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激光清洗硅片表面Al_2O_3颗粒的试验和理论分析 被引量：29
1
作者 吴东江 许媛 +3 位作者 王续跃 康仁科 司马媛 胡礼中 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期764-770,共7页
以KrF准分子激光器为激光源,对目前工业上常用的硅片研磨抛光液的主要成分Al2O3颗粒进行激光清洗的试验和理论分析。建立一维热传导模型,利用有限元分析软件MSC.MarC模拟硅片表面的温度随激光作用时间和能量密度的分布。通过理论计算,... 以KrF准分子激光器为激光源,对目前工业上常用的硅片研磨抛光液的主要成分Al2O3颗粒进行激光清洗的试验和理论分析。建立一维热传导模型,利用有限元分析软件MSC.MarC模拟硅片表面的温度随激光作用时间和能量密度的分布。通过理论计算,量化了颗粒所受到的清洗力以及其与硅片表面之间的粘附力,理论预测出1μm Al2O3颗粒的激光清洗阈值为60 mJ/cm2。在理论分析的指导下,利用248 nm3、0 ns的KrF准分子激光进行单因素试验,研究激光能量密度、脉冲个数、激光束入射角度对激光干法清洗效率的影响,并且实验验证了清洗模型以及场增强效应对激光清洗结果的影响。 展开更多
关键词 激光清洗 硅片 清洗效率 AL2O3 颗粒
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表面活性剂在半导体硅材料加工技术中的应用 被引量：22
2
作者 刘玉岭 檀柏梅 +1 位作者 赵之雯 郝子宇 《河北工业大学学报》 CAS 2004年第2期72-76,共5页
表面活性剂以其特有的降低表面张力特性、分散悬浮及润湿渗透作用在微电子工业中应用越来越广泛,尤其是在硅材料的切片、磨片、抛光及清洗工艺中的应用已成为减少损伤、缺陷和污染的必不可少的辅助材料.本文主要对表面活性剂的作用机理... 表面活性剂以其特有的降低表面张力特性、分散悬浮及润湿渗透作用在微电子工业中应用越来越广泛,尤其是在硅材料的切片、磨片、抛光及清洗工艺中的应用已成为减少损伤、缺陷和污染的必不可少的辅助材料.本文主要对表面活性剂的作用机理及对硅表面性能的影响进行分析讨论. 展开更多
关键词 硅片 表面活性剂 渗透 分散 清洗
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蓝宝石晶片加工中的技术关键和对策 被引量：12
3
作者 张保国 刘玉岭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期859-867,共9页
传统的粗磨工艺在加工蓝宝石薄片过程中遇到很大挑战,易于产生崩边、隐裂和碎片等问题。双面金刚石研磨、单面金刚石磨削、双面金刚石研磨垫等新工艺可以解决上述这些问题。在蓝宝石精磨工艺中,细粒碳化硼和金刚石颗粒镶嵌的陶瓷研磨盘... 传统的粗磨工艺在加工蓝宝石薄片过程中遇到很大挑战,易于产生崩边、隐裂和碎片等问题。双面金刚石研磨、单面金刚石磨削、双面金刚石研磨垫等新工艺可以解决上述这些问题。在蓝宝石精磨工艺中,细粒碳化硼和金刚石颗粒镶嵌的陶瓷研磨盘配合的双面研磨工艺,可以有效地降低粗磨过程中造成的表面损伤;使用细粒金刚石研磨液的单面铜盘工艺亦是一种有效的精磨工艺。本文对二者的优缺点进行了比较。蓝宝石的抛光速率较慢,一般不超过5-10μm/h。蓝宝石抛光的主流仍是使用二氧化硅抛光液。在二氧化硅抛光液中添加其它细粒磨料或采用氧化铝抛光液等其它方法,仍处于试验阶段。轻压抛光对提高蓝宝石的表面质量非常关键。兆声清洗工艺可以减少蓝宝石表面的微小缺陷,兆声单片清洗工艺尤为有效。 展开更多
关键词 蓝宝石薄片 金刚石研磨盘 蓝宝石精磨 兆声清洗
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HF／O_3在300mm硅片清洗中的应用 被引量：10
4
作者 闫志瑞 李俊峰 +2 位作者 刘红艳 张静 李莉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期108-111,共4页
