氧化铝陶瓷表面二次电子发射特性及测量 被引量：17

1

作者 雷杨俊 肖定全 唐兵华 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期713-716,共4页

利用电子束致二次电子发生装置,选择具有不同组成、相同尺寸(φ25mm×0.3mm)的Al2O3陶瓷样品进行表面二次电子发射系数的测量,在相同实验条件下获得了典型的表面二次电子发射特性曲线。同时,就测试过程中的实验现象以及组成对Al2O3... 利用电子束致二次电子发生装置,选择具有不同组成、相同尺寸(φ25mm×0.3mm)的Al2O3陶瓷样品进行表面二次电子发射系数的测量,在相同实验条件下获得了典型的表面二次电子发射特性曲线。同时,就测试过程中的实验现象以及组成对Al2O3陶瓷二次电子发射特性的影响进行了简要分析和讨论。结果表明:组成不同的Al2O3陶瓷样品具有明显不同的二次电子发射特性,适当的体掺杂有利于降低Al2O3陶瓷二次电子发射系数和改善表面性能。此外,由于测试过程中试验参数的变化对测量结果具有明显影响,为了保证测量结果的一致性和可比性,应采用相同的试验方案并尽可能确保各试验参数的稳定性。 展开更多

关键词 氧化铝陶瓷 二次电子发射 表面电荷累积 发射系数

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MgO薄膜二次电子发射系数测量装置的设计 被引量：6

2

作者 吕晓军 喻志农 郑德修 《真空电子技术》 2000年第5期5-8,共4页

Mg O薄膜的二次电子发射系数 γ在彩色等离子体显示器的研究中是一个非常重要的参数。因此 ,准确的测量 Mg O膜的二次电子发射系数是很有必要的。本文分析了在二次电子发射系数测量中最容易出现的一些问题 ,并从 Mg O膜的二次电子发射... Mg O薄膜的二次电子发射系数 γ在彩色等离子体显示器的研究中是一个非常重要的参数。因此 ,准确的测量 Mg O膜的二次电子发射系数是很有必要的。本文分析了在二次电子发射系数测量中最容易出现的一些问题 ,并从 Mg O膜的二次电子发射机理入手 ,阐述了一种测量二次电子发射系数的方法。这种方法在实践中证明是行之有效的。 展开更多

关键词 二次电子发射系数 氧化镁薄膜 测量装置 设计

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金属掺杂钨基合金阴极的二次电子发射系数研究 被引量：7

3

作者 漆世锴 王小霞 +3 位作者 罗积润 赵世柯 李云 赵青兰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期158-162,共5页

实验中制备了W-Re,W-Sc,W-Zr,W-Y合金阴极,其中Re,Sc,Zr,Y元素所占合金阴极材料的质量分数都为5%。二次电子发射系数测试结果显示,Re掺杂合金阴极对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著,掺杂5%Re的W-Re合金阴极材料具有最大二次电子发射系... 实验中制备了W-Re,W-Sc,W-Zr,W-Y合金阴极,其中Re,Sc,Zr,Y元素所占合金阴极材料的质量分数都为5%。二次电子发射系数测试结果显示,Re掺杂合金阴极对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著,掺杂5%Re的W-Re合金阴极材料具有最大二次电子发射系数,其值为1.8,相比于纯钨阴极,能够提高80%。鉴于Re对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著,对Re掺杂质量分数分别为20%,10%,6%,5%,4%,3%W-Re合金阴极材料二次电子发射系数进行了研究,发现随着Re在W-Re合金阴极材料中含量的降低,其二次电子发射系数在不断增大,仅当Re含量下降至5%左右时,合金阴极具有最大二次电子发射系数,继续下降至4%,合金阴极二次电子发射系数不但没有升高,相反下降至1.41,当下降至3%时,合金阴极二次电子发射系数值迅速降低为1.1。 展开更多

