新型脉冲调制器的设计 被引量：4

1

作者 杨石玲 《火控雷达技术》 2002年第1期47-51,共5页

垂直导电型 MOSFET(VMOSFET)的出现是半导体功率器件领域的一项重大突破。本文介绍一种以 VMOSFET为高压开关的新型脉冲调制器 ,叙述其特点、工作原理及电路设计。该脉冲调制器可用于

关键词 vmosfet 脉冲调制器 磁控管 设计 雷达发射机

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零件分类编码系统信息浅析

2

作者 崔敏 《五邑大学学报（自然科学版）》 CAS 1997年第3期47-50,共4页

本文阐述了零件分类编码系统在成组技术中的重要性，并从编码分类系统的结构、信息源、译码机能等方面对常见的几种分类编码系统的信息进行分析。

关键词 成组技术 分类编码系统 信息源 译码 零件分类

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用于电机的 VMOSFET 低压驱动电源 被引量：2

3

作者 郑福林 黄云鹰 +1 位作者 李元密 林胜福 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1997年第3期69-71,共3页

论述了开关管采用ｎ沟道ＶＭＯＳＦＥＴ构成中功率步进电机低压驱动电源的设计；给出了斩波开关控制电路、运行或锁定稳态电流自调节电路、边沿加速电路及电机驱动用功率半导体器件的选择。

关键词 步进电动机 场效应晶体管 低压驱动电源 vmosfet

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应用VMOSFET的匝间耐压试验仪的研制

4

作者 高嵩 庹先国 任家富 《中国测试技术》 CAS 2004年第2期12-13,16,共3页

针对直流电机制造过程中电枢绕组的静态匝间耐压试验 ,提出了一种应用VMOS场效应管作为放电器件的试验方法 ,并基于此研制了实用的匝间耐压试验仪。

关键词 匝间耐压试验仪 研制 vmosfet 直流电机 电枢绕组 场效应管

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用于非弹性散射谱和俘获谱测量的高压脉冲电源设计 被引量：3

5

作者 陈纯锴 乔双 关雪梅 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期122-125,共4页

设计了用于非弹性散射谱和俘获谱测量的时间、幅度可调离子源脉冲电源。采用单端正激式结构和软开关技术，逆变输出高压脉冲，占空比从0．1～0．5可调，最小脉宽8μs。目前该脉冲电源已成功应用于煤质快速分析仪中，测量精度明显优于直... 设计了用于非弹性散射谱和俘获谱测量的时间、幅度可调离子源脉冲电源。采用单端正激式结构和软开关技术，逆变输出高压脉冲，占空比从0．1～0．5可调，最小脉宽8μs。目前该脉冲电源已成功应用于煤质快速分析仪中，测量精度明显优于直流方式。 展开更多

关键词 脉冲电源 中子管 离子源 脉冲变压器 软开关

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VMOSFET在进步电机驱动电源中的应用 被引量：2

6

作者 符友方 《机械与电子》 1991年第5期24-27,共4页

本文通过粗略分析、对比试验表明:采用VMOSFET作为步进电机驱动电源后,可简化线路,提高效率、高频出力、可靠性和性能/价格比,特别适用在高速数控、高细分场合。

关键词 vmosfet 步进电动机 驱动电源 应用

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用场效应管实现恒流斩波型步进电动机驱动电源 被引量：2

7

作者 延俊华 王裕清 《微电机》 北大核心 1991年第3期8-10,共3页

介绍一种用场效应管实现的单电压斩波型驱动电源的原理与性能,并给出了电路参数的选取方包。试验证明,该驱动电源的运行频率、矩频特性、效率等明显优于同类产品。

关键词 步进电动机 场效应晶体管 斩波器

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电子束偏放电路的计算机辅助设计 被引量：1

8

作者 姚作宾 高文洪 王绍钧 《微细加工技术》 1996年第1期17-22,共6页

本文介绍了应用现行的ＰＳＰＩＣＥＶ５．０软件和ＣＡＤ优化技术，对亚微米电子束曝光机高速偏放电路的ＶＭＯＳＦＥＴ参数进行处理。针对电路中的关键参数：导通电阻、开关速度、温度影响、灵敏度及噪声干扰进行分析、设计。

