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低温共烧陶瓷(LTCC)工艺的研究 被引量:19
1
作者 吕琴红 李俊 《电子工业专用设备》 2009年第10期22-25,共4页
低温共烧陶瓷(LTCC)技术是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术,已经成为无源集成的主流技术,成为无源元件领域的发展方向和新的元件产业的经济增长点。叙述了低温共烧陶瓷技术(LTCC)的制备工艺以及未来应用前景。
关键词 低温共烧陶瓷 ltcc工艺 基板
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低温共烧陶瓷(LTCC)技术应用进展 被引量:6
2
作者 曾志毅 王浩勤 尉旭波 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2007年第2期7-10,22,共5页
作为一种新兴的集成封装技术,低温共烧陶瓷(LTCC)技术以其优良的高频和高速传输特性、小型化、高可靠而备受关注。介绍了低温共烧陶瓷技术的工艺、材料特性、应用及发展趋势,分析其在功能模块领域应用的可行性。
关键词 ltcc技术 工艺 材料特性 应用 发展趋势
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浅谈LTCC工艺及设备的发展 被引量:2
3
作者 吕琴红 乔海灵 《山西电子技术》 2017年第3期94-96,共3页
低温共烧陶瓷(LTCC)技术作为一种新兴的集成封装技术,已成为无源集成的主流技术,在微电子封装陶瓷基板领域得到非常广泛的应用,并随着陶瓷基板集成度的不断提高,对工艺和设备的要求也在发生变化。本文就多个关键工序中工艺和设备的发展... 低温共烧陶瓷(LTCC)技术作为一种新兴的集成封装技术,已成为无源集成的主流技术,在微电子封装陶瓷基板领域得到非常广泛的应用,并随着陶瓷基板集成度的不断提高,对工艺和设备的要求也在发生变化。本文就多个关键工序中工艺和设备的发展趋势进行了研究,并提出了一些工艺难点的解决办法。 展开更多
关键词 低温共烧陶瓷 ltcc工艺 ltcc设备
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低温共烧陶瓷生坯块切割毛边的分析及改善
4
作者 徐鹏飞 张少峰 +2 位作者 朱思新 林亚梅 刘季超 《电子工艺技术》 2023年第6期60-63,共4页
生瓷坯切割作为低温共烧陶瓷(LTCC)工艺中的重要工序,对产品的外形尺寸和产品外观形貌具有关键的影响。针对热切时生坯外形毛边产生原因进行了分析,确定了浆料的分散特性、粘结剂含量及粘结剂/增塑剂的比值、切割温度是切割时产生毛边... 生瓷坯切割作为低温共烧陶瓷(LTCC)工艺中的重要工序,对产品的外形尺寸和产品外观形貌具有关键的影响。针对热切时生坯外形毛边产生原因进行了分析,确定了浆料的分散特性、粘结剂含量及粘结剂/增塑剂的比值、切割温度是切割时产生毛边的主要原因。通过对粉体形貌及粒度分布、浆料分散特性、浆料配方中的粘结剂含量以及粘结剂/增塑剂含量之比、切割温度进行优化,明显改善了切割毛边问题。 展开更多
关键词 ltcc工艺 切割 毛边 改善
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低温共烧片式多层带通滤波器仿真优化及制备 被引量:2
5
作者 邹佳丽 张启龙 +1 位作者 杨辉 陆德龙 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期29-31,34,共4页
采用AnsoftHFSS电磁场模拟仿真软件,对LTCC多层带通滤波器制备过程中的介质材料与工艺偏差进行模拟仿真,并与实际器件测试结果对比。研制的片式多层带通滤波器的偏差的允许范围是:微波介质陶瓷材料介电常数误差±2%,而品质因数由于... 采用AnsoftHFSS电磁场模拟仿真软件,对LTCC多层带通滤波器制备过程中的介质材料与工艺偏差进行模拟仿真,并与实际器件测试结果对比。研制的片式多层带通滤波器的偏差的允许范围是:微波介质陶瓷材料介电常数误差±2%,而品质因数由于本身较高,在一定范围内对滤波器的性能影响不大;工艺上应控制流延生瓷片厚度±1.5μm、叠层/切割误差±50μm,工艺中的分层缺陷则导致器件性能劣化,中心频率严重偏移。 展开更多
关键词 电子技术 ltcc 多层带通滤波器 工艺
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硼硅酸盐/氧化铝复合陶瓷基板的打印制备与性能研究 被引量:3