随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上... 随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上,对新发展的HF／O3槽式清洗法和HF／O3 单片清洗法进行了详细的说明,从而对300mm硅片清洗方法的未来发展方向进行了简单论述。 展开更多
关键词 硅片 RCA清洗 兆声波 HF/O3
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ULSI衬底硅单晶片清洗技术现况与展望 被引量：8
5
作者 刘玉岭 古海云 +1 位作者 檀柏梅 桑建新 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期134-138,共5页
阐述了ULSI衬底硅单晶片清洗的重要性 ,详尽介绍了目前世界上采用的各种清洗方法 (湿法、干法、兆声、激光等 )的发展概况、应用价值及发展方向 ,并提出晶片清洗的发展趋势将向多元化、综合化和专用化方向发展。
关键词 ULSI 硅衬底 清洗方法 硅单晶 集成电路 半导体
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半导体硅片清洗设备研究进展 被引量：10
6
作者 林晓杰 刘丽君 王维升 《微处理机》 2012年第4期25-27,36,共4页
阐述了半导体硅片清洗的一些重要设备。主要包括湿法化学清洗、兆声波清洗以及机械刷洗设备等常用的设备及配置,同时也介绍了近几年逐渐获得应用的清洗设备方面的技术创新。
关键词 半导体 硅片 清洗 兆声波 设备
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半导体硅片金属微观污染机理研究进展 被引量：7
7
作者 郑宣 程璇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第8期53-56,共4页
综述了近10年来国内外在半导体硅片金属微观污染研究领域的进展。研究了单金属特别是铜的沉积、形成机理和动力学以及采用的研究方法和分析测试手段,包括对电化学参数和物理参数等研究。指出了随着科学技术的不断发展,金属污染金属检测... 综述了近10年来国内外在半导体硅片金属微观污染研究领域的进展。研究了单金属特别是铜的沉积、形成机理和动力学以及采用的研究方法和分析测试手段,包括对电化学参数和物理参数等研究。指出了随着科学技术的不断发展,金属污染金属检测手段也得到了丰富,为金属微观污染的研究提供了有力的工具。 展开更多
关键词 半导体硅片 微观污染 铜沉积 硅清洗
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硅研磨片超声波清洗技术的研究 被引量：6
8
作者 刘玉岭 常美茹 《电子工艺技术》 2006年第4期215-217,共3页
介绍了硅研磨片清洗的重要性,分析了影响硅研磨片质量的主要因素,即金属杂质和各种污染物。重点分析了硅研磨片表面沾污的原因,并且通过大量的实验分析得到了活性剂和碱性清洗液、去离子水的最佳体积比是0.20∶1.00∶10.0,清洗的最佳时... 介绍了硅研磨片清洗的重要性,分析了影响硅研磨片质量的主要因素,即金属杂质和各种污染物。重点分析了硅研磨片表面沾污的原因,并且通过大量的实验分析得到了活性剂和碱性清洗液、去离子水的最佳体积比是0.20∶1.00∶10.0,清洗的最佳时间为3 m in^5 m in和最佳温度范围为40℃~50℃。 展开更多
关键词 硅片 清洗 污染物 铁沾污 金刚砂及杂质 超声波清洗
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太阳能级Si片清洗工艺分析 被引量：7
9
作者 任丽 王平 +5 位作者 李艳玲 王安平 褚世君 张兵 李宁 罗晓英 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期309-312,共4页
