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电力系统电磁暂态仿真IGBT详细建模及应用 被引量:27
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作者 沈卓轩 姜齐荣 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2020年第2期235-247,共13页
在电力系统电磁暂态离线和实时仿真中,以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)为代表的全控型电力电子器件常采用理想开关模型。IGBT器件在交直流变换器、直流断路器中获得了广泛的应用,器件的运行状态会对系统暂态过程产生影响,而系统的暂态过程... 在电力系统电磁暂态离线和实时仿真中,以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)为代表的全控型电力电子器件常采用理想开关模型。IGBT器件在交直流变换器、直流断路器中获得了广泛的应用,器件的运行状态会对系统暂态过程产生影响,而系统的暂态过程也会增加器件的电压、电流应力,严重时可能造成器件损坏,进而影响整个设备及系统的安全可靠运行。基于理想开关模型的电磁暂态仿真无法准确模拟暂态过程中该器件的特性及其受到的应力。研究系统电路、器件及其控制之间的动态相互作用,就对电磁暂态仿真中IGBT准确建模提出了更高的要求。近年来,多种IGBT详细模型和解耦方法被提出,并被应用在离线及实时电磁暂态仿真中。得益于高性能计算设备的快速发展,详细模型可高效应用于含有大量IGBT器件的交直流系统仿真中。文中对不同类型建模方法进行归纳,分析其功能、计算复杂度和准确度,并详细介绍了系统解法、并行算法与仿真平台等方面内容。另外,还举例介绍了IGBT详细建模的应用场景,分析了在建模、系统解法、并行算法及应用领域等方面的难点与限制,并提出了相应的建议。 展开更多
关键词 电磁暂态仿真 电力系统 绝缘栅双极型晶体管 器件模型 模块化多电平变换器
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双向竖井贯流泵站模型泵装置模型试验 被引量:15
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作者 陈容新 关醒凡 +1 位作者 王伟 陆伟刚 《排灌机械》 2007年第1期33-37,共5页
按照流体力学相似原理建立了黄麻涌双向竖井贯流泵站流道的装置模型,试验测定了模型泵装置在指定叶片角度下运行的装置综合特性曲线,将泵装置综合特性曲线换算成原型泵的特性曲线,同时试验测定在不同工况运行状态下的汽蚀性能,并观察进... 按照流体力学相似原理建立了黄麻涌双向竖井贯流泵站流道的装置模型,试验测定了模型泵装置在指定叶片角度下运行的装置综合特性曲线,将泵装置综合特性曲线换算成原型泵的特性曲线,同时试验测定在不同工况运行状态下的汽蚀性能,并观察进出水流道的流态,得到了汽蚀性能结果,提出了建设泵站的注意事项和相应的改进措施。 展开更多
关键词 贯流泵 竖井 双向 装置模型 模型泵
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Linux2.6内核设备模型分析 被引量:5
3
作者 李正平 徐超 +1 位作者 陈军宁 代广珍 《计算机技术与发展》 2007年第3期141-143,共3页
Linux2.6内核提供了统一的内核设备模型,能够更好地支持智能电源管理、热拔插和pnp,具有优良的适应性。基于Linux2.6.10内核源代码,介绍了2.6内核中的设备模型,详细分析了构成设备模型的主要数据结构和组件,重点分析了内核对象机制的基... Linux2.6内核提供了统一的内核设备模型,能够更好地支持智能电源管理、热拔插和pnp,具有优良的适应性。基于Linux2.6.10内核源代码,介绍了2.6内核中的设备模型,详细分析了构成设备模型的主要数据结构和组件,重点分析了内核对象机制的基本原理以及构建在内核对象机制上的设备模型组件。 展开更多
关键词 LINUX 2.6内核 设备模型 kohject
