0.18μm CMOS工艺下的新型ESD保护电路设计 被引量：7

1

作者 刘红侠 刘青山 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期867-870,926,共5页

为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路.该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件,同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速... 为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路.该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件,同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速度,使得保护电路能够及时关闭,避免箝位器件栅极电流保持过长时间,保护了箝位器件的栅极.此外,该电路采用0.18μm CMOS工艺下的普通器件,节省了电路的成本. 展开更多

关键词 静电放电 保护电路 反馈 动态传输

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人体行走电压的时域波形研究 被引量：4

2

作者 韩宇南 佘俊超 +2 位作者 POMMERENKE David 戴琳 刘博文 《电波科学学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第5期917-921,共5页

基于测试得到的人体行走电压时域波形,提出了仿真人体行走电压的等效电路模型构建方法,分析了模型参数对人体行走电压时域波形的影响.按照IEC 61340-4-5中规定的人体行走电压的测试方法,测试了不同温湿度、不同鞋、不同地板条件下,人体... 基于测试得到的人体行走电压时域波形,提出了仿真人体行走电压的等效电路模型构建方法,分析了模型参数对人体行走电压时域波形的影响.按照IEC 61340-4-5中规定的人体行走电压的测试方法,测试了不同温湿度、不同鞋、不同地板条件下,人体行走电压的时域波形.通过对大量实测人体行走电压时域波形的分析,提出了人体行走电压的等效RC电路模型,得到人体的带电量满足指数形式的充放电关系,其时间常数τ由等效电路模型的电阻R、电容C参数决定.人体行走中,人的动作引起人体电容的周期性变化,进而导致人体电压呈现周期性变化趋势.通过对比实测数据,模型与实验结果符合较好,人体动作引起的电压周期性变化一致性较好,实验具有很好的可重复性. 展开更多

关键词 静电放电 人体电压 行走电压 时域波形

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高清多媒体接口的静电放电保护设计 被引量：3

3

作者 耿建平 何学良 《测控技术》 CSCD 北大核心 2012年第11期127-130,134,共5页

通过对静电放电(ESD)保护原理的研究,合理地选取了瞬态电压抑制二极管的参数,在Multisim软件中对ESD的保护电路进行了模型仿真。利用瞬态电压抑制二极管分别设计出高清多媒体接口的最小化传输差分信号保护电路、电源保护电路以及电平转... 通过对静电放电(ESD)保护原理的研究,合理地选取了瞬态电压抑制二极管的参数,在Multisim软件中对ESD的保护电路进行了模型仿真。利用瞬态电压抑制二极管分别设计出高清多媒体接口的最小化传输差分信号保护电路、电源保护电路以及电平转换保护电路,并建立了ESD人体放电模型来对电路进行仿真分析,仿真结果表明本设计方案可行。 展开更多

关键词 高清多媒体接口 静电放电 瞬态电压抑制器 电路保护

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人体静电放电对有机发光二极管的影响 被引量：3

4

作者 张建华 陈章福 +2 位作者 徐小雪 曹进 杨连乔 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期169-174,共6页

研究了静电放电(ESD)人体模式(HBM)下的脉冲应力对有机发光二极管(OLED)的性能及寿命的影响,并讨论了相应的物理机制。对比分析了4组OLED在施加ESD放电为0,200,800,1 600 V前后的电学和光学特性,并进行了相应的寿命测试分析。研究发现,O... 研究了静电放电(ESD)人体模式(HBM)下的脉冲应力对有机发光二极管(OLED)的性能及寿命的影响,并讨论了相应的物理机制。对比分析了4组OLED在施加ESD放电为0,200,800,1 600 V前后的电学和光学特性,并进行了相应的寿命测试分析。研究发现,OLED器件的光谱对ESD不敏感,随着冲击电压的增大,由于静电打击对载流子的短期抑制效应,OLED的亮度出现轻微下降。在静电冲击电压为200 V和800 V时,伏安特性没有发生变化;当静电冲击电压增至1 600 V时,反向漏电有明显增加。后续的加速寿命实验表明,静电打击对器件的工作寿命没有明显的规律性影响,但是会一定程度提高非本质老化失效的概率。 展开更多

关键词 OLED 静电打击 寿命

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一种片上低触发电压高耐压NMOS ESD防护结构设计 被引量：2

5

作者 陈迪平 刘杏 +1 位作者 何龙 陈思园 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期115-118,共4页

