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微纳金属光学结构制备技术及应用 被引量：21
1
作者 谢常青 朱效立 +5 位作者 牛洁斌 李海亮 刘明 陈宝钦 胡媛 史丽娜 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期243-250,共8页
微纳光学结构制备技术一直是微纳光子学器件发展的技术瓶颈。针对微纳光学结构制备技术向小尺寸、高精度和广泛应用发展的趋势,报道了基于电子束、X射线和接近式光学的混合光刻制作微纳金属光学结构技术。针对微纳光子学器件复杂图形开... 微纳光学结构制备技术一直是微纳光子学器件发展的技术瓶颈。针对微纳光学结构制备技术向小尺寸、高精度和广泛应用发展的趋势,报道了基于电子束、X射线和接近式光学的混合光刻制作微纳金属光学结构技术。针对微纳光子学器件复杂图形开发了微光刻数据处理体系,基于矢量扫描电子束光刻设备在自支撑薄膜上进行1×高分辨率图形形成,利用X射线光刻进行高高宽比微纳图形复制,再利用低成本接近式光学光刻技术进行金属加强筋制作。还报道了自支撑X射线金光栅衍射效率和抗振测试结果。 展开更多
关键词 光学制造 微纳光学结构 电子束光刻 x射线光刻 自支撑薄膜
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软X射线透射光栅制作技术 被引量：13
2
作者 徐向东 洪义麟 +4 位作者 霍同林 朱向冰 周红军 陶晓明 傅绍军 《光学技术》 CAS CSCD 2001年第4期294-296,共3页
金透射光栅广泛用于真空紫外、X射线、物质波的衍射和光谱测量。分别介绍了美国麻省理工学院空间微结构实验室和中国科学技术大学国家同步辐射实验室的透射光栅制作技术及其新进展。麻省理工学院空间微结构实验室为完成 AXAF巨型空间天... 金透射光栅广泛用于真空紫外、X射线、物质波的衍射和光谱测量。分别介绍了美国麻省理工学院空间微结构实验室和中国科学技术大学国家同步辐射实验室的透射光栅制作技术及其新进展。麻省理工学院空间微结构实验室为完成 AXAF巨型空间天文台上的高能透射光栅谱仪经历了近 2 0年的发展 ,其光栅制作工艺日趋成熟 ,代表了当前世界最高水平。中国科学技术大学国家同步辐射实验室为了满足惯性约束核聚变实验研究的需要 ,在国内较早地开展了透射光栅的研制工作 。 展开更多
关键词 透射光栅 x射线光刻 全息光刻 光刻胶
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纳米光刻技术 被引量：10
3
作者 罗先刚 姚汉民 +2 位作者 严佩英 陈旭南 冯伯儒 《物理》 CAS 2000年第6期358-360,共3页
纳米科学技术将成为新世纪信息时代的核心 .纳米量级结构作为研究微观量子世界的重要基础之一 ,其制作技术是整个纳米技术的核心基础 ,已成为当前世界科学研究急需解决的问题 .文章针对目前的科技发展情况 ,介绍了几种纳米光刻技术的实... 纳米科学技术将成为新世纪信息时代的核心 .纳米量级结构作为研究微观量子世界的重要基础之一 ,其制作技术是整个纳米技术的核心基础 ,已成为当前世界科学研究急需解决的问题 .文章针对目前的科技发展情况 ,介绍了几种纳米光刻技术的实现新途径、发展现状和关键问题 .详细阐述了波前工程、电子束光刻、离子束光刻、X射线光刻、原子光刻、干涉光刻、极紫外光刻以及 15 7光刻的原理和实现难点 .作为下一代各种光刻技术 ,它们都有望实现纳米量级的图形 ,但各种技术可实现的分辨力极限有所不同 .5 0nm以上分辨力可以用 193nm光刻结合波前工程和干涉光刻实现 .5 0nm左右的分辨力可用极紫外光刻、15 7光刻和 12 6nm光刻实现 .而电子束光刻、离子束光刻、X射线光刻、原子光刻则可望实现几个纳米的分辨力 .但是这些技术的完善还有待于诸如光学系统、抗蚀剂、精密控制等等相关技术的成熟 .文章还讨论了纳米光刻技术的应用前景 . 展开更多
关键词 纳米光刻 波前工程 电子束光刻 离子事光刻
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3333lp/mm X射线透射光栅的研制 被引量：11
4
作者 朱效立 马杰 +5 位作者 谢常青 叶甜春 刘明 曹磊峰 杨家敏 张文海 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1026-1030,共5页