6
作者 尚立艳 伍权 +2 位作者 柴永强 王士强 李莹 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期64-68,共5页
基于3D打印技术,通过合理调配各材料之间的成分比例,精确控制打印参数与烧结工艺,成功制备出不同尺寸规格的硼硅酸盐/氧化铝陶瓷复合材料体系的低温共烧陶瓷(LTCC)基板,并对打印过程进行分析,对基板的微观结构、致密度以及介电性能进行... 基于3D打印技术,通过合理调配各材料之间的成分比例,精确控制打印参数与烧结工艺,成功制备出不同尺寸规格的硼硅酸盐/氧化铝陶瓷复合材料体系的低温共烧陶瓷(LTCC)基板,并对打印过程进行分析,对基板的微观结构、致密度以及介电性能进行了测试。结果表明:当打印速度为300 mm/min,气压为150 k Pa时打印的基板性能良好,表面粗糙度为(0.93±0.05)μm,厚度为(105±10.2)μm,在850℃烧结致密,密度可达(2.5±0.16)g/cm^3,晶粒均匀,且在2.4 GHz下测试试样的平均介电常数为5.4,介电损耗为0.0017,满足LTCC基板的使用要求。 展开更多
关键词 ltcc 浆料配置 3D打印 烧结工艺 微观结构 介电性能
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带通滤波器LTCC工艺优化研究 被引量:2
7
作者 张伟 秦超 贾少雄 《电子与封装》 2017年第3期5-9,共5页
针对LTCC(低温共烧陶瓷技术)带通滤波器结构以及制作工艺特点,对LTCC带通滤波器制作的过程工序进行试验及分析,确定了制作偏差超过设计容差的过程工序。以滤波器设计容差为参考依据分别对相关工序以及偏差量进行了详细分析,提出了针对... 针对LTCC(低温共烧陶瓷技术)带通滤波器结构以及制作工艺特点,对LTCC带通滤波器制作的过程工序进行试验及分析,确定了制作偏差超过设计容差的过程工序。以滤波器设计容差为参考依据分别对相关工序以及偏差量进行了详细分析,提出了针对性工艺优化措施,有效解决了滤波器中心频率偏移的问题。采用优化后工艺所制作的滤波器中心频率偏差由±30 MHz提高到±5 MHz,满足使用要求。 展开更多
关键词 ltcc 过程工序 工艺优化
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LTCC工艺自动切片技术 被引量:2
8
作者 姬臻杰 王海珍 +1 位作者 冯哲 吕琴红 《电子工艺技术》 2011年第1期45-47,共3页
切片是LTCC工艺中的生瓷片流延后的第一道工艺,切片技术的好坏直接影响到后续工艺,其关键点在于其切刀与生瓷片定位技术。在介绍LTCC切片工艺的基础上,重点讨论了切片技术中的关键切刀部分的技术特点、材料特性、工艺过程和工艺控制,并... 切片是LTCC工艺中的生瓷片流延后的第一道工艺,切片技术的好坏直接影响到后续工艺,其关键点在于其切刀与生瓷片定位技术。在介绍LTCC切片工艺的基础上,重点讨论了切片技术中的关键切刀部分的技术特点、材料特性、工艺过程和工艺控制,并分析了解决办法,介绍了该工艺在近期的应用和发展。 展开更多
关键词 切片技术 ltcc工艺 生瓷带
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基于神经网络与NSGA-Ⅱ算法的LTCC基板成型工艺优化 被引量:2
9
作者 彭泽令 周德俭 《半导体光电》 北大核心 2017年第3期375-381,共7页
低温共烧陶瓷(LTCC)基板制作工艺复杂,产品质量对工艺参数十分敏感,微小的成型缺陷就会影响其功能特性。文章将BP神经网络和多目标遗传算法——NSGA-Ⅱ(Nondominated Sorting Genetic AlgorithmⅡ)相结合用于LTCC基板在层压和烧结工艺... 低温共烧陶瓷(LTCC)基板制作工艺复杂,产品质量对工艺参数十分敏感,微小的成型缺陷就会影响其功能特性。文章将BP神经网络和多目标遗传算法——NSGA-Ⅱ(Nondominated Sorting Genetic AlgorithmⅡ)相结合用于LTCC基板在层压和烧结工艺过程中的工艺参数优化。根据LTCC基板成型过程中出现的微通道变形、互联金属柱错位、基板翘曲三种主要成型缺陷与相关工艺参数的正交仿真实验结果,对神经网络模型进行训练,建立了三种成型缺陷与工艺参数之间的神经网络预测模型。在此基础上,采用多目标遗传算法对三种成型缺陷相关工艺参数进行多目标优化求解,得到了较优的工艺参数组合,用于指导相关产品制作工艺设计。 展开更多
关键词 ltcc基板 层压 烧结 神经网络 遗传算法 工艺优化