在实验基础上对太阳能级Si片碱性清洗工艺进行了分析,指出碱性清洗液在适宜的工艺环境下,配合超声清洗和表面活性剂的使用可以获得良好的清洗效果。结果表明,表面金属浓度分别达到Cu元素小于1.3×10^(14)atoms/cm^2,Fe元素小于5... 在实验基础上对太阳能级Si片碱性清洗工艺进行了分析,指出碱性清洗液在适宜的工艺环境下,配合超声清洗和表面活性剂的使用可以获得良好的清洗效果。结果表明,表面金属浓度分别达到Cu元素小于1.3×10^(14)atoms/cm^2,Fe元素小于5×10^(13)atoms/cm^2。碱性清洗液与Si晶体发生两步化学反应,平衡后OH^-离子浓度保持稳定,是以获得稳定的清洗效果同时提高清洗液的使用效率。 展开更多
关键词 硅片 碱性清洗 表面活性剂 超声清洗 对太阳能级
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利用图像处理技术评价硅片表面清洗率 被引量：7
10
作者 王续跃 许卫星 +3 位作者 司马媛 吴东江 康仁科 郭东明 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1263-1268,共6页
介绍了一种基于Matlab图像处理工具箱技术的评价硅片表面污染颗粒激光清洗率的新方法。借助Matlab图像处理工具箱,对清洗前后硅片表面光学显微镜照片进行处理,编写硅片表面激光干法清洗率的评价程序,统计清洗前后硅片表面评价区域的污... 介绍了一种基于Matlab图像处理工具箱技术的评价硅片表面污染颗粒激光清洗率的新方法。借助Matlab图像处理工具箱,对清洗前后硅片表面光学显微镜照片进行处理,编写硅片表面激光干法清洗率的评价程序,统计清洗前后硅片表面评价区域的污染颗粒个数,对清洗效果进行定量评价。研究结果证明,利用此方法统计的颗粒数准确度达97.6%,得到的激光清洗率准确度达99.2%。结果表明,借助图像处理技术评定清洗效果是一种高效、快速、准确的新方法。 展开更多
关键词 激光清洗 硅片 清洗率 图像处理
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向65nm工艺提升中的半导体清洗技术 被引量：2
11
作者 童志义 《电子工业专用设备》 2005年第7期15-17,55,共4页
由于器件尺寸由90nm技术节点向65nm节点的缩进,在前道工艺的湿法清洗中去除0.1μm及更小尺寸的污染粒子正在成为一种新的技术挑战。评价了在向65nm技术节点的迈进中,器件的新结构、新材料对于清洗设备提出的各种技术挑战及应对无损伤和... 由于器件尺寸由90nm技术节点向65nm节点的缩进,在前道工艺的湿法清洗中去除0.1μm及更小尺寸的污染粒子正在成为一种新的技术挑战。评价了在向65nm技术节点的迈进中,器件的新结构、新材料对于清洗设备提出的各种技术挑战及应对无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗技术。指出了单片式清洗技术的应用前景及干法清洗与湿法清洗技术共存的可能性。 展开更多
关键词 污染控制 圆片清洗 单圆片清洗 低足材料 高深宽比结构 CH P后清洗 干 法清洗
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硅片清洗技术及发展 被引量：6
12
作者 胡雅倩 《天津科技》 2019年第6期66-67,共2页
在半导体硅片加工工序中,清洗是极其重要的一步,硅片的洁净与否,将直接决定后续产品性能。通过论述目前硅片化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响,针对硅片清洗工艺中存在... 在半导体硅片加工工序中,清洗是极其重要的一步,硅片的洁净与否,将直接决定后续产品性能。通过论述目前硅片化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响,针对硅片清洗工艺中存在的问题,提出了改进方向并展望了发展前景。 展开更多
关键词 硅片 清洗 RCA 超声波 兆声波
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超临界二氧化碳介质中晶圆清洗与选择性刻蚀研究进展
13
