6～18GHz超宽带微带均衡器设计与实现 被引量：9

1

作者 刘亚男 何庆国 +1 位作者 郝金中 王抗旱 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期23-26,共4页

6～18GHz超宽带微波组件幅频特性起伏比较大,采用幅度均衡器可有效改善增益平坦度,使其满足指标要求。根据谐振理论和传输线理论进行了6～18GHz超宽带微带幅度均衡器设计。利用ADS和HFSS仿真,采用λ/4的开路微带线和薄膜电阻构成谐振频... 6～18GHz超宽带微波组件幅频特性起伏比较大,采用幅度均衡器可有效改善增益平坦度,使其满足指标要求。根据谐振理论和传输线理论进行了6～18GHz超宽带微带幅度均衡器设计。利用ADS和HFSS仿真,采用λ/4的开路微带线和薄膜电阻构成谐振频率可调、品质因数可调、带宽可调以及均衡量可调的谐振单元,同时增加适当的调节块对谐振频率进行微调,设计出满足指标要求的小尺寸样件,得到了所需的均衡曲线。实验表明,可以在这个频段上高效、准确、灵活地设计出所需均衡器。 展开更多

关键词 幅度均衡器 品质因数 薄膜电阻 谐振器 微带

下载PDF 职称材料

DC-18GHz微波功率薄膜电阻器的设计及制作 被引量：5

2

作者 司旭 张万里 +3 位作者 蒋洪川 彭斌 王超杰 李言荣 《微波学报》 CSCD 北大核心 2011年第1期74-77,共4页

设计并仿真了频率范围为DC-18GHz,功率负载为20W的微波功率薄膜电阻器,根据仿真结果,采用反应磁控溅射法制备了TaN微波功率薄膜电阻器。仿真结果表明,所设计的薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比均小于1.2,加载20W微波功率时,... 设计并仿真了频率范围为DC-18GHz,功率负载为20W的微波功率薄膜电阻器,根据仿真结果,采用反应磁控溅射法制备了TaN微波功率薄膜电阻器。仿真结果表明,所设计的薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比均小于1.2,加载20W微波功率时,薄膜电阻器表面的最高温度为108℃。实验结果表明,所制备的TaN薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比小于1.25;加载20W直流功率96小时,电阻器的阻值变化小于2%,表面最高温度为105℃;在25-125℃温度范围内电阻器的温度电阻系数为-40ppm/℃。 展开更多

关键词 薄膜电阻器 驻波比 TaN薄膜

下载PDF 职称材料

真空感应熔炼靶材磁控溅射生产高阻值薄膜电阻器 被引量：3

3

作者 毛大立 王家敏 +3 位作者 张澜庭 毛立忠 吴建生 王绪亭 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期260-263,共4页

介绍了用真空感应熔炼方法生产用于高阻值薄膜电阻器的磁控溅射靶材，并报告了用这种靶材进行薄膜电阻器生产的溅射工艺参数和热处理方法，以及电阻器的电学性能测试结果。实际生产表明，这种用真空感应熔炼方法生产的靶材，完全能用于... 介绍了用真空感应熔炼方法生产用于高阻值薄膜电阻器的磁控溅射靶材，并报告了用这种靶材进行薄膜电阻器生产的溅射工艺参数和热处理方法，以及电阻器的电学性能测试结果。实际生产表明，这种用真空感应熔炼方法生产的靶材，完全能用于薄膜电阻器的磁控溅射并能得到满意的薄膜电阻器的性能指标。 展开更多

关键词 电阻器 真空感应熔炼 靶材 磁控 薄膜电阻器

下载PDF 职称材料

旋磁基片DC-10GHz微波功率电阻器设计制作 被引量：1

4

作者 计量 张怀武 牛旭博 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期22-24,共3页

基于旋磁基片设计并通过光刻工艺制作DC-10 GHz微波电阻器。通过HFSS仿真设计制作DC-10 GHz电阻器,采用磁控反应溅射制作TaN薄膜,电压驻波比VSWR均小于1.25。旋磁基片微波电阻器相对于应用广泛的氧化铝基片微波电阻器,可直接集成于同样... 基于旋磁基片设计并通过光刻工艺制作DC-10 GHz微波电阻器。通过HFSS仿真设计制作DC-10 GHz电阻器,采用磁控反应溅射制作TaN薄膜,电压驻波比VSWR均小于1.25。旋磁基片微波电阻器相对于应用广泛的氧化铝基片微波电阻器,可直接集成于同样以旋磁为基片的结环行器中,从而能制作出更加小型化的微波隔离器,有效减小器件体积,符合现代通信产品小型化、集成化的发展要求。 展开更多

