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半导体单晶抛光片清洗工艺分析 被引量：7
1
作者 赵权 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1049-1051,共3页
通过对Si,CaAs,Ge等半导体材料单晶抛光片清洗工艺技术的研究,分析得出了半导体材料单晶抛光片的清洗关键技术条件。首先用氧化性溶液将晶片表面氧化,然后用一定的方法将晶片表面的氧化物去除,从而实现对晶片进行清洗的目的。采用这种... 通过对Si,CaAs,Ge等半导体材料单晶抛光片清洗工艺技术的研究,分析得出了半导体材料单晶抛光片的清洗关键技术条件。首先用氧化性溶液将晶片表面氧化,然后用一定的方法将晶片表面的氧化物去除,从而实现对晶片进行清洗的目的。采用这种先氧化再剥离的方法,可有效去除附着在晶片表面的杂质及各种沾污物。对于不同的材料,氧化过程以及剥离过程可以在不同的溶液中相互独立地进行;也可以组合在一起,使用一种混合液同时实现氧化及剥离。采用氧化、剥离的清洗原理,可提高半导体材料抛光片的清洗工艺技术水平,同时也对新材料抛光片的清洗工艺起到一定的指导作用。 展开更多
关键词 半导体 抛光片 清洗工艺
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Ge单晶抛光片清洗技术研究 被引量：2
2
作者 杨洪星 李响 +1 位作者 刘春香 赵权 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期308-310,共3页
Ge材料具有优良的红外光学性能以及抗辐照能力,在红外光学、航天领域具有极大的应用潜力。通过对Ge单晶抛光片清洗技术进行研究,有效提高了Ge抛光片的表面质量,降低了Ge抛光片的表面颗粒度,控制了Ge抛光片的氧化层深度。研制样品的指标... Ge材料具有优良的红外光学性能以及抗辐照能力,在红外光学、航天领域具有极大的应用潜力。通过对Ge单晶抛光片清洗技术进行研究,有效提高了Ge抛光片的表面质量,降低了Ge抛光片的表面颗粒度,控制了Ge抛光片的氧化层深度。研制样品的指标,Ge抛光片表面的颗粒数不超过10个(颗粒直径大于0.3μm),氧化层深度不超过2nm。目前,国内尚无Ge单晶抛光片"免清洗"的相关检验标准。将样品直接放入外延炉生长外延,得到了较好的外延结果,可以认为Ge抛光片达到了"免清洗"的要求。 展开更多
关键词 锗 抛光片 清洗技术
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VB GaAs抛光片几何参数控制技术研究 被引量：1
3
作者 赵权 杨洪星 +2 位作者 李保军 吕菲 刘玉岭 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期964-966,共3页
在VB(垂直布里奇曼法)GaAs材料加工过程中,切割、研磨、化学腐蚀、抛光等工序对VB GaAs抛光片的几何参数有着不同程度的影响。通过试验对比,找出了影响不同几何参数指标的关键工艺,其中切割和化学腐蚀是控制VB GaAs晶片翘曲度的关键工艺... 在VB(垂直布里奇曼法)GaAs材料加工过程中,切割、研磨、化学腐蚀、抛光等工序对VB GaAs抛光片的几何参数有着不同程度的影响。通过试验对比,找出了影响不同几何参数指标的关键工艺,其中切割和化学腐蚀是控制VB GaAs晶片翘曲度的关键工艺,而抛光是控制VB GaAs总厚度变化和总指示读数的关键工艺。研究表明,通过调整切割速度、化学腐蚀速率和抛光速率等工艺参数,能够有效地控制VB GaAs抛光片的几何参数。 展开更多
关键词 几何参数 控制技术 VBGaAs 抛光片
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无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错 被引量：1
4
作者 刘云霞 周旗钢 +3 位作者 孙燕 石宇 曹孜 李惠 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期787-790,共4页
Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件。介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无C... Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件。介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无Cr腐蚀液能很好地显示氧化诱生层错,比较了无Cr腐蚀液和其他常用腐蚀液的缺陷腐蚀形貌,探讨了无Cr腐蚀液的腐蚀机理及腐蚀条件。实验发现环保的无Cr腐蚀液能很好地显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错,能应用于生产。 展开更多
关键词 氧化诱生层错 无铬腐蚀液 硅单晶 检测 抛光片
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衬底硅片质量对SDB工艺的影响研究
5
作者 张贺强 《天津科技》 2014年第11期18-19,21,共3页
硅-硅直接键合技术广泛应用于SOI、MEMS和电力电子器件工艺中,衬底抛光片的质量对键合质量及器件性能起着至关重要的影响。衬底抛光片的质量包含几何尺寸精度及表面状态质量,会影响键合过程中的界面应力,或造成键合界面空洞的产生,从而... 硅-硅直接键合技术广泛应用于SOI、MEMS和电力电子器件工艺中,衬底抛光片的质量对键合质量及器件性能起着至关重要的影响。衬底抛光片的质量包含几何尺寸精度及表面状态质量,会影响键合过程中的界面应力,或造成键合界面空洞的产生,从而影响键合质量。 展开更多
关键词 硅片 抛光片 硅硅键合 键合质量
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环境因素对锗单晶抛光片表面质量的影响
6
作者 杨洪星 王雄龙 +2 位作者 索开南 杨静 陈晨 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第11期880-885,共6页
由于Ge材料具有较为活泼的化学性质,易与环境中的氧化剂发生化学反应,使Ge单晶抛光片表面质量因表面化学组成的变化而出现恶化,降低交付可靠性。通过实验验证了在氧化性氛围中,Ge单晶抛光片表面易产生雾,且随着时间延长而逐渐增多,直至... 由于Ge材料具有较为活泼的化学性质,易与环境中的氧化剂发生化学反应,使Ge单晶抛光片表面质量因表面化学组成的变化而出现恶化,降低交付可靠性。通过实验验证了在氧化性氛围中,Ge单晶抛光片表面易产生雾,且随着时间延长而逐渐增多,直至表面完全被覆盖。从反应机理分析了Ge单晶抛光片表面可能发生的化学反应。通过X射线光电子能谱(XPS)验证了Ge单晶抛光片表面的价态发生了变化,发现Ge单晶抛光片表面发生了氧化反应。从环境因素入手,分析了净化等级和化学氛围对Ge单晶抛光片表面质量的影响,确定了Ge单晶抛光片的存放环境,保证了Ge单晶抛光片的交付可靠性。 展开更多
关键词 Ge 抛光片 净化等级 化学气氛 表面质量
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硅单晶研磨片残留损伤吸杂的研究
7
作者 栾兴伟 叶祖超 《上海有色金属》 CAS 2010年第2期82-83,共2页
研究了一种新的外吸杂方法,它不需要在硅片加工过程中特意引入另外的外吸杂工序,而是通过控制腐蚀工艺条件,将硅片正常研磨加工中形成的损伤层保留一定的厚度,从而使硅片具有外吸杂能力。
关键词 硅单晶 研磨片 吸杂 背损伤 损伤层厚度
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硅片清洗研究进展 被引量：22
8
作者 储佳 马向阳 +1 位作者 杨德仁 阙端麟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期17-19,34,共4页
综述了清洗液的组成、特点、清洗机理、对硅片表面质量的影响以及清洗技术和理论的发展：着重指出了，改进的ＲＣＡ１对颗粒度、微粗糙度和金属沾污作用的机理，讨论了它与清洗顺序的关系；极度稀释的ＲＣＡ２能使金属沾污降至１０１０... 综述了清洗液的组成、特点、清洗机理、对硅片表面质量的影响以及清洗技术和理论的发展：着重指出了，改进的ＲＣＡ１对颗粒度、微粗糙度和金属沾污作用的机理，讨论了它与清洗顺序的关系；极度稀释的ＲＣＡ２能使金属沾污降至１０１０原子／ｃｍ２以下，且不易使颗粒重新沉淀；最后介绍了清洗工艺的最新进展。 展开更多
关键词 抛光硅片 超大规格集成电路 清洗
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表面光电压法研究抛光硅片制造中铁沾污的来源 被引量：5
9