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多能源混合微网容量优化配置研究综述 被引量:11
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作者 邢鹏翔 张世泽 +2 位作者 曾梦迪 王义 吴优 《武汉大学学报(工学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期375-383,共9页
多能源混合微网的容量优化配置是合理利用可再生能源、保障系统供电稳定性、可靠性和经济性的前提.总结了微网系统容量优化配置的一般方法,对常用于微网系统中的风力发电机、光伏、柴油发电机和蓄电池储能系统的数学模型进行了论述,并... 多能源混合微网的容量优化配置是合理利用可再生能源、保障系统供电稳定性、可靠性和经济性的前提.总结了微网系统容量优化配置的一般方法,对常用于微网系统中的风力发电机、光伏、柴油发电机和蓄电池储能系统的数学模型进行了论述,并介绍了蓄电池储能系统的寿命评估方法;列举了微网容量优化的约束条件和目标函数,以及应用于优化计算的人工智能算法,并对已开发应用的微网系统容量优化配置软件进行了介绍. 展开更多
关键词 微网 优化配置 元件模型 约束条件 目标函数
原文传递
通用自动测试系统模型化设计 被引量:8
5
作者 申莉 沈士团 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期794-798,共5页
针对通用测试系统对系统统一模型的迫切需求以及目前ATE(AutomaticTest Equipment)模型化设计的不足,基于信号建立了一套完整、有效的ATE系统模型.此模型将ATE系统的硬件资源以及UUT(Unit Under Test)均进行了模型化处理.提出了基于TFF(... 针对通用测试系统对系统统一模型的迫切需求以及目前ATE(AutomaticTest Equipment)模型化设计的不足,基于信号建立了一套完整、有效的ATE系统模型.此模型将ATE系统的硬件资源以及UUT(Unit Under Test)均进行了模型化处理.提出了基于TFF(Test Foundation Framework)的基本信号模型;提出了完全基于信号的仪器驱动模型;提出了基于测试与诊断相结合思想的UUT模型;提出了基于模型间信息共享的思想和路径以逻辑开关描述思想的路径模型.该模型体系为系统资源配置、仪器可互换、测试程序自动生成以及故障诊断提供了强有力的模型基础,从而大大加快了ATE的设计过程,从很大程度上降低了开发成本. 展开更多
关键词 自动测试 模型 基于信号 仪器设备模型 路径模型 UUT模型
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基于回波替代的毫米波矢量网络测试校准方法 被引量:10
6
作者 苏江涛 郭庭铭 +2 位作者 杨保国 王翔 郑兴 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期77-84,共8页
毫米波频段矢量网络测试是射频半导体器件建模和电路设计中不可缺少的环节。提出了一种新型的旨在提高毫米波频段测试精度的校准方法。该方法通过反向注入回波的方式来降低毫米波频段矢量校准中传输线原始测量数据的不确定性,进而降低... 毫米波频段矢量网络测试是射频半导体器件建模和电路设计中不可缺少的环节。提出了一种新型的旨在提高毫米波频段测试精度的校准方法。该方法通过反向注入回波的方式来降低毫米波频段矢量校准中传输线原始测量数据的不确定性,进而降低了校准过程中对校准件精度的要求,获得了更具鲁棒性的校准误差模型参数。基于国产AV3672矢量网络分析仪在1~50 GHz内对该校准方法相较于传统校准方法的有效性进行了验证。采用这种方法校准后,直通校准件的S_(21)测试误差下降至0.02 dB,短路校准件S_(11)误差下降至-50 dB。实验结果证明,该方法在不依赖于昂贵的附加仪器仪表设备的同时,明显提升了毫米波矢量测试精度,而且算法复杂度并没有急剧增加,具备极强的实用性和通用性。 展开更多
关键词 校准技术 毫米波测试 在片测试系统 矢量网络分析仪 器件模型