关键词 电子束曝光机 vmosfet CAD 功率放大器

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高效轻便型步进电动机驱动电源 被引量：1

9

作者 张曙光 丁沃圻 +1 位作者 黄键 李纪仁 《武汉水利电力大学学报》 CSCD 1993年第5期574-579,共6页

用场效应功率管作功率驱动级的斩波型步进电动机驱动电源具有效率高、性能好、体积小、重量轻等优点。但场效应管工作时易产生严重的发热问题。本文分析了发热产生的原因,提出了解决发热问题的方法。试验结果证明,这些解决方法是可行的。

关键词 场效应晶体管 步进电动机 驱动电源

原文传递

用VMOSFET产生高频大幅度纳秒脉冲

10

作者 尹成群 李锦林 《电子测量与仪器学报》 CSCD 1991年第3期1-7,共7页

本文介绍一种用VMOSFET产生高频大幅度纳秒脉冲的实用电路.作者经过理论分析和多次实验,利用VN66AD器件研制成在50Ω负载电阻上产生幅度为35v,前后沿小于8ns,脉冲幅度和宽度连续调节,重复频率高于15MHz的脉冲源.为高速脉冲源的研制、应... 本文介绍一种用VMOSFET产生高频大幅度纳秒脉冲的实用电路.作者经过理论分析和多次实验,利用VN66AD器件研制成在50Ω负载电阻上产生幅度为35v,前后沿小于8ns,脉冲幅度和宽度连续调节,重复频率高于15MHz的脉冲源.为高速脉冲源的研制、应用展示了更广阔的前景. 展开更多

关键词 vmosfet 纳秒脉冲 电路

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高保真大动态线性功率放大器

11

作者 安朴 《无线电》 北大核心 1994年第11期13-14,共2页

关键词 vmosfet 功率放大器 动态线性 高保真度

原文传递

一种新型脉冲调制器的设计

12

作者 郭建军 《探测与定位》 2004年第2期65-69,共5页

介绍一种以VMOSFET为调制开关的脉冲调制器，叙述其工作原理及电路设计．该脉冲调制器适于X波段中功率磁控管发射机．

关键词 脉冲调制器 vmosfet 工作原理 雷达发射机 磁控管

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功率VMOSFET优值Ron／BV的温度特性

13

作者 潘志斌 徐国怡 《半导体杂志》 1991年第4期5-10,共6页

关键词 vmosfet 温度特性 计算 击穿电压

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VMOS场效应管开关电源

14

作者 张兆林 李桂昌 《山东电子》 1994年第4期26-28,共3页

本文介绍用新型功率器件ＶＭＯＳＦＥＴ研制的输出直流２４Ｖ、１０Ａ开关电源。该电源与双极型功率管开关电源相比，效率进一步提高，体积、重量进一步减小，电路大为简化，可靠性大大提高。与双极型功率管相比，ＶＭＯＳＦＥＴ具有两... 本文介绍用新型功率器件ＶＭＯＳＦＥＴ研制的输出直流２４Ｖ、１０Ａ开关电源。该电源与双极型功率管开关电源相比，效率进一步提高，体积、重量进一步减小，电路大为简化，可靠性大大提高。与双极型功率管相比，ＶＭＯＳＦＥＴ具有两大突出优点：１）开关速度极快，可以在几ｎｓ到几十ｎｓ的时间内开关几Ａ到几十Ａ的电流，比同功率双极型开关管快１～２个数量级；２）ＶＭＯＳＦＥＴ为电压控制器件，几乎不需要驱动电流。因此，用ＶＭＯＳＦＥＴ代替双极型功率管可使管耗进一步下降、效率进一步提高；集成块可直接驱动，使驱功电路非常简单而可靠，功耗、体积也相应减小。有效地克服了双极型开关电源的缺点。 展开更多