作者 罗俊一 沈益军 +4 位作者 李刚 刘培东 张锦心 包宗明 黄宜平 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第1期70-72,66,共4页
铁杂质是硅片制造过程中常见的重金属沾污 ,表面光电压 (SPV)法可很好地用于测定P型硅中铁杂质。本文通过SPV法测试不同流程制造的P型抛光硅片中的铁沾污 ,找到了在P型抛光硅片制造工艺过程中引入铁沾污的主要来源。
关键词 表面光电压法 铁杂质 抛光硅片 半导体材料
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对抛光片清洗技术的研究 被引量：4
10
作者 何良恩 凤坤 +1 位作者 唐雪林 李刚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期14-17,共4页
研究了一种新颖的添加了表面活性剂和HF的RCA的改进工艺,并和标准RCA工艺与目前被广泛采用的稀释RCA工艺进行了比较后指出,改进工艺对金属沾污和表面颗粒的有效去除能力,使0.18mm以上的颗粒能够控制在15颗以内,金属沾污能够有效降至109... 研究了一种新颖的添加了表面活性剂和HF的RCA的改进工艺,并和标准RCA工艺与目前被广泛采用的稀释RCA工艺进行了比较后指出,改进工艺对金属沾污和表面颗粒的有效去除能力,使0.18mm以上的颗粒能够控制在15颗以内,金属沾污能够有效降至109原子cm-2以下(Al略高小于1010cm-2)。 展开更多
关键词 RCA 表面活性剂 抛光硅片 清洗
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超薄锗单晶抛光片质量稳定性研究 被引量：5
11
作者 王云彪 杨洪星 +1 位作者 耿莉 郭亚坤 《中国电子科学研究院学报》 北大核心 2016年第5期527-531,共5页
P型超薄锗抛光片是制作空间太阳能电池的衬底材料,表面质量状态的稳定性控制对于后续外延及器件质量有着重要的影响。通过分析抛光工艺过程、清洗工艺过程、包装质量对稳定性的影响,首次提出了采用表面微观平坦度和表面雾值来衡量锗抛... P型超薄锗抛光片是制作空间太阳能电池的衬底材料,表面质量状态的稳定性控制对于后续外延及器件质量有着重要的影响。通过分析抛光工艺过程、清洗工艺过程、包装质量对稳定性的影响,首次提出了采用表面微观平坦度和表面雾值来衡量锗抛光片表面质量优劣和稳定性,对于提高锗抛光片加工水平和统一控制标准,具有重要的意义。 展开更多
关键词 锗抛光片 表面质量 微观平坦度 雾值 稳定性
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硅抛光片(CMP)市场和技术现状 被引量：4
12
作者 张志坚 张凡 +3 位作者 邱光文 彭茂公 王红鹰 俞琨 《云南冶金》 2012年第1期40-44,共5页
介绍了硅抛光片在硅材料产业中的定位和市场情况,化学机械抛光(CMP)技术的特点,硅抛光片大尺寸化技术问题和发展趋势,以及硅抛光片技术指标,清洗工艺组合情况等。
关键词 硅抛光片 CMP技术 清洗
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超薄硅双面抛光片抛光工艺技术 被引量：4
13
作者 赵权 杨洪星 +3 位作者 刘春香 吕菲 王云彪 武永超 《电子工业专用设备》 2011年第3期21-23,42,共4页
MEMS器件、保护电路、空间太阳电池等的制作需要使用硅双面抛光片,并且要求抛光片的厚度很薄,传统的硅抛光片加工工艺已经不能满足这一要求。介绍了一种用于超薄硅单晶双面抛光片加工的抛光工艺方法。通过对硅片抛光机理[1]、抛光方式... MEMS器件、保护电路、空间太阳电池等的制作需要使用硅双面抛光片,并且要求抛光片的厚度很薄,传统的硅抛光片加工工艺已经不能满足这一要求。介绍了一种用于超薄硅单晶双面抛光片加工的抛光工艺方法。通过对硅片抛光机理[1]、抛光方式、抛光工艺的研究和对抛光工艺试验结果的分析,解决了超薄硅单晶双面抛光片在加工过程中碎片率高、抛光片背面表面质量不易控制的技术难题,研制出了高质量的超薄硅单晶双面抛光片。 展开更多
关键词 超薄 硅双面抛光片 抛光工艺
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超薄Ge单晶抛光片机械强度控制技术 被引量：3
14
作者 赵权 杨洪星 +3 位作者 刘春香 吕菲 张伟才 王云彪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期768-771,786,共5页