针对X射线透射光栅摄谱仪中的高线密度光栅,研究了采用电子束曝光和X射线曝光技术结合制作高线密度X射线透射光栅的工艺技术。首先利用电子束曝光和微电镀技术在镂空的薄膜上制备母光栅X射线掩模版,然后利用X射线曝光和微电镀技术小批... 针对X射线透射光栅摄谱仪中的高线密度光栅,研究了采用电子束曝光和X射线曝光技术结合制作高线密度X射线透射光栅的工艺技术。首先利用电子束曝光和微电镀技术在镂空的薄膜上制备母光栅X射线掩模版,然后利用X射线曝光和微电镀技术小批量复制光栅。在国内首次完成了3333lp/mm X射线透射光栅的研制,栅线宽度为150nm,周期为300nm,金吸收体厚度为500nm。衍射效率标定的结果表明,该光栅的占空比合理、侧壁陡直,具有良好的色散特性,能够满足空间探测、同步辐射和变等离子诊断等多个领域的应用。 展开更多
关键词 x射线透射光栅 电子束光刻 x射线光刻 高线密度光栅
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高线密度X射线透射光栅的制作工艺 被引量：12
5
作者 朱效立 马杰 +9 位作者 曹磊峰 杨家敏 谢常青 刘明 陈宝钦 牛洁斌 张庆钊 姜骥 赵珉 叶甜春 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2006-2010,共5页
采用电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术,成功制作了面积为10mm×0.5mm,周期为500nm,占空比为1∶1,金吸收体厚度为430nm的可用于X射线衍射的大面积透射光栅.首先利用电子束光刻和微电镀技术制备基于镂空薄膜结构的X射线光刻掩模,然... 采用电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术,成功制作了面积为10mm×0.5mm,周期为500nm,占空比为1∶1,金吸收体厚度为430nm的可用于X射线衍射的大面积透射光栅.首先利用电子束光刻和微电镀技术制备基于镂空薄膜结构的X射线光刻掩模,然后利用X射线光刻经济、高效地复制X射线透射光栅.整个工艺流程分别利用了电子束光刻分辨率高和X射线光刻效率高的优点,并且可以得到剖面陡直的纳米级光栅线条.最后,测量了制作出的X射线透射光栅对波长为11nm同步辐射光的衍射峰,实验结果表明该光栅具有良好的衍射特性. 展开更多
关键词 电子束光刻 透射光栅 x射线光刻 x射线衍射光学元件
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下一代光刻技术的设备 被引量：7
6
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2004年第10期35-38,共4页
下一代光刻技术是指≤32nm工艺节点的光刻技术。介绍了下一代光刻技术与设备,包括X射线光刻技术、极紫外线光刻技术和纳米压印光刻技术等。
关键词 下一代光刻技术 x射线光刻技术 极紫外线光刻技术 纳米压印光刻技术
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大高宽比、高线密度X射线透射光栅的制作 被引量：7
7
作者 柳龙华 刘刚 +5 位作者 熊瑛 黄新龙 陈洁 李文杰 田金萍 田扬超 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期72-77,共6页
利用电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术,成功制作了面积为1 mm×1 mm,周期为300 nm,金吸收体厚度为1μm的用于X射线显微成像的透射光栅。首先,利用电子束光刻和微电镀技术在Si3N4薄膜上制作周期为300 nm,厚度为250 nm的高线密度光... 利用电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术,成功制作了面积为1 mm×1 mm,周期为300 nm,金吸收体厚度为1μm的用于X射线显微成像的透射光栅。首先,利用电子束光刻和微电镀技术在Si3N4薄膜上制作周期为300 nm,厚度为250 nm的高线密度光栅掩模;然后,利用X射线光刻和微电镀技术复制厚度为1μm,占空比接近1∶1,高宽比为7的X射线透射光栅。整个工艺流程充分利用了电子束光刻技术制作高分辨率图形和X射线光刻技术制作大高宽比结构的优点,实现了大高宽比、纳米尺度、侧壁陡直的X射线透射光栅的制作。 展开更多