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烧结工艺对LTCC低通滤波器与Ag共烧收缩匹配性的影响 被引量:1
10
作者 王胜刚 赵祥广 +3 位作者 陈志强 邓兵 刘玲 沈诗垚 《功能材料与器件学报》 CAS 2022年第6期529-533,共5页
低温共烧陶瓷(LTCC)技术是制备多层片式射频低通滤波器的关键,但实现异质材料的匹配共烧一直是研究的难题。通过优化升温速率、保温时间、烧结温度,深入分析烧结工艺对共烧收缩匹配性的影响,提出在链式烧结炉中以烧结温度860℃、升温速... 低温共烧陶瓷(LTCC)技术是制备多层片式射频低通滤波器的关键,但实现异质材料的匹配共烧一直是研究的难题。通过优化升温速率、保温时间、烧结温度,深入分析烧结工艺对共烧收缩匹配性的影响,提出在链式烧结炉中以烧结温度860℃、升温速率3.5℃/min、保温时间45 min制备出的低通滤波器,陶瓷基体与Ag电极共烧匹配良好,插入损耗从1.19降低至0.88,瓷体强度从15.67 N提高至32.28 N,1.5倍额定电流冲击后开路率从0.19%降低至0.05%,极大地提高其电性能、力学性能与可靠性,为后续研究异质材料匹配共烧奠定了基础。 展开更多
关键词 ltcc 烧结工艺 共烧收缩率 Ag电极
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片式抗EMI低通滤波器的LTCC工艺研究 被引量:2
11
作者 覃荣震 刘颖力 +1 位作者 燕文琴 张怀武 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第1期145-147,共3页
采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺实现抗电磁干扰(EMI)低通滤波器,针对在工艺流程中出现的各种问题,通过分析后提出解决方案,经反复实验,成功制作出与设计目标相符合的器件。所总结的工艺经验同样适用于基于LTCC工艺的其他器件。
关键词 低温共烧陶瓷 抗电磁干扰 低通滤波器 工艺
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LTCC滤波器综述及制造工艺研究 被引量:1
12
作者 李俊 李海燕 +1 位作者 乔海灵 王颖麟 《电子与封装》 2012年第8期30-32,共3页
首先简述了目前LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic,低温共烧陶瓷技术)滤波器的版图结构及其优劣,重点阐述了一种结构紧凑的600MHz低通滤波器的设计,及在这种滤波器制造过程中遇到的工艺难题及解决办法。该滤波器采用介电常数为7.8... 首先简述了目前LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic,低温共烧陶瓷技术)滤波器的版图结构及其优劣,重点阐述了一种结构紧凑的600MHz低通滤波器的设计,及在这种滤波器制造过程中遇到的工艺难题及解决办法。该滤波器采用介电常数为7.8、损耗角正切为0.006的微波陶瓷材料,并用场路结合的方法完成其设计,整个器件的尺寸为5.1mm×3.3mm×1.6mm。运用矢量网络分析仪对加工出来的样品进行测试,通过测试数据可以看到,通带最大插入损耗为1.8dB,满足设计指标的要求。该滤波器尺寸小且具有良好的频率响应曲线,在小型化微波通信系统及雷达系统中有着广阔的应用前景。 展开更多
关键词 ltcc滤波器 版图结构 工艺 插入损耗
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制备工艺对低温烧结Ni-Cu-Zn铁氧体/BaTiO_3复合材料性能的影响
13
作者 凌味未 许诚昕 +2 位作者 马文英 聂海 陈祝 《成都信息工程学院学报》 2014年第2期117-120,共4页
采用2种复合工艺流程在900°C和950°C制备了适用于低温共烧陶瓷(LTCC)工艺的Ni-Cu-Zn铁氧体/BaTiO3复合材料。对比研究了不同工艺流程下,烧结温度及助剂用量变化对复合体系烧结性能和电磁性能的影响。900°C烧结时,在铁氧... 采用2种复合工艺流程在900°C和950°C制备了适用于低温共烧陶瓷(LTCC)工艺的Ni-Cu-Zn铁氧体/BaTiO3复合材料。对比研究了不同工艺流程下,烧结温度及助剂用量变化对复合体系烧结性能和电磁性能的影响。900°C烧结时,在铁氧体预烧前添加BaTiO3(工艺流程Ⅱ)制备的复合材料比在铁氧体预烧后添加BaTiO3(工艺流程Ⅰ)制备的复合材料有更高的烧结密度(5.40g/cm3)和Snoek乘积(5.56GHz);950°C烧结时,工艺流程Ⅱ制备的复合材料的介电性能优于工艺流程Ⅰ制备的。 展开更多