关键词 薄膜电阻器 光刻工艺 旋磁基片 TaN薄膜

下载PDF 职称材料

被釉BeO基片薄膜电阻器的设计和制备

5

作者 张鹏 杨传仁 +3 位作者 曾理 陈宏伟 杨俊峰 张继华 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2015年第3期540-542,共3页

基于被釉BeO陶瓷基片设计并制备了DC-20GHz薄膜电阻器。HFSS软件仿真结果表明,在该频率范围内,所设计薄膜电阻器的电压驻波比(VSWR)均小于1.2。利用射频磁控溅射法和光刻工艺在被玻璃釉平整化改性过的BeO基片上制备了所设计的薄膜电阻... 基于被釉BeO陶瓷基片设计并制备了DC-20GHz薄膜电阻器。HFSS软件仿真结果表明,在该频率范围内,所设计薄膜电阻器的电压驻波比(VSWR)均小于1.2。利用射频磁控溅射法和光刻工艺在被玻璃釉平整化改性过的BeO基片上制备了所设计的薄膜电阻器。测试结果和仿真结果的对比表明,BeO基片表面的玻璃釉层并不会对电阻器的微波性能造成明显的不良影响。 展开更多

关键词 薄膜电阻器 TaN薄膜 玻璃釉 BeO陶瓷基片 射频磁控溅射

下载PDF 职称材料

溅射制作埋嵌电阻的TaN薄膜电阻率的控制

6

作者 白亚旭 袁正希 +2 位作者 何为 何波 莫芸琦 《印制电路信息》 2010年第12期55-58,共4页

文章介绍的是由射频(RF)溅射反应沉淀制备的TaN薄膜,以及在各种N2/Ar气流比例和工作压力下测试其电阻率变化。从X射线衍射(X-RD)图像和四点探针测试仪测试的TaNx薄膜方块电阻来看。研究发现,TaNx薄膜电阻率发生突变的原因主要是由于N2... 文章介绍的是由射频(RF)溅射反应沉淀制备的TaN薄膜,以及在各种N2/Ar气流比例和工作压力下测试其电阻率变化。从X射线衍射(X-RD)图像和四点探针测试仪测试的TaNx薄膜方块电阻来看。研究发现,TaNx薄膜电阻率发生突变的原因主要是由于N2分压的作用而使TaNx薄膜晶体结构发生了变化。当六边形结构的TaN薄膜变成面心立方行结构时,薄膜电阻从16Ω/sq增加到1396Ω/sq。但是,在晶体结构不变和一定的工作压力范围内,我们能把TaN薄膜的电阻率控制在69Ω/sq到875Ω/sq范围内。在扫描电子显微镜(SEM)成像中,晶粒尺寸随着工作压力的增加将会有所减小。 展开更多

关键词 氮化钽 电阻率 方块电阻 溅射反应

下载PDF 职称材料

高于室温环境的热式气体微流量传感器性能分析 被引量：4

7

作者 李伟 李杰超 闫卫平 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期160-164,共5页

为了探索平板微热管的传热特性,了解微热管内不同温度区间的蒸汽传输特性,开展了热式气体微流量传感器及其检测系统的设计。设计了一种便于探索最佳温度测量点的热式微流量传感器结构,利用MEMS工艺进行加工制作,在不同环境温度下对其性... 为了探索平板微热管的传热特性,了解微热管内不同温度区间的蒸汽传输特性,开展了热式气体微流量传感器及其检测系统的设计。设计了一种便于探索最佳温度测量点的热式微流量传感器结构,利用MEMS工艺进行加工制作,在不同环境温度下对其性能进行了测试,得到了环境温度与热式微流量传感器性能的关系。基于MSP430单片机和C#语言自主开发了流量传感器检测系统,可对一定范围内的流量进行实时检测,并实时绘制流速随时间的变化曲线。研究表明,采用本文设计的热式微流量传感器结构,可以检测高于室温环境下的微流量气体,并可通过提高加热器温度或改变测温电阻对的测量位置来提高测量灵敏度。 展开更多