关键词 x射线透射光栅 电子束光刻 x射线光刻 x射线显微成像技术
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带支撑结构的大高宽比硬X射线波带片制作 被引量：8
8
作者 马杰 曹磊峰 +6 位作者 谢常青 吴璇 李海亮 朱效立 刘明 陈宝钦 叶甜春 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期30-34,共5页
对利用X射线光刻制作大高宽比硬X射线波带片的设计和制作工艺进行了研究。采用电子束光刻制作X射线光刻掩模,并利用X射线光刻制作最终的硬X射线波带片。采用对光刻胶结构加入支撑点的方法,大大提高了X射线光刻制作硬X射线波带片的高宽... 对利用X射线光刻制作大高宽比硬X射线波带片的设计和制作工艺进行了研究。采用电子束光刻制作X射线光刻掩模,并利用X射线光刻制作最终的硬X射线波带片。采用对光刻胶结构加入支撑点的方法,大大提高了X射线光刻制作硬X射线波带片的高宽比。对所加入支撑点的布置策略进行了优化,使得支撑点所占的面积比例减小。所制作的波带片最外环宽度为200nm,厚度为2.8μm,具有优良的结构质量,预期可用于10keV到25keV波段,并具有优于250nm的成像分辨率。 展开更多
关键词 大高宽比 x射线波带片 x射线光刻 衍射效率
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0.13μm集成电路制造中的光刻技术研究现状及展望 被引量：7
9
作者 郭宝增 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期281-290,共10页
近三十年来集成电路的特征尺寸不断缩小 ,主要是由于光刻技术稳定发展而推动的。按美国半导体工业协会的推测 ,在以后的一些年内 ,集成电路的特征尺寸还会不断缩小 ,到 2 0 0 3年 ,0 .13μm集成电路将投入生产。有许多光刻技术可以作为... 近三十年来集成电路的特征尺寸不断缩小 ,主要是由于光刻技术稳定发展而推动的。按美国半导体工业协会的推测 ,在以后的一些年内 ,集成电路的特征尺寸还会不断缩小 ,到 2 0 0 3年 ,0 .13μm集成电路将投入生产。有许多光刻技术可以作为生产这种电路的候选者 ,但这种集成电路最终由哪种光刻技术实现 ,目前还没有确定。文中介绍了其中的几种技术 (即 157nm光学光刻技术、X射线光刻技术和角度限制散射电子束光刻技术 )的研究现状 ,并对它们在 0 . 展开更多
关键词 光刻 x射线光刻 电子束光刻 集成电路
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X光透镜及其应用的开发研究 被引量：4
10
作者 王大椿 颜一呜 +3 位作者 赫业军 丁训良 罗萍 李玉德 《三明学院学报》 2003年第2期11-16,共6页
着重介绍了X光透镜的原理、制作方法及其在X光产业中的应用和发展前景。
关键词 x光学 x光透镜 x光聚束系统 x光光刻
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X光透镜及其应用 被引量：4
11
作者 王大椿 颜一鸣 +9 位作者 赫业军 丁训良 陈宝振 魏富忠 刘安东 罗萍 陈俊 李玉德 潘世友 施修龄 《大学物理》 1998年第10期1-5,9,共6页
着重介绍了Ｘ光透镜的原理、制作方法，及其在Ｘ光产业中的应用和发展前景．
关键词 x光光学 x光透镜 x光聚束系统 x光光刻
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同步辐射X射线深度光刻实验 被引量：4
12
作者 伊福廷 习复 +3 位作者 唐鄂生 郑宏卫 晋明 冼鼎昌 《微细加工技术》 1997年第2期31-33,共3页
深度同步辐射光刻是LIGA技术的关键工艺环节。利用同步辐射X射线的高平行性、硬射线的高强度，可以光刻出非常深的胶结构，并且这一结构有着很好的尺寸精度和垂直精度，对加工出微型机械结构，具有重要作用。
关键词 LIGA技术 同步辐射 x射线 光刻
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电子束光刻制备5000line/mm光栅掩模关键技术研究 被引量：2