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ESD应力下的NMOSFET模型 被引量:8
7
作者 路香香 姚若河 罗宏伟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期842-847,共6页
随着现代集成电路的集成度越来越高,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)己成为电路失效一个不可忽视的原因。对电路级ESD的可靠性进行模拟是一个重要的研究课题。给出了在ESD应力下的NMOSFET模型,重点讨论了雪崩击穿区、瞬间回落区... 随着现代集成电路的集成度越来越高,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)己成为电路失效一个不可忽视的原因。对电路级ESD的可靠性进行模拟是一个重要的研究课题。给出了在ESD应力下的NMOSFET模型,重点讨论了雪崩击穿区、瞬间回落区,以及二次击穿区的物理过程及其数学描述。 展开更多
关键词 静电保护 NMOSFET 半导体器件 器件模型
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消防系统在群智能建筑平台下的仿真实验研究 被引量:7
8
作者 刘夕广 谢立强 +3 位作者 杨启亮 邢建春 姜子炎 赵千川 《建筑科学》 CSCD 北大核心 2020年第4期149-154,共6页
群智能建筑平台以其扁平化、无中心的系统架构,不仅具有自组织、自识别能力,更可通过并行计算搭载丰富的智能算法。为了实现消防系统在群智能建筑平台下的应用,本文搭建了群智能建筑仿真平台,构建了消防设备的仿真模型,设计了在仿真平... 群智能建筑平台以其扁平化、无中心的系统架构,不仅具有自组织、自识别能力,更可通过并行计算搭载丰富的智能算法。为了实现消防系统在群智能建筑平台下的应用,本文搭建了群智能建筑仿真平台,构建了消防设备的仿真模型,设计了在仿真平台下运行的消防系统应用程序,通过模拟某建筑的消防系统运行规律,验证了消防系统在群智能建筑平台下运行的有效性,为消防系统的智能化应用奠定了基础。 展开更多
关键词 群智能建筑 仿真实验 消防系统 信息模型 设备模型
原文传递
FinFET/GAAFET/CFET纳电子学的研究进展
9
作者 赵正平 《电子与封装》 2024年第8期76-97,共22页
集成电路延续摩尔定律的发展正在从鳍栅场效应晶体管(FinFET)纳电子学时代向原子水平上的埃(?魡)时代转变。综述了该转变阶段的三大创新发展热点,FinFET、环栅场效应晶体管(GAAFET)和互补场效应晶体管(CFET)纳电子学的发展历程和最新进... 集成电路延续摩尔定律的发展正在从鳍栅场效应晶体管(FinFET)纳电子学时代向原子水平上的埃(?魡)时代转变。综述了该转变阶段的三大创新发展热点,FinFET、环栅场效应晶体管(GAAFET)和互补场效应晶体管(CFET)纳电子学的发展历程和最新进展。在FinFET纳电子领域综述并分析了当今Si基CMOS集成电路的发展现状,包含覆盖了22 nm、14 nm、10 nm、7 nm和5 nm 5个发展代次的创新特点和3 nm技术节点的创新和应用。在GAAFET纳电子学领域综述并分析了各类GAAFET的结构创新,2 nm技术节点的关键技术突破,3 nm技术节点的多桥沟道场效应晶体管技术平台创新与应用,以及GAAFET有关工艺、器件结构、电路和材料等方面的创新。在CFET纳电子学领域综述并分析了CFET技术在器件模型、堆叠工艺、单胞电路设计和三维集成等方面的创新,展现出CFET超越2 nm技术节点的发展新态势。 展开更多
关键词 FINFET GAAFET CFET 器件模型 工艺 电路设计 3D集成 智能移动终端
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油气管道高速总线网络设备模型研究与实现
10
作者 黄忠胜 黄易 +2 位作者 吕峰 丁建辉 张晓玲 《中国仪器仪表》 2024年第5期27-32,共6页