设计了一种触发电压低于10 V,HBM耐压超过4kV的低触发、高耐压NMOS ESD防护结构.通过带钳位的栅耦合RC网络来适当抬升ESD泄放管栅压与衬底电压.在提高泄放能力与降低触发电压的同时,依然保持了较高的二次击穿电流It,从而增强了MOS防护... 设计了一种触发电压低于10 V,HBM耐压超过4kV的低触发、高耐压NMOS ESD防护结构.通过带钳位的栅耦合RC网络来适当抬升ESD泄放管栅压与衬底电压.在提高泄放能力与降低触发电压的同时,依然保持了较高的二次击穿电流It,从而增强了MOS防护结构在深亚微米CMOS电路中的ESD防护能力.该结构最终在CSMC HJ018工艺流片,并通过TLP测试平台测得触发电压低于10V,二次击穿电流3.5A,达到设计要求. 展开更多

关键词 esd 衬底触发 栅耦合 TLP

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0.13μm GGNMOS管的ESD特性研究 被引量：2

6

作者 郭斌 王东 姜玉稀 《电子与封装》 2009年第12期11-16,共6页

当ESD事件发生时,栅极接地NMOS晶体管是很容易被静电所击穿的。NMOS器件的ESD保护机理主要是利用该晶体管的骤回特性。文章对NMOS管的骤回特性进行了详细研究,利用特殊设计的GGNMOS管实现ESD保护器件。文章基于0.13μm硅化物CMOS工艺,... 当ESD事件发生时,栅极接地NMOS晶体管是很容易被静电所击穿的。NMOS器件的ESD保护机理主要是利用该晶体管的骤回特性。文章对NMOS管的骤回特性进行了详细研究,利用特殊设计的GGNMOS管实现ESD保护器件。文章基于0.13μm硅化物CMOS工艺,设计并制作了各种具有不同版图参数和不同版图布局的栅极接地NMOS晶体管,通过TLP测试获得了实验结果,并对结果进行了分析比较,详细讨论了栅极接地NMOS晶体管器件的版图参数和版图布局对其骤回特性的影响。通过这些试验结果,设计者可以预先估计GGNMOS在大ESD电流情况下的行为特性。 展开更多

关键词 静电泄放(esd) 栅极接地NMOS(GGNMOS) 骤回特性

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关于电容式超大触摸按键可靠性的研究与应用 被引量：2

7

作者 罗光华 于妮珂 +2 位作者 张善房 韩静波 陈红欣 《家电科技》 2021年第S01期132-137,共6页

随着人民生活水平的提高,人们对电器设备的要求也越来越高,如要求操作更便利、更美观,触摸按键作为人机交互的界面,有向大尺寸、超大尺寸发展的趋势。通过对电容式超大触摸按键的可靠性进行研究,主要包括防静电(ESD)问题、超大触摸按键... 随着人民生活水平的提高,人们对电器设备的要求也越来越高,如要求操作更便利、更美观,触摸按键作为人机交互的界面,有向大尺寸、超大尺寸发展的趋势。通过对电容式超大触摸按键的可靠性进行研究,主要包括防静电(ESD)问题、超大触摸按键的群脉冲(EFT)实验和传导抗扰度(CS)实验的抗干扰实验问题,并通过应用案例进行验证,达到了预期效果。研究结果表明:设计的超大按键防静电安装结构,能彻底解决触摸防静电问题;设计的增加抗干扰处理的软件方法,能有解决超大触摸按键在做群脉冲(EFT)实验和传导抗扰度(CS)实验时实验失效的问题。 展开更多

关键词 超大触摸按键 esd实验 群脉冲(EFT)实验 传导抗扰度(CS)实验

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工业生产中的静电防护 被引量：1

8

作者 孙丽娜 《广州化工》 CAS 2011年第16期166-167,共2页

为了加强工业生产中静电放电的安全意识,预防静电事故的发生,文章从静电的产生和防护措施等方面进行了分析与探讨,着重对工业生产中静电事故的预防提出了一些实际中的做法。

关键词 静电放电(esd) 静电防护 防护设计

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深亚微米大容量PROM芯片ESD保护技术 被引量：1

9

作者 裴国旭 邓玉良 +2 位作者 樊利慧 李晓辉 彭锦军 《电子器件》 CAS 北大核心 2014年第4期587-590,共4页

从全芯片角度出发,采用多电源ESD架构和全芯片ESD设计,对整颗芯片提供全方位的ESD保护,介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的大容量PROM芯片的ESD设计技术。同时,通过对高压编程引脚的ESD加固设计,提高了芯片的整体抗ESD能力。最终产品ESD... 从全芯片角度出发,采用多电源ESD架构和全芯片ESD设计,对整颗芯片提供全方位的ESD保护,介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的大容量PROM芯片的ESD设计技术。同时,通过对高压编程引脚的ESD加固设计,提高了芯片的整体抗ESD能力。最终产品ESD测试满足项目要求。 展开更多