关键词 热式气体微流量传感器 Pt薄膜电阻 流量检测系统 高于室温环境

下载PDF 职称材料

多通道高稳定性温度检测系统 被引量：3

8

作者 李伟 李杰超 闫卫平 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2014年第4期46-49,共4页

为了精确测试平板微热管的传热特性,利用Pt100及磁控溅射法制备的Pt薄膜电阻温度传感器,开发了8通道温度采集与显示系统.该系统以MSP430 F149单片机为电路控制核心,利用集成的AD和UART模块完成信号转换与通信等功能.上位机采用VC＋＋开... 为了精确测试平板微热管的传热特性,利用Pt100及磁控溅射法制备的Pt薄膜电阻温度传感器,开发了8通道温度采集与显示系统.该系统以MSP430 F149单片机为电路控制核心,利用集成的AD和UART模块完成信号转换与通信等功能.上位机采用VC＋＋开发应用程序对多路温度信号进行数据拟合,可实时显示温度数值并绘制出8路温度曲线.通过加入正反馈电路改善了输出线性度,利用桥式电路的可调电阻扩大了Pt薄膜电阻的测温范围.系统的测温范围是0～120℃,可利用86～128Ω（24℃）范围的Pt薄膜电阻进行温度检测.该系统具有测温精度高、适用范围广、稳定性好及实时性强等优点. 展开更多

关键词 多通道温度检测及显示系统 Pt薄膜电阻 限幅电路 实时显示

下载PDF 职称材料

CAS玻璃釉对TaN薄膜电阻器功率影响研究 被引量：1

9

作者 黄子宽 张怀武 唐晓莉 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2015年第3期460-463,共4页

采用反应直流磁控溅射法在镍锌铁氧体基片上制备的TaN薄膜电阻器,由于镍锌铁氧体基片表面平整性差,散热性能低,制得的电阻器功率为1 W。通过制作CaO-Al2O3-SiO2(CAS)玻璃釉,以丝网印刷的方式对基片表面进行处理,再经过850℃烧结处理,得... 采用反应直流磁控溅射法在镍锌铁氧体基片上制备的TaN薄膜电阻器,由于镍锌铁氧体基片表面平整性差,散热性能低,制得的电阻器功率为1 W。通过制作CaO-Al2O3-SiO2(CAS)玻璃釉,以丝网印刷的方式对基片表面进行处理,再经过850℃烧结处理,得到具有一定表面平整性的基片。基于处理后的铁氧体基片制作的TaN薄膜功率电阻器的功率显著提高,从1 W提升到了2.5 W。 展开更多

关键词 镍锌铁氧体基片 TaN薄膜电阻器 CAS玻璃釉 功率

下载PDF 职称材料

AlN薄膜对TaN薄膜电阻器功率影响研究

10

作者 赵祖静 张怀武 唐晓莉 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期920-922,共3页

利用直流磁控溅射,在镍锌铁氧体基片上制作的TaN薄膜电阻器,受到铁氧体表面及内部结构特性差且导热系数低的影响,功率密度只能达到0.91 W/mm^2。利用射频磁控溅射,在铁氧体基片与薄膜电阻器间镀上1.5μm厚的AlN薄膜缓冲层,可有效改善基... 利用直流磁控溅射,在镍锌铁氧体基片上制作的TaN薄膜电阻器,受到铁氧体表面及内部结构特性差且导热系数低的影响,功率密度只能达到0.91 W/mm^2。利用射频磁控溅射,在铁氧体基片与薄膜电阻器间镀上1.5μm厚的AlN薄膜缓冲层,可有效改善基片的表面特性及散热能力。带AlN薄膜缓冲层的TaN薄膜电阻器的功率密度可达3.76 W/mm^2。 展开更多