Ge单晶衬底上制成的化合物太阳能电池,被越来越广泛地应用于空间太阳能领域,超薄Ge抛光的机械强度也越来越受到人们的关注。介绍了一种测试超薄Ge单晶抛光片机械强度的方法。研究了加工工艺对超薄Ge单晶抛光片机械强度的影响,同时指出... Ge单晶衬底上制成的化合物太阳能电池,被越来越广泛地应用于空间太阳能领域,超薄Ge抛光的机械强度也越来越受到人们的关注。介绍了一种测试超薄Ge单晶抛光片机械强度的方法。研究了加工工艺对超薄Ge单晶抛光片机械强度的影响,同时指出在太阳电池用超薄Ge单晶抛光片的加工过程中,切割、研磨、磨削、化学腐蚀、抛光等工序对超薄Ge单晶抛光片的机械强度均有着不同程度的影响。研究表明,通过调整磨削砂轮砂粒粒径、化学腐蚀去除厚度和抛光速率等工艺参数,能够有效控制超薄Ge单晶抛光片的机械强度。 展开更多
关键词 机械强度 锗抛光片 太阳电池 损伤层 砂轮砂粒粒径
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硅抛光片表面时间依赖性雾产生的原因分析 被引量：3
15
作者 刘云霞 史训达 +3 位作者 李俊峰 林霖 赵晶 刘卓 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第12期803-806,共4页
阐述了硅片表面时间依赖性雾(TDH)的形成过程、颗粒分布、形态以及检测方法。时间依赖性雾产生的原因包括清洗后化学液体的残留、清洗后硅片的干燥程度、片盒的洁净度和干燥度、表面金属以及硅片存放的环境(洁净度、温湿度和化学气氛)... 阐述了硅片表面时间依赖性雾(TDH)的形成过程、颗粒分布、形态以及检测方法。时间依赖性雾产生的原因包括清洗后化学液体的残留、清洗后硅片的干燥程度、片盒的洁净度和干燥度、表面金属以及硅片存放的环境(洁净度、温湿度和化学气氛)等。给出了不同的因素诱发时间依赖性雾的机理、颗粒分布、形态及消除方法。时间依赖性雾都可以用SC1湿法清洗掉。有些有时间依赖性雾的硅片用SC1洗掉后不会再产生,但对Cu引起的时间依赖性雾,硅片用SC1洗掉后,存放一段时间还会产生时间依赖性雾。 展开更多
关键词 时间依赖性雾(TDH) 金属 颗粒 硅抛光片 湿度
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刷洗对硅单晶抛光片表面质量的影响 被引量：1
16
作者 唐雪林 顾凯峰 姚保纲 《上海有色金属》 CAS 1998年第3期106-109,共4页
本文研究了用SVG-18DWC双面擦片机刷洗经RCA工艺清洗后的硅单晶抛光片表面。结果表明：经SVG-18DWC双面擦片机刷洗后，抛光片的表面颗粒有明显的减少，经WISCR－80测试Φ100mm的抛光片，表面大于0.3μm的颗粒总数小于10个／片，而抛光... 本文研究了用SVG-18DWC双面擦片机刷洗经RCA工艺清洗后的硅单晶抛光片表面。结果表明：经SVG-18DWC双面擦片机刷洗后，抛光片的表面颗粒有明显的减少，经WISCR－80测试Φ100mm的抛光片，表面大于0.3μm的颗粒总数小于10个／片，而抛光片表面的部分金属杂质沾污有明显的增加。 展开更多
关键词 硅单晶 抛光片 刷洗 擦片机 集成电路 表面质量
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太阳电池用Ge抛光片清洗技术的研究进展 被引量：2
17
作者 赵权 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期840-844,共5页
Ge抛光片作为化合物太阳电池的衬底材料已引起人们的广泛关注。制备工艺要求衬底材料的表面具有稳定的化学特性和高的清洁度,因此,Ge抛光片的清洗技术显得尤为重要。Ge在常温下既不与浓碱发生反应,也不与单一的强酸反应,其清洗机理与Si... Ge抛光片作为化合物太阳电池的衬底材料已引起人们的广泛关注。制备工艺要求衬底材料的表面具有稳定的化学特性和高的清洁度,因此,Ge抛光片的清洗技术显得尤为重要。Ge在常温下既不与浓碱发生反应,也不与单一的强酸反应,其清洗机理与Si、GaAs等材料相差较大。在实验和查阅文献的基础上,阐述了Ge抛光片的清洗机理,介绍了太阳电池用Ge抛光片表面的宏观沾污和微观沾污的清洗方法和过程、同时对Ge抛光片表面的氧化状态进行了分析。另外,还对目前国内外Ge抛光片清洗技术的研究现状及技术水平做了介绍,指出了Ge抛光片清洗技术存在的问题,并对其发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 太阳电池 Ge抛光片 清洗技术 进展
