真空微电子器件的核心部件,场致发射硅锥阴极,的工艺研究及实验结果。提出了两步腐蚀的工艺方案,制成了形状理想的锥体阴极。
关键词 硅锥阴极 微电子器件 工艺 设计
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真空微电子器件的特点及新制造技术
19
作者 贾正根 《真空电子技术》 北大核心 1992年第6期30-34,共5页
本文介绍真空微电子器件的特点和最近开发出来的新制造技术。
关键词 真空 微电子器件 场发射阴极 制造
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硅尖阵列的制备及其在真空微电子加速度计中的应用(英文)
20
作者 李东玲 尚正国 +1 位作者 王胜强 温志渝 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期74-78,共5页
针对微电子器件,提出了一种简单、低成本、便于批量加工的硅尖阵列制备方法。分析了各向异性和各向同性湿法腐蚀的特点,研究了不同腐蚀液中硅尖的形成机理和腐蚀速率,采用扫描电子显微镜(SEM)观测硅尖形貌。结果表明:在质量分数40%KOH... 针对微电子器件,提出了一种简单、低成本、便于批量加工的硅尖阵列制备方法。分析了各向异性和各向同性湿法腐蚀的特点,研究了不同腐蚀液中硅尖的形成机理和腐蚀速率,采用扫描电子显微镜(SEM)观测硅尖形貌。结果表明:在质量分数40%KOH腐蚀液中添加I2和KI,显著减小了削角速率,得到了呈"火箭尖"的硅尖阵列。各向同性腐蚀采用HNA腐蚀液,腐蚀的硅尖呈埃菲尔铁塔形。通过调整腐蚀液配比,氧化锐化后,硅尖尖端曲率半径小于15nm。该硅尖阵列已成功应用于真空微电子加速度计之中。 展开更多
关键词 硅尖阵列 湿法腐蚀 氧化锐化 真空微电子加速度计
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