关键词 磁控溅射 镍锌铁氧体基片 AlN薄膜缓冲层 TaN薄膜电阻器 功率密度

下载PDF 职称材料

溅射功率对TaN薄膜电阻电性能的影响

11

作者 王飞 曹乾涛 《中国材料科技与设备》 2014年第3期1-3,共3页

本文利用直流反应磁控溅射技术，通过调节溅射功率于200℃、3％的氮分压条件在Al2O3基片上沉积了一系列TaN薄膜，并使用光刻工艺制备出相应的TaN薄膜电阻，研究了溅射功率对TaN薄膜电阻率、电阻温度系数（TCR）和功率容量的影响。实验... 本文利用直流反应磁控溅射技术，通过调节溅射功率于200℃、3％的氮分压条件在Al2O3基片上沉积了一系列TaN薄膜，并使用光刻工艺制备出相应的TaN薄膜电阻，研究了溅射功率对TaN薄膜电阻率、电阻温度系数（TCR）和功率容量的影响。实验结果表明：当溅射功率从200W增大到1000W，TaN薄膜电阻率逐渐减小，TCR绝对值从几百ppm／℃降为几十ppm／℃，功率容量呈现逐渐增大趋势。 展开更多

关键词 反应磁控溅射 溅射功率 TaN薄膜电阻 薄膜电阻率 TCR 功率容量

下载PDF 职称材料

基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器 被引量：2

12

作者 王斌 田兵 汪春霆 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期114-119,共6页

单个器件输出功率不满足系统要求时,功率合成技术是提高系统输出功率的有效方法.本文详细研究了基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器,最终设计了一种新型的基于薄膜电阻的波导E-T结.该结构具有高隔离度、低插入损耗、小体积、宽频... 单个器件输出功率不满足系统要求时,功率合成技术是提高系统输出功率的有效方法.本文详细研究了基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器,最终设计了一种新型的基于薄膜电阻的波导E-T结.该结构具有高隔离度、低插入损耗、小体积、宽频带等优点.通过合理设计薄膜电阻的长宽比,尽量增大薄膜电阻的面积,并且采用高导热的氮化铝陶瓷基板作为微带和薄膜电阻的介质基板,提高了基于薄膜电阻的波导E-T结承受的功率.利用三维电磁场仿真软件HFSS对其进行了建模仿真,加工的实物经过测试在25~34 GHz插入损耗小于0.2 d B,回波损耗优于-15 d B,隔离度优于10 d B.经对比,实测结果与仿真结果吻合,具有较好的工程应用价值. 展开更多

关键词 KA频段 功率分配/合成器 波导E-T结 薄膜电阻

下载PDF 职称材料

基于薄膜电阻的风动压检测系统 被引量：2

13

作者 田俊琦 秦会斌 华咏竹 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2021年第5期111-113,共3页

针对风动压检测,提出一种基于薄膜电阻检测风动压的方法。根据热平衡方程将薄膜电阻阻值转换成空气流速,风动压可通过伯努利方程转换空气流速获得。利用数字滤波去除采集到的异常数据,结合施密斯补偿去除传感器检测过程中的延迟,从而得... 针对风动压检测,提出一种基于薄膜电阻检测风动压的方法。根据热平衡方程将薄膜电阻阻值转换成空气流速,风动压可通过伯努利方程转换空气流速获得。利用数字滤波去除采集到的异常数据,结合施密斯补偿去除传感器检测过程中的延迟,从而得到准确可靠的风动压数据。试验表明:本文提出的基于薄膜电阻的风动压检测系统能够检测到空气流速和风动压,可以广泛运用于工业、农业、风速风压测量等研究领域。 展开更多