关键词 合金阴极 二次电子发射系数 磁控管 掺杂 阳极

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基于ZnO阵列的银表面二次电子发射抑制技术 被引量：6

4

作者 胡天存 曹猛 +3 位作者 鲍艳 张永辉 马建中 崔万照 《中国空间科学技术》 EI CSCD 北大核心 2017年第2期54-60,共7页

随着卫星有效载荷的射频功率越来越大,传统的微放电抑制方法已经无法满足大功率卫星有效载荷的需求。降低大功率射频部件内表面的二次电子发射系数是抑制微放电效应的重要方法之一,通过在金属银表面构造纳米量级ZnO阵列,实现了纳米尺度... 随着卫星有效载荷的射频功率越来越大,传统的微放电抑制方法已经无法满足大功率卫星有效载荷的需求。降低大功率射频部件内表面的二次电子发射系数是抑制微放电效应的重要方法之一,通过在金属银表面构造纳米量级ZnO阵列,实现了纳米尺度银陷阱结构的制备,研究了晶种制备方式、锌盐浓度对ZnO阵列生长的影响。结果表明,采用紫外照射法制备晶种获得的ZnO阵列在样片表面分布均匀,提高锌盐浓度可改善ZnO阵列的分布均匀性。分析了ZnO阵列排列密度对银膜构筑的影响,发现在低密度的ZnO阵列上更加容易镀覆金属银。因此,获得了镀银表面基于ZnO阵列的陷阱结构制备的工艺技术,实现金属银表面二次电子发射系数最大值降低36.3%。 展开更多

关键词 微放电 二次电子发射系数 ZnO阵列 陷阱结构 抑制

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第一性原理研究PDP放电单元MgO保护层各种空缺对二次电子发射系数的影响 被引量：6

5

作者 李巧芬 屠彦 于金 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期597-603,共7页

基于密度泛函理论的第一原理赝势法,研究了PDP放电单元中MgO保护层在形成氧空缺后的电子结构的变化。通过对能带结构和态密度分布的计算,可以看到MgO形成氧空缺后在禁带中引入了能级。本文计算了完整MgO以及含F、F+、F2+空缺的MgO晶体,... 基于密度泛函理论的第一原理赝势法,研究了PDP放电单元中MgO保护层在形成氧空缺后的电子结构的变化。通过对能带结构和态密度分布的计算,可以看到MgO形成氧空缺后在禁带中引入了能级。本文计算了完整MgO以及含F、F+、F2+空缺的MgO晶体,得到不同能带结构和态密度分布,同时计算了相应的二次电子发射系数。结果表明空缺的形成,可有效提高二次电子发射系数,其中形成F空缺的MgO晶体的二次电子发射系数最大。 展开更多

关键词 第一性原理 MgO保护层 二次电子发射系数 空缺

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二维混合结构网格电场数值模拟及其在低能电子枪设计中的应用 被引量：5

6

作者 王岩 赵伟霞 +2 位作者 邓晨晖 刘俊标 韩立 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期1-6,共6页

在半导体行业中,低能电子枪是样品二次发射系数测量和样品表面电荷中和的关键部件。为了给低能电子枪提供设计参考,本文采用二维混合结构网格电场数值模拟计算方法构造了不同结构和栅极电位的电子枪模型,研究了不同模型结构对束斑和束... 在半导体行业中,低能电子枪是样品二次发射系数测量和样品表面电荷中和的关键部件。为了给低能电子枪提供设计参考,本文采用二维混合结构网格电场数值模拟计算方法构造了不同结构和栅极电位的电子枪模型,研究了不同模型结构对束斑和束流的影响。结果表明,随着栅极和阳极间距的增大,电子束的放大倍率和束流会降低;随着栅极孔径的增加,电子束的放大倍率会降低,束流会逐渐达到饱和点;随着栅极电位增大,栅极对电子束的会聚作用逐渐减弱,电子束的束流呈上升趋势并最终达到饱和点。 展开更多