针对目前油气管道现场层网络通信带宽低、时延差及组网复杂的现状,以及油气管道智能化管理的需求,在油气管道现场层网络中引入IEC 61158 Type 28宽带现场总线国际标准技术,以提高数据通信的带宽和实时性,并实现多业务数据融合通信。根... 针对目前油气管道现场层网络通信带宽低、时延差及组网复杂的现状,以及油气管道智能化管理的需求,在油气管道现场层网络中引入IEC 61158 Type 28宽带现场总线国际标准技术,以提高数据通信的带宽和实时性,并实现多业务数据融合通信。根据油气管道网络工程的实际应用,基于该宽带现场总线提出了一种新型的油气管道高速总线(PHB)标准技术,用于指导用户进行新型油气管道网络工程实施和业务部署。本文对PHB网络中的3种设备模型:主站、从站和代理,以及基于该设备模型的单环形和双环形总线网络模型等内容进行研究,并通过撬装平台验证了设备模型方案的可行性与可靠性。 展开更多
关键词 宽带总线 PHB 设备模型 代理
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双极型压控晶体管模型及原理 被引量:4
11
作者 曾云 颜永红 +2 位作者 陈迪平 曾健平 冯辉煜 《微细加工技术》 EI 1997年第3期63-65,共3页
本文提出一种新的双极型压控晶体管模型,并说明其工作原理。这种器件有两种载流子参与导电,有较大的电流密度和功率,导电能力又受电压控制,具有较大的输入阻抗,兼有双极器件和MOS场效应器件的特点。
关键词 晶体管 模型 BJT 双极型 压控晶体管
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适合器件设计和电路模拟的SiGe基区HBT物理模型 被引量:4
12
作者 颜渝瑜 钱晓州 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期232-242,共11页
提出了一个模拟SiCe基区HBT器件特性的物理模型,在基区部分考虑了发射结处的价带不连续、大注入效应、Ge组份变化及重掺杂效应引起的能带变化的影响;在集电区分析时考虑了基区推出效应、载流子速度饱和效应、电流引起的空间... 提出了一个模拟SiCe基区HBT器件特性的物理模型,在基区部分考虑了发射结处的价带不连续、大注入效应、Ge组份变化及重掺杂效应引起的能带变化的影响;在集电区分析时考虑了基区推出效应、载流子速度饱和效应、电流引起的空间电荷区效应以及准饱和效应。在此基础上给出了SiGe基区HBT器件的电流和电荷公式。同时开发了SiGe基区HBT的直流瞬态模型和小信号模型。利用修改的SPICE程序模拟了实际SiGe基区HBT的器件和电路,通过同实际测量结果的比较,验证了模型的精确性。 展开更多
关键词 半导体器件 HBT 异质结晶体管 器件模型
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Linux输入子系统在触摸屏驱动上的实现 被引量:5
13
作者 於琪建 张海峰 《机电工程》 CAS 2009年第3期32-34,101,共4页
为了简化传统Linux驱动程序设计及便于对驱动模块的管理与维护,采用了基于内核对象的输入子系统,完成了Linux设备驱动框架,改进了传统基于文件操作接口的驱动程序设计方法,提出了只需向系统报告输入事件的开发方法,并顺利地实现了触摸... 为了简化传统Linux驱动程序设计及便于对驱动模块的管理与维护,采用了基于内核对象的输入子系统,完成了Linux设备驱动框架,改进了传统基于文件操作接口的驱动程序设计方法,提出了只需向系统报告输入事件的开发方法,并顺利地实现了触摸驱动的开发。试验结果表明,该驱动运行稳定并能精确控制触摸屏。 展开更多
关键词 设备驱动 设备模型 输入子系统 触摸屏
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基于BSIM3的超深亚微米器件建模及模型参数提取 被引量:4
14
作者 陈松涛 刘晓彦 +1 位作者 杜刚 韩汝琦 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期406-411,共6页