关键词 静电放电(esd) 可编程只读存储器(PROM) 全芯片

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工艺参数对低压TVS器件耐压的影响 被引量：1

10

作者 陈天 谷健 郑娥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期106-111,共6页

目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入。从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响。当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6 V... 目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入。从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响。当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6 V。DP注入能量在50 ke V以下与高浓度n+区复合形成的pn结雪崩击穿耐压大于6 V;当控制基区尺寸使n+集电区与DP基区的间距大于1.2μm时击穿电压保持为7 V,但是随着n+与DP基区的间距增加,电流导通路径受到挤压变窄,在相同的反向测试电流下,器件耐压略有提升。通过对单向TVS工艺仿真优化,选择了关键工艺参数,并进行了工程实验,制备了兼具低电容和高抗ESD能力的TVS器件,保证了对主器件实施可靠的保护。 展开更多

关键词 瞬间电压抑制(TVS)二极管 击穿电压 工艺参数 静电放电(esd) 齐纳击穿

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具有ESD防护及过流保护功能的VDMOS设计

11

作者 何建 谭开洲 +6 位作者 陈光炳 徐学良 王建安 谢家雄 任敏 李泽宏 张金平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期612-616,共5页

提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计。在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功耗的特点。利用反向串联多晶硅二极管实... 提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计。在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功耗的特点。利用反向串联多晶硅二极管实现对VDMOS器件栅氧化层的ESD保护。完成了VDMOS的工艺流程设计,实现了保护电路中各子元件与主功率器件的工艺兼容。二维数值模拟表明:所设计的过流保护电路在室温下能实现38.4 A的限流能力,ESD保护能够达到2 000 V(HBM),能有效提高VDMOS在系统中的稳定性和可靠性。 展开更多

关键词 垂直导电双扩散场效应晶体管(VDMOS) 过流保护 静电放电(esd) 功率器件 可靠性

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一种基于TLP输入的系统级ESD模型分析方法（英文）

12

作者 王艺泽 王源 +1 位作者 曹健 张兴 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期293-298,共6页

基于已有的传输线脉冲发生器(TLP)与IEC 61000-4-2应力的等效关系,提出一种以TLP应力作为输入的系统级模型分析方法。与传统的IEC应力作为系统输入的分析方法相比,该方法解决了对流入待测器件(DUT)残余能量的计算不够精确的问题,同时提... 基于已有的传输线脉冲发生器(TLP)与IEC 61000-4-2应力的等效关系,提出一种以TLP应力作为输入的系统级模型分析方法。与传统的IEC应力作为系统输入的分析方法相比,该方法解决了对流入待测器件(DUT)残余能量的计算不够精确的问题,同时提高了DUT失效预测方面的精准性。通过SPICE仿真,预测了上述两种应力作为系统输入的DUT失效情况。通过相应的印制电路板(PCB)的实测验证,进一步说明新提出的方法能够提高系统级失效预测的精准性。 展开更多

关键词 静电放电 传输线脉冲测试 静电枪 残余能量

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测量船静电防护改造相关问题的研究

13

作者 杨洋 陈薇 +1 位作者 逯颖 刘佳佳 《宇航计测技术》 CSCD 2014年第2期83-86,共4页

通过对静电产生途径的分析,针对测量船存在的静电隐患,根据抑制静电积累、构建静电释放通道、规范人员操作行为的静电防护原则,对测量船静电防护改造方法进行研究,提出了在人员、设备、接地系统以及环境等方面有效的防静电措施。

关键词 测量船 静电防护 静电敏感度

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提高集成电路ESD防护能力的仿真方法 被引量：2

14

作者 李松 曾传滨 +1 位作者 罗家俊 韩郑生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期776-780,共5页

为解决集成电路的全芯片静电防护设计中寄生电阻导致的防护空间压缩问题,提出了一种实用的能够在版图设计过程中提高集成电路静电放电(ESD)防护能力的仿真方法,用于评估和控制ESD电流通路上的寄生电阻,辅助ESD防护设计,预估器件静电防... 为解决集成电路的全芯片静电防护设计中寄生电阻导致的防护空间压缩问题,提出了一种实用的能够在版图设计过程中提高集成电路静电放电(ESD)防护能力的仿真方法,用于评估和控制ESD电流通路上的寄生电阻,辅助ESD防护设计,预估器件静电防护等级。详细介绍了仿真方法的原理和流程,以0.18μm SOI CMOS工艺制造的静态随机存储器电路为仿真和实验对象,应用此仿真方法,统计寄生电阻值,优化ESD防护设计,并进行ESD测试,记录未优化样品和优化样品的失效电压。通过对比寄生电阻和失效电压,证明降低寄生电阻可获得更好的ESD防护性能,而且器件失效电压和关键寄生电阻值R Vdd之间存在近似线性反比关系。 展开更多