13
作者 朱效立 谢常青 +5 位作者 赵珉 陈宝钦 叶甜春 牛洁斌 张庆钊 刘明 《微细加工技术》 EI 2008年第4期4-5,13,共3页
为了制备高线密度X射线透射光栅掩模,分析了电子束光刻中场拼接对高线密度光栅图形的影响;利用几何校正技术和低灵敏度的950 k的PMMA电子束抗蚀剂,克服了电子束的邻近效应对厚胶图形曝光的影响。采用电子束光刻和微电镀的方法制备了5000... 为了制备高线密度X射线透射光栅掩模,分析了电子束光刻中场拼接对高线密度光栅图形的影响;利用几何校正技术和低灵敏度的950 k的PMMA电子束抗蚀剂,克服了电子束的邻近效应对厚胶图形曝光的影响。采用电子束光刻和微电镀的方法制备了5000 line/mm X射线透射光栅的掩模,并将栅线宽度精确控制在100 nm^110 nm,为X射线光刻复制高线密度X射线透射光栅创造了有利条件。 展开更多
关键词 电子束光刻 x射线透射光栅 邻近效应校正 x射线光刻
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应用X射线光刻的微针阵列及掩模板补偿 被引量：5
14
作者 陈少军 李以贵 杉山进 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期420-425,共6页
提出了一种聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微针的微细加工工艺,该工艺基于PCT技术,结合X射线以及光刻掩模制作三维微结构。通过移动LIGA掩模板曝光来加工微立体PMMA结构,其加工形状取决于X光光刻掩模板吸收体的形状。实验显示,最终的结构形状... 提出了一种聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微针的微细加工工艺,该工艺基于PCT技术,结合X射线以及光刻掩模制作三维微结构。通过移动LIGA掩模板曝光来加工微立体PMMA结构,其加工形状取决于X光光刻掩模板吸收体的形状。实验显示,最终的结构形状并非完全与掩模板上吸收体的形状一致。如果不对X光光刻掩模板的吸收体形状进行补偿,即会使被加工的微结构侧面变形,从而影响微针的性能。分析了微针阵列侧面变形的原因,认为这种变形是由于显影时间与曝光量之间的非线性关系导致结构形状与曝光量分布不完全一致造成的。利用PCT方法制作的PMMA微针其长度为100～750μm,直径为30～150μm,针尖的直径最小可达100nm。通过对LIGA掩模板上的吸收体图形进行适当的补偿,使吸收体图形从中空的双直角三角形变为中空的半椭圆图形,增强了带沟道的微注射针阵列的强度。 展开更多
关键词 x射线光刻 聚甲基丙烯酸甲酯 三维微结构 掩模 吸收体
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同步辐射光刻技术研究进展 被引量：4
15
作者 陈大鹏 叶甜春 +9 位作者 谢常青 李兵 董立军 胥兴才 赵玪莉 韩敬东 彭良强 伊福庭 韩勇 张菊芳 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第10期817-821,共5页
光刻技术是推动集成电路制造业不断向前发展的关键技术 ,X射线光刻技术是下一代光刻技术的一种 ,具有产业化的应用前景。掩模技术是X射线光刻技术的难点 。
关键词 同步辐射 光刻技术 研究进展 x射线光刻 掩模 集成电路 制造
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应用于PHEMT器件的深亚微米T形栅光刻技术 被引量：3
16
作者 谢常青 陈大鹏 +1 位作者 李兵 叶甜春 《微纳电子技术》 CAS 2002年第7期39-42,共4页
PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生电阻会影响PHEMT器件的性能。为了解决这个问题,一种具有大截面面积而底部长度却很小的T形栅结构通常被... PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生电阻会影响PHEMT器件的性能。为了解决这个问题,一种具有大截面面积而底部长度却很小的T形栅结构通常被用于制作PHEMT器件,因为这种结构可以有效地减少由于栅寄生电阻而引起的晶体管噪声。对几种常用的制作深亚微米T形栅的三种光刻技术即光学光刻、电子束光刻、X射线光刻技术进行了比较分析。对于光学光刻技术,通常需要采用移相和光学邻近效应校正技术,它的制作成本低,但是很难用于制作深亚微米T形栅;对于电子束光刻技术,通常需要采用高灵敏度和低灵敏度的多层胶技术,虽然它的栅长可以制作到非常小,但是它的生产成本非常高,而且它的生产效率非常低;对于X射线光刻技术,它不仅可以用于制作深亚微米T形栅,而且它的生产效率非常高,T形栅的形状可以非常容易控制。 展开更多