对适用于超深亚微米电路模拟的 MOSFET器件模型进行了研究 ,完成计入量子效应、多晶硅耗尽效应等基于 BSIM3的 MOSFET模型。针对阈值电压模型以及 I- V模型中的参数编写了模型参数提取程序 ,采用最小二乘法原理 ,并采用麦夸脱算法以降... 对适用于超深亚微米电路模拟的 MOSFET器件模型进行了研究 ,完成计入量子效应、多晶硅耗尽效应等基于 BSIM3的 MOSFET模型。针对阈值电压模型以及 I- V模型中的参数编写了模型参数提取程序 ,采用最小二乘法原理 ,并采用麦夸脱算法以降低参数提取结果对初值的依赖 ,对已有参数进行了修正。模型以及参数提取结果都分别进行了验证。 展开更多
关键词 BSIM3 超深亚微米器件 器件模型 参数提取 微电子技术
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InGaAs/InP SAGCM-APD的器件模型及其数值模拟 被引量:4
15
作者 高新江 张秀川 陈扬 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期617-622,共6页
基于泊松方程和载流子连续性方程,导出了InGaAs/InP SAGCM-APD(吸收、渐变、电荷、倍增层分离结构雪崩光电二极管)特性的数学模型,利用数值计算工具对其进行了数值模拟,得到了APD内部电场分布、增益特性、暗电流特性、过剩噪声和增益带... 基于泊松方程和载流子连续性方程,导出了InGaAs/InP SAGCM-APD(吸收、渐变、电荷、倍增层分离结构雪崩光电二极管)特性的数学模型,利用数值计算工具对其进行了数值模拟,得到了APD内部电场分布、增益特性、暗电流特性、过剩噪声和增益带宽特性等的数值结果。模拟结果与实际器件特性测量结果相符合,表明运用该模型与数值模拟方法可对不同结构参数的InGaAs/InP SAGCM-APD进行结构设计、工艺改进和特性分析。 展开更多
关键词 INGAAS/INP SAGCM—APD 器件模型 数值模拟 器件特性
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通用测试系统资源描述模型研究 被引量:3
16
作者 孟文龙 陈明 《测控技术》 CSCD 2006年第12期51-53,57,共4页
面向信号软件结构是通用自动测试系统软件的发展方向,面向信号软件中使用的是虚拟资源,系统必须通过测试资源描述进行资源配置,才能驱动测试设备完成测试任务。分析了测试资源描述的设备模型、适配器模型、系统配置模型以及测试系统资... 面向信号软件结构是通用自动测试系统软件的发展方向,面向信号软件中使用的是虚拟资源,系统必须通过测试资源描述进行资源配置,才能驱动测试设备完成测试任务。分析了测试资源描述的设备模型、适配器模型、系统配置模型以及测试系统资源配置过程,并在实践中进行了应用。 展开更多
关键词 通用测试系统 测试资源描述 设备模型 适配器模型 配置模型
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一个适用于模拟电路的深亚微米SOIMOSFET器件模型 被引量:1
17
作者 廖怀林 张兴 +1 位作者 黄如 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期329-334,共6页
从数值解源端和饱和点的表面电势出发 ,考虑模拟电路对 SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间连续并且高阶可导以及全耗尽和部分耗尽两种工作模式的转变 ,构建了一个能够满足这些要求的精确的器件模... 从数值解源端和饱和点的表面电势出发 ,考虑模拟电路对 SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间连续并且高阶可导以及全耗尽和部分耗尽两种工作模式的转变 ,构建了一个能够满足这些要求的精确的器件模型 .同时包含了深亚微米 SOI MOSFET的一些二级效应如漏极诱生势垒降低效应 (DIBL )、速度饱和效应、自热效应等 .这个模型的参数相对较少并且精确连续 。 展开更多
关键词 深亚微米器件 模拟电路 SOI MOSFET 模型
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协作型虚拟机中设备虚拟化研究 被引量:3