作者 张泽欣 郑伟中 +5 位作者 徐益升 胡冬冬 卓欣宇 宗原 孙伟振 赵玲 《化工学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第1期110-119,共10页
随着集成电路特征尺寸的逐渐减小,器件结构会要求更高的纵横比,常规湿法清洗由于表面张力很难进入晶圆深沟槽结构内部,不能满足更细线条工艺要求和高深宽比结构,直接影响沟槽内的污染物去除效果;常规湿法刻蚀各向异性差、结构坍塌严重... 随着集成电路特征尺寸的逐渐减小,器件结构会要求更高的纵横比,常规湿法清洗由于表面张力很难进入晶圆深沟槽结构内部,不能满足更细线条工艺要求和高深宽比结构,直接影响沟槽内的污染物去除效果;常规湿法刻蚀各向异性差、结构坍塌严重、深沟槽刻蚀效果不明显;而等离子体干法刻蚀则存在刻蚀速率慢、光刻胶脱落和黏附、结构损伤、废气处理等一系列问题。超临界清洗和刻蚀技术是最具有前景的环境友好、无损伤技术,能够耦合刻蚀、清洗与干燥工艺为一体,且可以循环使用,安全环保,是晶圆制造过程中常规清洗和刻蚀的首选替代技术。综述了超临界二氧化碳中晶圆清洗与选择性刻蚀的研究进展,重点介绍了超临界二氧化碳共溶剂、微乳液体系在光刻胶剥离以及含硅基底选择性蚀刻中的应用,展望了超临界二氧化碳晶圆清洗和刻蚀存在的问题和发展趋势。 展开更多
关键词 晶圆清洗 晶圆刻蚀 超临界二氧化碳 超临界流体 微乳液
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蓝宝石晶片表面净化技术研究 被引量：4
14
作者 周海 杭寅 姚绍峰 《电子机械工程》 2005年第6期42-45,共4页
阐述了在氮化镓生长中使用的蓝宝石晶片净化的重要性。论述了蓝宝石晶片的净化原理。通过净化试验研究,提出了适合于工业化生产的蓝宝石晶片清洗剂和净化工艺,满足了光电子领域所需的开盒即用的蓝宝石晶片表面质量要求。
关键词 蓝宝石晶片 净化工艺 清洗剂
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单晶圆兆声清洗技术研究及兆声喷头方案优化 被引量：4
15
作者 刘永进 杜建科 冯小强 《电子工业专用设备》 2011年第1期15-17,共3页
基于单晶圆兆声清洗的原理,分析了针对单晶圆兆声清洗的多种方案的优缺点,提出了适合单晶圆兆声清洗的优化方案。
关键词 单晶圆 兆声 清洗
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用单片清洗设备进行晶圆背面清洗(英文) 被引量：1
16
作者 Lewis Liu Eric Brause +2 位作者 Ismail Kashkoush Alan Walter Richard Novak 《电子工业专用设备》 2006年第7期14-19,51,共7页
晶圆背面的污染降低了半导体器件的成品率,而当器件进入100nm技术节点之后成品率的降低便显得尤为重要。因此,目前众多的器件制造厂家就要求在进行片子正面清洗的同时对其背面也能够实现清洗。由Akrion公司制造的Mach2HP系统就是这样一... 晶圆背面的污染降低了半导体器件的成品率,而当器件进入100nm技术节点之后成品率的降低便显得尤为重要。因此,目前众多的器件制造厂家就要求在进行片子正面清洗的同时对其背面也能够实现清洗。由Akrion公司制造的Mach2HP系统就是这样一种单片清洗设备,它具有清洗晶圆正反两面的功能。在起初评价时,设备经过了大量的粒子去除效率的变化。这种大量的变化使我们不能了解这种设备真实的清洗能力。氮化硅(Si3N4)粒子污染的晶片被用以进行粒子去除效率测试。我们发现有Si3N4粒子的晶片引起了背面粒子去除效率的变化。这种含Si3N4粒子的晶片是通过在裸芯片上沉积Si3N4粒子而特意准备的。我们发现,一些较大的Si3N4粒子在晶片清洗时又分解成更小的粒子。如若在清洗之后分解的粒子仍保留在晶片上,它们便会降低晶片总的粒子去除效果。因此,在这些粒子沉积到晶片上之前,这些粒子群需要进一步分解成实际的粒子。经过了解晶片的预习处理,我们实现了这种清洗设备背面清洗效果的评价。 展开更多
关键词 晶圆清洗 背面清洗 氮化硅(Si3N4)粒子 粒子去除效率 清洗设备
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微量铜-铁对硅片表面污染的初步分析 被引量：3