关键词 薄膜电阻 热平衡方程 伯努利方程 风动压 施密斯补偿

下载PDF 职称材料

印制电路板中隐埋薄膜电阻耐受ESD能力的研究 被引量：1

14

作者 方军良 陈小飞 时睿智 《电子工艺技术》 2016年第4期205-209,224,共6页

分析了常见的电子产品或设备和电子元器件的ESD静电放电模拟测试标准,将二者进行了对比,并提出了测试印制电路板中隐埋薄膜电阻的ESD静电放电模拟测试方法。通过实验,研究了隐埋薄膜电阻材料的方阻、电阻宽度、电阻长度/宽度(长宽比)、... 分析了常见的电子产品或设备和电子元器件的ESD静电放电模拟测试标准,将二者进行了对比,并提出了测试印制电路板中隐埋薄膜电阻的ESD静电放电模拟测试方法。通过实验,研究了隐埋薄膜电阻材料的方阻、电阻宽度、电阻长度/宽度(长宽比)、电阻形状以及ESD静电放电模拟测试设备对印制电路板中隐埋薄膜电阻的耐受ESD能力的影响,并通过功率分析,探讨了产生这些影响的机制。另外,还通过对ESD静电放电模拟测试失效样品的分析,研究了印制电路板中隐埋薄膜电阻ESD失效机理。 展开更多

关键词 ESD 静电放电 隐埋电阻 薄膜电阻

下载PDF 职称材料

一种四象限14位乘法型D/A转换器设计

15

作者 雷郎成 罗雁心 +5 位作者 刘虹宏 杜宇彬 高炜褀 张俊 吴秋霞 付东兵 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第4期572-576,共5页

设计了一种14位乘法型D/A转换器。采用高3位温度计编码、低11位二进制编码的分段电流模R-2R电阻网络结构,规避了高分辨率二进制电流模R-2R电阻网络开关尺寸大、版图匹配难度大的缺点。基于混合信号CMOS工艺进行了流片,实测DNL在±0.... 设计了一种14位乘法型D/A转换器。采用高3位温度计编码、低11位二进制编码的分段电流模R-2R电阻网络结构,规避了高分辨率二进制电流模R-2R电阻网络开关尺寸大、版图匹配难度大的缺点。基于混合信号CMOS工艺进行了流片,实测DNL在±0.5 LSB以内,INL在±0.8 LSB以内。该D/A转换器适用于工业控制、仪器仪表等领域。 展开更多

关键词 乘法型D/A转换器 电流模R-2R电阻网络 薄膜电阻 激光修调

下载PDF 职称材料

应用于40Gb/s电吸收调制器的Al_2O_3高速热沉研究 被引量：1

16

作者 田建柏 熊兵 +3 位作者 王健 蔡鹏飞 孙长征 罗毅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期105-108,共4页

设计制作了面向40Gb／s电吸收调制器（EAM）的高速微波过渡热沉，并进行了EAM管芯级封装测试的验证．这种基于氧化铝（Al2O3）的热沉采用共面波导（CPW）传输线以实现低损耗微波传送，以及Ta2N薄膜电阻用于EAM的阻抗匹配，采用Ti／Cu／N... 设计制作了面向40Gb／s电吸收调制器（EAM）的高速微波过渡热沉，并进行了EAM管芯级封装测试的验证．这种基于氧化铝（Al2O3）的热沉采用共面波导（CPW）传输线以实现低损耗微波传送，以及Ta2N薄膜电阻用于EAM的阻抗匹配，采用Ti／Cu／Ni／Au金属材料作为CPW传输线电极材料，从而保证CPW传输线与Ta2N电阻材料之间良好的电接触，使热沉的典型反射系数在0—40GHz范围内均达到优于-21dB的水平．作为验证，采用该种热沉用于高速EAM的管芯级封装，测试得到小信号调制响应带宽超过40GHz． 展开更多

关键词 高速热沉 电吸收调制器 共面波导传输线 薄膜电阻 阻抗匹配

下载PDF 职称材料

一种测量薄膜电阻器微弱噪声的放大电路设计 被引量：1

17

作者 吴晟 梁津津 +1 位作者 兰卉 刘宁 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2015年第3期62-66,共5页