关键词 低能电子枪 二次电子发射系数 电荷中和 混合网格 数值模拟

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二次电子发射和负离子存在时的鞘层结构特性 被引量：4

7

作者 赵晓云 刘金远 +1 位作者 倪致祥 何娟 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1415-1420,共6页

建立了包括电子、离子、器壁发射二次电子以及负离子多种成分的等离子体无碰撞鞘层的基本模型,讨论了二次电子发射和负离子对1维稳态等离子体鞘层结构的影响,并且分析了多种成分等离子体鞘层内的二次电子和负离子的相互作用。结果表明:... 建立了包括电子、离子、器壁发射二次电子以及负离子多种成分的等离子体无碰撞鞘层的基本模型,讨论了二次电子发射和负离子对1维稳态等离子体鞘层结构的影响,并且分析了多种成分等离子体鞘层内的二次电子和负离子的相互作用。结果表明:二次电子发射系数的增加和负离子含量的增加,都将导致鞘层的厚度有所减小;二次电子发射系数超过临界发射系数之后,鞘层不再是离子鞘。随着器壁材料二次电子发射系数的增加,鞘层中的负离子密度分布也逐渐增加;负离子的增加,导致二次电子临界发射系数有所增加。另外,在等离子体鞘层中二次电子发射和负离子的存在,也影响着鞘层中电子的放电特性与器壁材料的腐蚀。 展开更多

关键词 等离子体鞘层 二次电子发射 负离子 临界发射系数 动能流

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325 MHz spoke腔的二次电子倍增效应 被引量：4

8

作者 徐波 李中泉 +3 位作者 沙鹏 王光伟 潘卫民 何源 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期2723-2726,共4页

采用CST软件的粒子工作室模块,对spoke超导腔中可能发生的二次电子倍增效应进行了分析研究,并采用二次电子倍增效应发生后形成稳定状态时的粒子数增长率来表征其强度。模拟计算表明:该腔存在两处二次电子倍增效应,spoke柱两端的两点一... 采用CST软件的粒子工作室模块,对spoke超导腔中可能发生的二次电子倍增效应进行了分析研究,并采用二次电子倍增效应发生后形成稳定状态时的粒子数增长率来表征其强度。模拟计算表明:该腔存在两处二次电子倍增效应,spoke柱两端的两点一阶倍增;spoke腔两端侧壁与中心圆筒交界处的单点一阶倍增;二次电子倍增在加速腔压为0.65MV时的增长率最高,而腔压大于1 MV时,增长率均为负,即无倍增发生。 展开更多

关键词 二次电子倍增 增长率 spoke腔 二次电子发射系数

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基于磁场闪络抑制技术的真空沿面闪络实验研究 被引量：4

9

作者 刘瑜 王勐 +4 位作者 杨尊 周良骥 邹文康 章乐 徐乐 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期559-562,共4页

为解决脉冲功率系统中击穿电压最低的部分,即真空固体绝缘界面,采用磁场闪络抑制技术提高闪络电压,为研究磁场和沿面闪络电压的关系,针对不同介电常数的样品开展了一系列相关实验。实验结果表明:采用电容器对通电螺线管充电产生的脉冲... 为解决脉冲功率系统中击穿电压最低的部分,即真空固体绝缘界面,采用磁场闪络抑制技术提高闪络电压,为研究磁场和沿面闪络电压的关系,针对不同介电常数的样品开展了一系列相关实验。实验结果表明:采用电容器对通电螺线管充电产生的脉冲强磁场稳定可靠,并且当施加在绝缘子表面磁场强度为1.1T时,PMMA材料的闪络电压可以提高至1.8倍。 展开更多

关键词 真空沿面闪络 磁场闪络抑制 介电常数 二次电子发射系数

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工艺参数对Ar^+改性无氧铜表面形貌及二次电子发射的影响 被引量：4