关键词 复合材料 ltcc 工艺流程 磁性能 介电性能
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LTCC层压工艺对垂直互联柱错位的影响
14
作者 罗天宏 廖志平 周德俭 《桂林电子科技大学学报》 2016年第5期421-425,共5页
针对垂直互联柱在LTCC层压过程中产生错位的问题,采用ANSYS有限元仿真软件建立了一种LTCC微波组件的三维模型,分析了LTCC层压工艺参数与垂直互联柱错位的关系。分析结果表明:材料在层压过程中产生的粘性变形是最终导致垂直互联柱产生错... 针对垂直互联柱在LTCC层压过程中产生错位的问题,采用ANSYS有限元仿真软件建立了一种LTCC微波组件的三维模型,分析了LTCC层压工艺参数与垂直互联柱错位的关系。分析结果表明:材料在层压过程中产生的粘性变形是最终导致垂直互联柱产生错位的原因,压力是导致垂直互联柱产生错位的主要因素;选用压力10 MPa、温度50℃、时间6min的层压工艺参数组合,得到的直径0.26mm的垂直互联柱错位度为1.39%。 展开更多
关键词 ltcc 层压工艺 垂直互联柱 错位
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Wetting Behaviour of Glasses on Nanostructured Silicon Surfaces
15
作者 Sebastian Gropp Michael Fischer +3 位作者 Lars Dittrich Beate Capraro Jens Mtiller Martin Hoffmann 《Journal of Electrical Engineering》 2015年第1期15-20,共6页
The behavior of molten glass on nanostructured silicon surface is of essential importance for the fabrication of a strong bond interface between glass (or glass-based ceramic tapes) and silicon. It was found that ty... The behavior of molten glass on nanostructured silicon surface is of essential importance for the fabrication of a strong bond interface between glass (or glass-based ceramic tapes) and silicon. It was found that typical glasses do not wet the silicon surface that is always coated with a thin silica layer. It is shown that the high surface tension of molten glasses at high temperatures in combination with the dewetting surface of the structured silicon prohibits the formation of an interlocking bond between the two substrates. The theory of wetting can be applied to molten glasses, too. As a consequence, a similar solution as for liquids is investigated: the surface has to be chemically modified to become wettable. Investigations with sputtered metals on the nanostructured silicon improve wetting of the surface and result in a better bond homogeneity of the SiCer compound during sintering with low pressure. 展开更多
关键词 SiCer silicon-on-ceramics ltcc wetting behaviour pressure-assisted sintering process.