17
作者 郑宣 程璇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期970-976,共7页
通过比较微量铜铁单独存在和共存时对p -型硅片表面的污染,采用电化学直流极化和交流阻抗技术以及SEM、EDX和AES等现代表面分析技术,对未污染和受污染的硅片表面进行了初步的研究.结果表明,当氢氟酸溶液中同时含有ppb 水平(10-9)的铜铁... 通过比较微量铜铁单独存在和共存时对p -型硅片表面的污染,采用电化学直流极化和交流阻抗技术以及SEM、EDX和AES等现代表面分析技术,对未污染和受污染的硅片表面进行了初步的研究.结果表明,当氢氟酸溶液中同时含有ppb 水平(10-9)的铜铁杂质时,不但铜会沉积在硅片表面上发生铜污染,而且还导致硅片表面的碳污染,并从电化学极化电阻、元素深度分布和空间电荷效应等方面对硅片表面铜与碳污染进行了初步的分析和讨论. 展开更多
关键词 硅片清洗 金属污染 铜沉积 碳污染
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具有清洗工艺的单臂组合设备终止暂态调度 被引量：3
18
作者 潘春荣 郭文有 《控制理论与应用》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期784-794,共11页
随着多品种小批量生产模式的普及,导致了组合设备频繁的暂态加工过程.为了提高组合设备的生产柔性,同时考虑晶圆驻留时间约束和腔室清洗时间约束,研究了单臂组合设备的终止暂态调度问题.首先,提出了1-周期清洗工艺的暂态调度规则,并采... 随着多品种小批量生产模式的普及,导致了组合设备频繁的暂态加工过程.为了提高组合设备的生产柔性,同时考虑晶圆驻留时间约束和腔室清洗时间约束,研究了单臂组合设备的终止暂态调度问题.首先,提出了1-周期清洗工艺的暂态调度规则,并采用了面向资源的Petri网对单臂组合设备的终止暂态过程进行建模,引入避免死锁的变迁触发规则;其次,根据系统的终止暂态时间特性并考虑不同的调度情形,建立了终止暂态调度的线性规划模型;最后,通过实例验证了该方法的可行性.实验结果表明,与运用改进拉式策略的虚拟晶圆方案相比,该调度方案可有效地减少组合设备终止暂态的完工时间,并满足晶圆制造的工艺要求. 展开更多
关键词 晶圆制造 组合设备 PETRI网 清洗工艺 终止暂态
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缩短批次式清洗周期的策略 被引量：1
19
作者 Jeffery W.Butterbaugh 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期50-53,61,共5页
在总的构成先进的90nm器件工艺步骤中,晶圆清洗工艺占了近15%。性能和处理量优势是在清洗中继续采用批次式处理方式的主要原因。但是,对周期时间的关注推动了单晶圆清洗工艺的开发。在本工作中,介绍了批次式处理周期时间的改善,提供了... 在总的构成先进的90nm器件工艺步骤中,晶圆清洗工艺占了近15%。性能和处理量优势是在清洗中继续采用批次式处理方式的主要原因。但是,对周期时间的关注推动了单晶圆清洗工艺的开发。在本工作中,介绍了批次式处理周期时间的改善,提供了一种保持性能和处理量,同时又能实现清洗工艺生产力增长的可选方法。 展开更多
关键词 半导体器件 单晶圆系统 批次式浸没系统 清洗工艺
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晶圆缺陷的种类及处理方法研究 被引量：3
20
作者 郭帝江 常志 《现代工业经济和信息化》 2021年第6期135-136,共2页
人工参与的集成电路制造过程,不可避免地会引入各种污染,产生晶圆缺陷,对于器件的良率等性能参数有很大的影响。对半导体晶圆在湿法清洗工艺中可能导致的各种缺陷成因进行分析,并对缺陷的处理方式做了简要探讨。
关键词 半导体晶圆 湿法清洗 缺陷
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