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硅溶胶抛光液对硅单晶抛光片表面质量的影响 被引量：2
18
作者 索开南 张伟才 +1 位作者 杨洪星 郑万超 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第10期788-794,共7页
硅抛光片表面质量除了受抛光工艺参数影响外,在很大程度上还受抛光液的影响。通过检测表面Haze值和粗糙度,研究硅抛光片表面形貌,分析不同抛光液对抛光片表面质量的影响,确定不同抛光阶段对抛光液的要求。研究结果表明粗抛光过程是以化... 硅抛光片表面质量除了受抛光工艺参数影响外,在很大程度上还受抛光液的影响。通过检测表面Haze值和粗糙度,研究硅抛光片表面形貌,分析不同抛光液对抛光片表面质量的影响,确定不同抛光阶段对抛光液的要求。研究结果表明粗抛光过程是以化学腐蚀为主导的化学机械平衡过程,与pH值联系紧密,与起机械摩擦作用的硅溶胶中SiO_(2)颗粒平均粒径及分布关系不大。要想获得原子级平坦的表面,精抛光液的作用非常重要,pH值对精抛光片表面的影响非常明显,必须严格控制在合理范围。如果腐蚀作用过大,则会增大表面Haze值和粗糙度;如果机械作用过大,则会在表面出现犁沟。 展开更多
关键词 硅抛光片 硅溶胶 抛光液 Haze值 粗糙度
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双面抛光晶圆干涉测量法及误差分析 被引量：1
19
作者 边小月 韩森 吴泉英 《中国光学（中英文）》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期916-932,共17页
为了实现双面抛光晶圆总厚度变化(TTV)和变形程度中弯曲度(Bow)和翘曲度(Warp)的测量,提出了一种干涉测量方法。采用两个带有标准镜的菲索式相移干涉仪对晶圆正反面同时进行测量,将测量所得晶圆正反面形貌与未放置晶圆时两个干涉仪的空... 为了实现双面抛光晶圆总厚度变化(TTV)和变形程度中弯曲度(Bow)和翘曲度(Warp)的测量,提出了一种干涉测量方法。采用两个带有标准镜的菲索式相移干涉仪对晶圆正反面同时进行测量,将测量所得晶圆正反面形貌与未放置晶圆时两个干涉仪的空腔形貌进行组合运算,可得到不受标准镜误差影响的双面抛光晶圆的表面相关参数。在组合运算中,由于两个标准镜未精确对准会产生映射误差,影响相关参数的测量结果。针对这一问题,在晶圆测量之前,将三点定位装置固定在两个标准镜之间,基于三点定圆定理不断调整两个标准镜的位置,可使映射误差极小,进而减小映射误差对测量结果的影响。实验结果表明,50 mm晶圆横向和纵向的映射误差分别为21.592μm和37.480μm,TTV、弯曲度和翘曲度分别为0.198μm、−0.326μm和1.423μm。为了进一步验证调整方法的有效性,采用单个干涉仪对晶圆进行翻转测量,由测量结果可知晶圆的TTV、弯曲度和翘曲度分别为0.208μm、−0.326μm和1.415μm。所提干涉法在调整好两个标准镜的位置后,可以方便快速的用于大批量大尺寸晶圆的测量,提高了晶圆的检测效率,同时具有较高的测量精度。 展开更多
关键词 干涉测量 双面抛光晶圆 误差分析 总厚度变化 翘曲度 弯曲度
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RZJ-304光刻胶压电雾化喷涂工艺及其应用 被引量：1
20
作者 翟荣安 缪灿锋 +2 位作者 魏顶 储成智 汝长海 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2016年第20期1070-1073,共4页
在自主搭建的压电雾化喷涂系统上,以RZJ-304正性光刻胶为研究对象,圆形抛光硅片为基材,研究了稀释体积比、预热温度以及喷涂层数对光刻胶薄膜平均厚度及均匀性的影响,并得到最佳工艺参数。以具有方形结构的抛光硅片为基材,分别进行压电... 在自主搭建的压电雾化喷涂系统上,以RZJ-304正性光刻胶为研究对象,圆形抛光硅片为基材,研究了稀释体积比、预热温度以及喷涂层数对光刻胶薄膜平均厚度及均匀性的影响,并得到最佳工艺参数。以具有方形结构的抛光硅片为基材,分别进行压电雾化喷涂法和离心旋转法涂胶,并进行图案光刻,结果表明压电雾化喷涂法可以在非圆形形貌上得到清晰完整的图案,克服了传统离心旋转法无法在非圆形面上涂胶的缺陷,验证了压电雾化喷涂法在非圆形形貌应用中的可行性。 展开更多
关键词 正性光刻胶 压电雾化喷涂 平均厚度 均匀性 抛光硅片 方形结构
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