关键词 场效应管 开关电源 vmosfet

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新颖的N沟道VMOSFET驱动电路

15

作者 贾树行 邵奎义 《电子制作》 2005年第12期11-12,共2页

普通MOSFET的栅极、源极、漏极处于芯片水平方向的同一表面上．导通时的工作电流沿芯片表面按水平方向流动．称为水平式场效应管。VMOSFET的栅极做成V形．源极制馓在栅极的两边．栅极与半导体材料之间的S1O2层也做成V形。GS间施加电压... 普通MOSFET的栅极、源极、漏极处于芯片水平方向的同一表面上．导通时的工作电流沿芯片表面按水平方向流动．称为水平式场效应管。VMOSFET的栅极做成V形．源极制馓在栅极的两边．栅极与半导体材料之间的S1O2层也做成V形。GS间施加电压后形成的反型层导电沟道呈V形．漏极电流垂直向源极流动．到达表面时沿V形导电沟道流到源极S．故称为VMOSFET。 展开更多

关键词 MOSFET驱动电路 N沟道 vmosfet 水平方向 半导体材料 场效应管 工作电流 漏极电流 栅极 源极

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功率VMOSFET实用计算机辅助设计软件包的研制和开发

16

作者 潘志斌 徐国治 +1 位作者 李中江 段力军 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期124-125,共2页

自1976年功率VMOSFET首次提出以来,它已成为功率器件发展的主流.最近十年间,在功率MOS器件中,功率VMOSFET以其独特的优点引起人们广泛重视,大有替代双极型功率器件的趋势.同时,计算机辅助设计技术正以其快速、准确、大范围模拟等特点改... 自1976年功率VMOSFET首次提出以来,它已成为功率器件发展的主流.最近十年间,在功率MOS器件中,功率VMOSFET以其独特的优点引起人们广泛重视,大有替代双极型功率器件的趋势.同时,计算机辅助设计技术正以其快速、准确、大范围模拟等特点改变着传统的器件设计方法.本软件包的作用即是利用各种CAD技术对功率VMOSFET进行参数选取和优化设计. 展开更多

关键词 vmosfet CAD 软件包 功率

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功率VMOSFET阈电压Vt的温度效应

17

作者 潘志斌 徐国治 《西部电子》 1990年第2期29-32,共4页

关键词 功率 vmosfet 阈电压 温度效应

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Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能

18

《半导体信息》 2016年第2期8-9,共2页

新款100 VMOSFET问世，Fairchild极具开创性的PowerTrench MOS—FET产品组合又添新成员 Fairchild在2016年APEC上发布了新一代100VN沟道PowerMOSFET旗舰产品——FDMS86181IOOV屏蔽栅极PowerTrench MOSFET。

关键词 FAIRCHILD vmosfet 性能 产品组合 APEC N沟道 栅极

原文传递

全VMOSFET高保真功率放大器

19

作者 吴刚 《电子世界》 1991年第11期4-6,共3页

关键词 vmosfet 功率放大器 场效应晶体管

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四相步进电机驱动器 被引量：2

20

作者 常丽 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 1999年第3期225-226,241,共3页

设计了专门用于磨床数控系统的四相步进电机驱动器，该驱动器采用了先进的各相同频脉宽调制斩波驱动方式，选用的是高性能的ＶＭＯＳＦＥＴ功率器件，并且采取了过流过热保护措施，大大提高了驱动器的可靠性，同时具有噪声小，运行平稳... 设计了专门用于磨床数控系统的四相步进电机驱动器，该驱动器采用了先进的各相同频脉宽调制斩波驱动方式，选用的是高性能的ＶＭＯＳＦＥＴ功率器件，并且采取了过流过热保护措施，大大提高了驱动器的可靠性，同时具有噪声小，运行平稳等特点．经实验运行证明，效果良好． 展开更多

关键词 步进电机 驱动器 磨床 数控系统

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