10

作者 刘腊梅 赵世柯 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期861-866,共6页

为了降低材料的二次电子发射系数,本文对高导电无氧铜(OFHC,简称无氧铜)进行离子束表面改性处理,并研究其最优工艺条件,重点考查了温度、时间等工艺参数对表面形貌以及二次电子发射系数(δ)的影响。利用扫描电镜、能谱仪等对表面形貌及... 为了降低材料的二次电子发射系数,本文对高导电无氧铜(OFHC,简称无氧铜)进行离子束表面改性处理,并研究其最优工艺条件,重点考查了温度、时间等工艺参数对表面形貌以及二次电子发射系数(δ)的影响。利用扫描电镜、能谱仪等对表面形貌及成分进行分析并在此基础上对改性后样品的表面形貌形成机理进行了初步探讨。实验得出最佳工艺为:在600℃下离子束改性处理1 h。该参数下处理的无氧铜样品的二次电子发射系数降低63.5%。 展开更多

关键词 无氧铜 离子束表面改性处理 二次电子发射系数 表面形貌

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阻挡介质材料对低气压CO_(2)介质阻挡放电转化特性的影响

11

作者 付强 叶子凡 +1 位作者 王语菲 常正实 《石油学报（石油加工）》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期1003-1012,共10页

介质阻挡放电(DBD)等离子体可产生大量荷能荷电粒子和活性自由基,具有高效、低耗、高可控程度、长使用寿命等优势,在CO_(2)资源化利用方面表现出良好的应用潜力。针对火星低气压高浓度的特殊CO_(2)氛围,为探究DBD中阻挡介质材料种类对CO... 介质阻挡放电(DBD)等离子体可产生大量荷能荷电粒子和活性自由基,具有高效、低耗、高可控程度、长使用寿命等优势,在CO_(2)资源化利用方面表现出良好的应用潜力。针对火星低气压高浓度的特殊CO_(2)氛围,为探究DBD中阻挡介质材料种类对CO_(2)转化效果的影响机理,利用kHz正弦电压驱动DBD,实验研究了不同阻挡介质材料对CO_(2)放电转化特性的影响。结果表明,阻挡介质依次为石英玻璃、环氧树脂、氮化铝、氧化铝、氧化锆(相对介电常数依次为4.7、6.6、9.8、10.2、37.1)时,放电产物中O_(2)的产量逐渐升高,其中氧化锆作为阻挡介质时的O_(2)产量远高于其他材料。结合数值仿真分析了阻挡介质相对介电常数和二次电子发射系数对CO_(2)转化效果的影响机理:固定二次电子发射系数,增大介质相对介电常数,气体间隙平均电场强度增大,放电产生的电子和CO+2密度增大且维持在半峰值以上的时间增加,O_(2)主要生成反应的速率增大,导致O_(2)产量增加;固定介质相对介电常数,增大介质二次电子发射系数会降低间隙平均电场强度和平均电子温度,增加间隙平均电子密度,较高电子密度和较低电子温度有利于电子和离子的复合分解反应,促进O_(2)生成。 展开更多

关键词 低气压 介质阻挡放电 CO_(2)转化 介电常数 二次电子发射系数 流体模型

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外加磁场下真空沿面闪络特性数值模拟 被引量：4

12

作者 刘瑜 邓建军 +2 位作者 王勐 邹文康 周良骥 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期2501-2504,共4页

以单粒子模型和带电粒子运动方程为基础,采用蒙特卡罗方法,编写了真空沿面闪络过程计算程序,研究了外加磁场对真空沿面闪络过程的影响,主要是对二次电子发射及电子束的雪崩运动的影响。研究表明:外加磁场的存在,改变了绝缘体表面电子的... 以单粒子模型和带电粒子运动方程为基础,采用蒙特卡罗方法,编写了真空沿面闪络过程计算程序,研究了外加磁场对真空沿面闪络过程的影响,主要是对二次电子发射及电子束的雪崩运动的影响。研究表明:外加磁场的存在,改变了绝缘体表面电子的运动,进而影响到绝缘体表面电荷的分布,从而在宏观上对绝缘体的耐受电压产生影响;外磁场抑制真空沿面闪络的效果与磁场的空间分布有关,磁场加在阴极附近时产生的效果优于加在阳极附近。 展开更多