关键词 全芯片静电放电防护设计 静电放电防护空间 寄生电阻 版图设计 静电放电测 试

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一种数字芯片故障检测仪设计 被引量：1

15

作者 华国环 徐瀚文 +1 位作者 桑春洋 张文锋 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2022年第1期80-84,100,共6页

设计了一款数字芯片故障检测仪,该检测仪能够方便、快捷地分析芯片的故障,并准确定位芯片的故障引脚。所设计的检测仪利用芯片内部各引脚的静电泄放保护机制,配合霍尔电流线圈检测芯片的短路和开路故障。同时根据芯片的功能定义,由MCU... 设计了一款数字芯片故障检测仪,该检测仪能够方便、快捷地分析芯片的故障,并准确定位芯片的故障引脚。所设计的检测仪利用芯片内部各引脚的静电泄放保护机制,配合霍尔电流线圈检测芯片的短路和开路故障。同时根据芯片的功能定义,由MCU产生相应的激励信号,通过芯片的输出响应是否正确判断其有无逻辑故障,并且通过电脑端和液晶屏实时显示检测结果。测试结果表明,该检测仪的准确率高达99.6%,待机功耗只有0.36 W,具有小型化便携式特点。 展开更多

关键词 数字逻辑芯片 静电放电保护 故障字典 检测故障

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I^(2)C总线热插拔缓冲器的超高ESD能力评估 被引量：1

16

作者 李孝远 刘云龙 +3 位作者 孙博文 李达 王志铭 樊利慧 《工业技术创新》 2021年第4期89-93,共5页

在现行HBM通用标准中,对具有超高静电释放(ESD)能力(≥8 kV HBM)的总线热插拔类产品,缺乏细化的ESD等级测试标准,给实际产品选型设计、ESD能力评估等带来了困难和风险。基于此,以具有10 kV HBM的I^(2)C总线热插拔缓冲器LTC4301为研究对... 在现行HBM通用标准中,对具有超高静电释放(ESD)能力(≥8 kV HBM)的总线热插拔类产品,缺乏细化的ESD等级测试标准,给实际产品选型设计、ESD能力评估等带来了困难和风险。基于此,以具有10 kV HBM的I^(2)C总线热插拔缓冲器LTC4301为研究对象,制定了超高ESD能力产品评估方案,并进行了样品ESD测试。测试发现:1)器件全管脚ESD能力约为4.5 kV HBM,当电压超过4.5 kV HBM时,器件总线端口对电源VCC的测试率先失效;2)总线端口对地ESD能力约为8 kV HBM,且存在端口漏电参数超标的问题;3)结合ESD结构补充分析,表明所测试器件未达到给定的10 kV HBM指标,未通过超高ESD能力评估。在对该类器件进行具有超高ESD要求的热插拔应用时,应充分考虑总线端口对电源VCC的失效问题,以及GGNMOS被击穿、寄生反向二极管漏电的风险。若有必要,需在外部加装ESD泄电防护器件。 展开更多

关键词 LTC4301 热插拔 超高静电释放(esd)能力 10 kV HBM 总线端口 HBM通用标准

原文传递

LCD-ITO膜层导致ESD研究及改善

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作者 黄琛 张幼莲 《光电技术应用》 2021年第4期51-54,共4页

ESD是LCD生产过程中经常会遇到的问题,生产过程中的各个环节都有可能产生静电放电现象。文中结合LCD生产过程中遇到的实际情况,对静电产生的原因展开认真研究。通过理论分析和实验验证,当ITO膜层表面结晶存在很多尖峰的时候,由于微电产... ESD是LCD生产过程中经常会遇到的问题,生产过程中的各个环节都有可能产生静电放电现象。文中结合LCD生产过程中遇到的实际情况,对静电产生的原因展开认真研究。通过理论分析和实验验证,当ITO膜层表面结晶存在很多尖峰的时候,由于微电产和电势差的原因,很容易出现静电放电现象、烧伤甚至烧断ITO走线。根据试验验证了靶材使用时间、温度和气氛工艺,结果发现,气氛工艺的调整是有效解决ESD问题的方法。通过气氛工艺的调整,LCD的ESD测试性能达到了目标要求,生产的ESD不良比例从18.9%下降到了0.002%以下,通过改善提高了产品品质,降低了生产成本,取得了很好的经济效益。 展开更多

关键词 esd ITO烧伤 ITO表面形貌 气氛工艺

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