18
作者 赵玉春 郭玉东 +1 位作者 王晓睿 卢建平 《计算机工程》 CAS CSCD 2012年第14期283-286,共4页
针对当前系统虚拟化中设备模型难以通用、I/O执行效率低等问题,提出一种基于多核平台的设备虚拟化方案。将传统的消息式I/O处理转换成实时I/O处理,通过I/O传递协议消除I/O处理部件与虚拟机监控器(VMM)的紧耦合,在改善I/O处理效率的同时... 针对当前系统虚拟化中设备模型难以通用、I/O执行效率低等问题,提出一种基于多核平台的设备虚拟化方案。将传统的消息式I/O处理转换成实时I/O处理,通过I/O传递协议消除I/O处理部件与虚拟机监控器(VMM)的紧耦合,在改善I/O处理效率的同时,提高设备虚拟化模型的通用性,结合协作型VMM完成对设备虚拟化的设计与实现。测试结果表明,该方案能提升I/O执行效率,适用于多种虚拟化系统。 展开更多
关键词 虚拟化 设备模型 协作模型 I/O分发 设备仿真 虚拟中断
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14 nm FinFET栅围寄生电容的建模与拟合 被引量:4
19
作者 郑芳林 任佳琪 +3 位作者 刘程晟 李小进 石艳玲 孙亚宾 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第5期706-709,共4页
提出了一种基于保角映射方法的14nm鳍式场效应晶体管(FinFET)器件栅围寄生电容建模的方法。对FinFET器件按三维几何结构划分寄生电容的种类,再借助坐标变换推导出等效电容计算模型,准确表征了不同鳍宽、鳍高、栅高和层间介质材料等因素... 提出了一种基于保角映射方法的14nm鳍式场效应晶体管(FinFET)器件栅围寄生电容建模的方法。对FinFET器件按三维几何结构划分寄生电容的种类,再借助坐标变换推导出等效电容计算模型,准确表征了不同鳍宽、鳍高、栅高和层间介质材料等因素对寄生电容的依赖关系。为了验证该寄生电容模型的准确性,对不同结构参数的寄生电容进行三维TCAD仿真。结果表明,模型计算结果与仿真结果的拟合度好,准确地反映了器件结构与寄生电容之间的依赖关系。 展开更多
关键词 鳍式场效应晶体管 TCAD 寄生电容 器件模型
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超薄柔性硅CMOS器件及无源元件性能退化仿真研究
20
作者 杨洪 张正元 +2 位作者 陈仙 易孝辉 陈文锁 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第1期139-145,共7页
基于150 mm 0.35μm CMOS工艺,利用Silvaco TCAD软件,针对50μm厚硅基上NMOS与PMOS器件、多晶硅-介电层-多晶硅(PIP)电容和N+型多晶硅电阻,在单轴状态不同弯曲半径下,仿真了压缩与拉伸对器件电学参数变化的影响程度。结果表明,单轴拉伸... 基于150 mm 0.35μm CMOS工艺,利用Silvaco TCAD软件,针对50μm厚硅基上NMOS与PMOS器件、多晶硅-介电层-多晶硅(PIP)电容和N+型多晶硅电阻,在单轴状态不同弯曲半径下,仿真了压缩与拉伸对器件电学参数变化的影响程度。结果表明,单轴拉伸与压缩弯曲使NMOS的阈值电压最大漂移0.46 mV,使PMOS阈值电压最大漂移0.33 mV。漏极电流随变形量线性变化,NMOS压缩时系数为-0.13295,NMOS拉伸时系数为0.00601。PMOS拉伸时系数为-0.10447,PMOS压缩时系数为-0.1107。电阻阻值随变形量呈线性变化,当掺杂浓度分别为1×10^(19),2×10^(19),3×10^(19),4×10^(19),5×10^(19)时,系数分别为247,498,766,1016,1301。电容最大变化值和初始值不超过0.5%,结论归纳为无失配影响。这些结果与实验吻合,验证了模型的正确性,为研制降低退化的柔性硅基集成电路打下基础。 展开更多
关键词 超薄 柔性 硅基 弯曲 器件模型
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