关键词 真空沿面闪络 临界磁场 面电荷密度 二次电子发射系数

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不同入射角度铝的较高能二次电子发射系数表达式 被引量：3

13

作者 高明杰 张雅男 +1 位作者 肖雪 黄静敬 《真空与低温》 2014年第1期43-45,61,共4页

根据分析二次电子的入射过程及二次电子发射系数的定义,从理论上推导出铝的较高能二次电子发射系数与原电子入射能量及入射角度的关系。通过计算,得出了发射系数的具体表达式。用该表达式计算得到原电子以不同角度轰击下铝的较高能二次... 根据分析二次电子的入射过程及二次电子发射系数的定义,从理论上推导出铝的较高能二次电子发射系数与原电子入射能量及入射角度的关系。通过计算,得出了发射系数的具体表达式。用该表达式计算得到原电子以不同角度轰击下铝的较高能二次电子发射系数理论值。根据该表达式得到的理论数据与已有实验数据比较符合。 展开更多

关键词 较高能 二次电子 入射能量 电子发射系数

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测量氧化镁的二次电子发射系数 被引量：2

14

作者 谢爱根 郭胜利 +1 位作者 李传起 裴元吉 《安徽大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2006年第6期61-64,共4页

介绍单脉冲电子枪法测量氧化镁的二次电子发射系数的测量系统和测量原理,用该测量系统测量出了原电子能量EP高达几十keV时的氧化镁的二次电子发射系数,对测量结果进行了讨论并得出结论:所测量的氧化镁的最大二次电子发射系数在以前的科... 介绍单脉冲电子枪法测量氧化镁的二次电子发射系数的测量系统和测量原理,用该测量系统测量出了原电子能量EP高达几十keV时的氧化镁的二次电子发射系数,对测量结果进行了讨论并得出结论:所测量的氧化镁的最大二次电子发射系数在以前的科技工作者所测的氧化镁的最大二次电子发射系数的范围内,表明用磁控溅射法制备的氧化镁的二次电子发射系数较低. 展开更多

关键词 测量 氧化镁 二次电子发射系数

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微通道板的噪声因子与首次碰撞时二次电子发射系数的关系 被引量：3

15

作者 刘术林 张继胜 《应用光学》 CAS CSCD 1997年第5期30-32,共3页

本文着重讨论微通道板的噪声因子与首次碰撞时二次电子发射系数的关系。研究表明，在微通道极输入端通道内蒸镀适当深度的高二次发射系数的氧化镁材料，能显著地降低噪声因子。

关键词 微通道板 噪声 二次电子发射 微光 像增强器

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金属的高能二次电子发射系数与入射能量和能量幂次的关系 被引量：2

16

作者 谢爱根 李传起 赵浩峰 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期143-146,共4页

根据原电子射程表达式和金属的有效真二次电子发射系数表达式,推导出金属的高能有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式;并根据金属的高能有效真二次电子发射系数与金属的高能二次电子发射系数的关系,推导出金属的高能二... 根据原电子射程表达式和金属的有效真二次电子发射系数表达式,推导出金属的高能有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式;并根据金属的高能有效真二次电子发射系数与金属的高能二次电子发射系数的关系,推导出金属的高能二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系式。用实验数据计算出高能原电子轰击在金或银上时原电子入射能量幂次n,采用实验数据证实高能二次电子发射系数与原电子入射能量和能量幂次三者的关系,对结果进行讨论并得出结论:当高能原电子轰击在同一块金属上时,高能二次电子发射系数与原电子入射能量的n-1次幂之积近似为一常数。 展开更多

关键词 高能电子 二次电子发射系数 能量幂次 金 银

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PDP放电单元Si掺杂MgO保护层二次电子发射系数理论研究 被引量：3

17

作者 李巧芬 屠彦 +1 位作者 杨兰兰 王保平 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期535-540,共6页