关键词 PHEMT器件 光刻技术 T形栅 光学光刻 电子束光刻 x射线 集成电路
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脉冲软X射线源及光刻的初步研究 被引量：3
17
作者 郭小明 罗承沐 周兆英 《微细加工技术》 1996年第2期35-38,共4页
喷气式Ｚ箍缩等离子体装置产生的软Ｘ射线，波长大约在０．２～０．６ｕｍ之间，一次放电产生的软Ｘ射线能量约５０Ｊ。本文利用此软Ｘ射线源，用金属丝网作为掩模，对ＣＳＭ光刻胶进行了曝光的初步实验研究，得到了较为清晰的曝光图形。
关键词 软x射线源 光刻 微细加工 半导体器件
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基于X光光刻的亚波长光栅 被引量：4
18
作者 李以贵 杉山进 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2007年第4期249-252,共4页
描述了一种新的亚波长光栅的微细加工技术,即X光光刻得到相应的亚微米级的线宽图形,再利用显影技术获得了高深宽比的立体亚波长光栅.用此纳米加工技术获得了栅距为500 nm、250 nm、150 nm,光栅高度为1900nm的特殊纳米光栅模具,开发了纳... 描述了一种新的亚波长光栅的微细加工技术,即X光光刻得到相应的亚微米级的线宽图形,再利用显影技术获得了高深宽比的立体亚波长光栅.用此纳米加工技术获得了栅距为500 nm、250 nm、150 nm,光栅高度为1900nm的特殊纳米光栅模具,开发了纳米无反射结构,并研制成功了亚波长光栅.该亚微米线宽微细加工技术可用于布拉格光栅、DVD读写头、无反射表面等需要亚微米结构的器件中. 展开更多
关键词 亚波长光栅 x光光刻 高深宽比
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合肥光源深X-射线光刻模拟 被引量：4
19
作者 田学红 刘刚 +1 位作者 田扬超 张新夷 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期702-706,共5页
论文对合肥同步辐射光源开展深度X 射线光刻进行了理论模拟 .利用Gauss积分法研究了菲涅耳衍射对深度光刻图形精度的影响 .为了模拟衬底产生的光电子对光刻结果的影响 ,构建了一个MonteCarlo模型并进行了模拟 .计算结果表明 。
关键词 合肥 x-射线光刻 菲涅耳衍射 光电子 蒙特卡罗模型 同步辐射光源 曝光时间
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超微细图形加工技术进展 被引量：2
20
作者 田如江 韩阶平 马俊如 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第2期83-94,共12页
自1959年集成电路发明以来，它已经对人类的生产和生活方式的很多方面产生了极其重大的影响。集成电路正以线宽每年缩小30％、集成规模增长1倍、芯片价格随之下降的惊人速度发展。光刻技术的发展始终是集成电路发展的决定因素。本文综... 自1959年集成电路发明以来，它已经对人类的生产和生活方式的很多方面产生了极其重大的影响。集成电路正以线宽每年缩小30％、集成规模增长1倍、芯片价格随之下降的惊人速度发展。光刻技术的发展始终是集成电路发展的决定因素。本文综述了深亚微米光刻和纳米光刻技术。在光学光刻部分，简要描述了光刻的历史演变，较详细综述了光学光刻的最新进展，如相移掩模、离轴照明及深紫外曝光。最后介绍了电子束曝光及X射线曝光的发展状况及SIM纳米加工的发展状况。 展开更多
关键词 光刻 电子束曝光 纳米加工 超微细图形
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