针对薄膜电阻器微弱噪声信号的检测,设计了一种实用化的基于AD797集成运放芯片的低噪声放大电路。同时,在电路形式设计和器件选择两方面论述了放大电路设计要点,并在实验和理论的基础上分别进行了电路性能的验证和探测下限的讨论。实验... 针对薄膜电阻器微弱噪声信号的检测,设计了一种实用化的基于AD797集成运放芯片的低噪声放大电路。同时,在电路形式设计和器件选择两方面论述了放大电路设计要点,并在实验和理论的基础上分别进行了电路性能的验证和探测下限的讨论。实验结果表明:电路在10 Hz^10 MHz宽频带内的放大增益为1 210倍;电路在100Hz输出的噪声功率谱密度仅为3.12×10–18 V2·Hz–1。 展开更多

关键词 薄膜电阻器 微弱信号 放大电路 噪声测量 热噪声 1/f噪声

原文传递

用于40Gb/s光电子器件的新型低成本硅基过渡热沉 被引量：1

18

作者 熊兵 王健 +3 位作者 蔡鹏飞 田建柏 孙长征 罗毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期2001-2005,共5页

提出了一种新型低成本硅基过渡热沉,用以实现高达40Gb/s的高速光电子器件封装.采用高阻硅衬底作为热沉基底,制作出了0～40GHz范围内传输损耗小于0.165dB/mm的共面波导传输线.热沉中采用Ta2N薄膜电阻作为负载以实现器件的阻抗匹配,达到了... 提出了一种新型低成本硅基过渡热沉,用以实现高达40Gb/s的高速光电子器件封装.采用高阻硅衬底作为热沉基底,制作出了0～40GHz范围内传输损耗小于0.165dB/mm的共面波导传输线.热沉中采用Ta2N薄膜电阻作为负载以实现器件的阻抗匹配,达到了0～40GHz范围内低于-18dB的宽带低反射特性.和传统硅基平台相比,新型硅基热沉更具有制作工艺简单、导热性能良好等优点.为了证明其实用性,热沉被应用于高速电吸收调制器的管芯级封装测试,获得了超过33GHz的小信号调制带宽特性,在硅基热沉上首次实现可用于40Gb/s系统的光电子器件. 展开更多

关键词 宽带硅基过渡热沉 高速电吸收调制器 高阻率硅衬底 低损耗共面波导 薄膜电阻

下载PDF 职称材料

版图设计导致薄膜电阻率不均匀性的研究

19

作者 韦柳青 刘欣 《微电子学》 CAS CSCD 1992年第5期24-29,共6页

在薄膜混合集成电路的制作过程中,由于基片布线版图设计的电阻面积与导线面积的比例失调,薄膜电阻因受工艺加工过程中发烟硝酸去胶和热处理的影响而出现严重的电阻值不成比例偏离效应。这主要体现在R_□值随该电阻所连金属面积与该电阻... 在薄膜混合集成电路的制作过程中,由于基片布线版图设计的电阻面积与导线面积的比例失调,薄膜电阻因受工艺加工过程中发烟硝酸去胶和热处理的影响而出现严重的电阻值不成比例偏离效应。这主要体现在R_□值随该电阻所连金属面积与该电阻面积比例的增大而增大。 展开更多

关键词 混合集成电路 薄膜电阻 电阻网络

下载PDF 职称材料

镍铬合金靶材裂纹产生原因分析

20

作者 黄伟嘉 陈远星 +1 位作者 刘志坚 黄中越 《南方金属》 CAS 2015年第4期4-6,共3页

研究全返回料真空冶炼镍铬合金靶材产品内部产生裂纹的原因.通过金相显微镜、电子扫描显微镜等仪器进行观察检测,认为夹杂物是产生裂纹的主要因素,并通过加强对入炉料的清理和改进冶炼工艺等措施,减少和避免废品出现,改善材料质量,提高... 研究全返回料真空冶炼镍铬合金靶材产品内部产生裂纹的原因.通过金相显微镜、电子扫描显微镜等仪器进行观察检测,认为夹杂物是产生裂纹的主要因素,并通过加强对入炉料的清理和改进冶炼工艺等措施,减少和避免废品出现,改善材料质量,提高产品成材率,增强产品市场竞争力. 展开更多

关键词 薄膜电阻 镍铬合金 溅射靶材 夹杂物 裂纹

下载PDF 职称材料