采用基于密度泛函理论的原子轨道展开方法的第一性原理计算了Mg1-xSixO体系的电子结构、用SIESTA软件包计算了Mg1-xSixO体系的晶胞结构,体系基态总能,确定了MgO的最优晶格常数。同时,计算了Mg1-xSixO的能带结构、态密度、分波态密度等... 采用基于密度泛函理论的原子轨道展开方法的第一性原理计算了Mg1-xSixO体系的电子结构、用SIESTA软件包计算了Mg1-xSixO体系的晶胞结构,体系基态总能,确定了MgO的最优晶格常数。同时,计算了Mg1-xSixO的能带结构、态密度、分波态密度等。针对采用氖氙混合气体的PDP放电单元,分析了Si掺杂对MgO晶体的电子结构以及氖离子和氙离子二次电子发射系数的影响。结果表明,掺入微量的Si(掺杂浓度小于0.06)可提高MgO保护层氖离子和氙离子的二次电子发射系数,其中氙离子的二次电子发射系数的提高尤为显著。同时由分析结果表明,Si掺杂量存在最优化值为0.0185。 展开更多

关键词 二次电子发射系数 si掺杂 MgO保护层 等离子体平板显示

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二次电子发射系数的光电测试方法研究 被引量：3

18

作者 杜威志 王多书 +3 位作者 李晨 张玲 王济洲 董茂进 《真空与低温》 2014年第6期332-334,343,共4页

采用电子枪产生的电子进行材料二次电子发射系数的测量与研究,该方法由于实现过程较为复杂且很难获得微小流量入射原电子等限制了其应用。故采用紫外激发金属锌获得入射原电子的方法,利用高压电源和静电计,实现了材料二次电子发射系数... 采用电子枪产生的电子进行材料二次电子发射系数的测量与研究,该方法由于实现过程较为复杂且很难获得微小流量入射原电子等限制了其应用。故采用紫外激发金属锌获得入射原电子的方法,利用高压电源和静电计,实现了材料二次电子发射系数的精确测量。在电子倍增器中分别测试单级打拿极二次电子发射系数和倍增器增益,比较后获得了材料二次电子发射系数精确测量的方法。利用该方法,研究了氧化镁材料的二次电子发射性能,得到了基于氧化镁发射材料的电子倍增器增益。 展开更多

关键词 二次电子 发射系数 氧化镁 光电测试 方法

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低气压下辉光放电等离子体参量对二次电离系数的影响 被引量：2

19

作者 宋文栋 刘祖黎 李再光 《计算物理》 CSCD 北大核心 1992年第1期53-58,共6页

本文运用变步长的四阶龙格-库塔方法研究了低气压下直流辉光放电等离子体总电流密度、气体压强等对二次电离系数的影响,得到了二次电离系数与总电流密度、气体压强以及阴极处的电场强度和气压的比值的变化规律。

关键词 辉光放电 等离子体 二次电离系数

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多层薄膜二次电子发射特性的理论研究 被引量：2

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作者 陈凤 郭金川 +1 位作者 陈泗方 周彬 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期417-421,共5页

为提高硅基微通道板(silicon-based microchannel plate,Si-MCP)的增益特性,提出采用复合发射层结构取代常规的单发射层结构以改善微通道内壁的二次电子发射特性.计算了Si O2/Si、Al2O3/Si、Mg O/Si双层薄膜在不同厚度下的二次电子发射... 为提高硅基微通道板(silicon-based microchannel plate,Si-MCP)的增益特性,提出采用复合发射层结构取代常规的单发射层结构以改善微通道内壁的二次电子发射特性.计算了Si O2/Si、Al2O3/Si、Mg O/Si双层薄膜在不同厚度下的二次电子发射系数与初电子能量的关系曲线,并对结果进行了比对验证.该计算结果对设计制作硅基MCP具有一定参考价值. 展开更多

关键词 薄膜物理学 硅基微通道板 二次电子发射 数值模拟 发射系数 薄膜厚度

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