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LTCC技术简介及其发展现状 被引量:14
16
作者 侯旎璐 汪洋 刘清超 《电子产品可靠性与环境试验》 2017年第1期50-55,共6页
低温共烧陶瓷(LTCC)是一种在低温条件(低于1 000℃)下将低电阻率的金属导体(如银、铜等)和陶瓷基体材料共同烧结而成的多层结构。LTCC技术最大的特点之一就是其实现了利用不同层来制作3D结构的可能性。随着技术的发展,对电子元器件和组... 低温共烧陶瓷(LTCC)是一种在低温条件(低于1 000℃)下将低电阻率的金属导体(如银、铜等)和陶瓷基体材料共同烧结而成的多层结构。LTCC技术最大的特点之一就是其实现了利用不同层来制作3D结构的可能性。随着技术的发展,对电子元器件和组件的性能和功能的要求越来越高,而对于产品的尺寸却要求其越来越小,LTCC技术恰好能满足这两方面的要求,因而其在微电子领域得到了广泛的应用。对LTCC的工艺流程、技术特点、应用领域和市场前景进行了介绍,以期对相关技术人员更加全面地了解LTCC技术有所帮助。 展开更多
关键词 低温共烧陶瓷 艺流程 技术特点 应用领域
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适于薄膜布线工艺的低温共烧陶瓷基板研究 被引量:3
17
作者 吕安国 王从香 谢廉忠 《微波学报》 CSCD 北大核心 2012年第S1期288-291,共4页
基于LTCC厚薄膜混合基板的MCM-C/D多芯片组件技术,对LTCC技术和薄膜技术进行优势互补,兼具LTCC技术和薄膜技术的优点,可满足电子整机高频、宽带的应用需求。为了制备满足薄膜工艺布线的LTCC多层基板,研究了层压压力和烧结温度对A6-M LTC... 基于LTCC厚薄膜混合基板的MCM-C/D多芯片组件技术,对LTCC技术和薄膜技术进行优势互补,兼具LTCC技术和薄膜技术的优点,可满足电子整机高频、宽带的应用需求。为了制备满足薄膜工艺布线的LTCC多层基板,研究了层压压力和烧结温度对A6-M LTCC多层基板致密性的影响。研究结果表明,层压压力对致密性的影响不明显,而烧结温度对LTCC的致密性有明显的影响。875℃烧结的基板试样的致密性最好,烧结温度较低,基板表现为欠烧,烧结温度过高,则表现为过烧结。按照优化工艺制备的LTCC基板,抛光后粗糙度Ra值达到10~15nm,可初步满足薄膜工艺布线的要求,基板表面薄膜工艺单层布线的最小线宽线间距为20微米。 展开更多
关键词 ltcc 薄膜工艺 致密性 粗糙度
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低温共烧陶瓷翘曲度改进工艺研究 被引量:4
18
作者 严蓉 戴雷 曹常胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期192-196,共5页
提出了一种改进低温共烧陶瓷基板翘曲度的工艺方法。根据对实际工艺过程的观察及相关理论分析,发现烧结时承烧板的表面状态是影响基板翘曲度的关键因素之一,据此提出相应的改进方案,采用新型承烧板替代原有的承烧板进行烧结工艺,基... 提出了一种改进低温共烧陶瓷基板翘曲度的工艺方法。根据对实际工艺过程的观察及相关理论分析,发现烧结时承烧板的表面状态是影响基板翘曲度的关键因素之一,据此提出相应的改进方案,采用新型承烧板替代原有的承烧板进行烧结工艺,基板翘曲度得到了较大的改善,所烧结基板的起伏由原先的150~250μm,改善到80~110μm,较好地满足了后续微组装工艺的使用要求。 展开更多
关键词 低温共烧陶瓷 翘曲度 工艺研究
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LTCC生产过程中易出现的问题及解决办法 被引量:2
19
作者 张孝其 祁可 《电子工业专用设备》 2010年第9期41-44,共4页
提高成品率是LTCC生产线上的一个重要环节,通过实验,对生产过程中某些关键工艺的突出问题,即:不合格品的补救工艺和改进措施,通过半成品的人工补救进而提高产品成品率。
关键词 ltcc生产工艺 不合格品 改进措施 成品率
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LTCC生瓷带的环境、工艺与材料适应性要求研讨 被引量:2
20
作者 何中伟 高亮 李冉 《电子工艺技术》 2021年第5期255-260,288,共7页
根据应用场合与特点,研究提出了LTCC生瓷带对使用环境、工艺与材料的适应性要求,包括应具有优良的表面质量、稳定的生片尺寸、合适的揭膜特性、较高的抗拉强度,以及适用于基本的LTCC落片、打孔、填孔、网印、叠片、层压、切片、共烧工... 根据应用场合与特点,研究提出了LTCC生瓷带对使用环境、工艺与材料的适应性要求,包括应具有优良的表面质量、稳定的生片尺寸、合适的揭膜特性、较高的抗拉强度,以及适用于基本的LTCC落片、打孔、填孔、网印、叠片、层压、切片、共烧工艺及其配套的浆料。结合用户的工艺与测试平台条件,研究讨论了对相关适应性进行检测和评价的步骤与方法。 展开更多
关键词 ltcc生瓷带 环境适应性 工艺与材料适应性 检测和评价 检测方法
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