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溅射工艺参数对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜沉积速率和介电性能的影响 被引量:7
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作者 林明通 陈国荣 +2 位作者 杨云霞 肖田 楼均辉 《真空》 CAS 北大核心 2005年第6期39-42,共4页
铁电/介电BST(B axS r1-xT iO3)薄膜在微电子学、集成光学和光电子学等新技术领域有广泛的应用前景。用射频磁控溅射方法制备了厚约700 nm的B a0.5S r0.5T iO3薄膜,采用A l/BST/ITO结构研究了溅射功率、溅射气压、O2/(A r+O2)比和基片... 铁电/介电BST(B axS r1-xT iO3)薄膜在微电子学、集成光学和光电子学等新技术领域有广泛的应用前景。用射频磁控溅射方法制备了厚约700 nm的B a0.5S r0.5T iO3薄膜,采用A l/BST/ITO结构研究了溅射功率、溅射气压、O2/(A r+O2)比和基片温度对上述BST薄膜沉积速率和介电性能的影响,并根据这些结果分析了较优的工艺条件,同时用XRD、XPS和SEM研究了薄膜的晶相、组成和显微结构。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 ba0.5sr0.5tio3薄膜 沉积速率 介电常数 击穿场强 品质因子
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(Ba_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3铁电薄膜的制备工艺及电学性质研究 被引量:5
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作者 赵敏 张荣君 +1 位作者 顾豪爽 徐纪平 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期71-74,共4页
采用溶胶 凝胶方法制备出纯立方钙钛矿相、介电性能和漏电流特性良好的 (Ba0 .5Sr0 .5)TiO3 铁电薄膜 .研究发现 ,随着烧结温度的升高 ,(Ba0 .5Sr0 .5)TiO3 薄膜纯度和结晶度增高 ,介电常数提高 ,漏电流密度降低 .在 75 0℃进行保温 1... 采用溶胶 凝胶方法制备出纯立方钙钛矿相、介电性能和漏电流特性良好的 (Ba0 .5Sr0 .5)TiO3 铁电薄膜 .研究发现 ,随着烧结温度的升高 ,(Ba0 .5Sr0 .5)TiO3 薄膜纯度和结晶度增高 ,介电常数提高 ,漏电流密度降低 .在 75 0℃进行保温 1h热处理的薄膜性能较好且稳定 :在室温下测得薄膜介电常数为 2 5 0 ,介电损耗为 0 .0 30 ,漏电流密度为 6 .9× 10 -8A/cm2 .较高的介电常数、较低的漏电流密度可能源于良好的纯度和结晶度 .进一步研究表明 ,薄膜导电遵从空间电荷限制电流机制 . 展开更多
关键词 (ba0.5sr0.5)tio3 铁电薄膜 制备工艺 电学性质 溶胶-凝胶法 介电性能 漏电流密度 钛酸锶钡
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改进水热法制备Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜及其表征 被引量:3
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作者 赖欣 高道江 毕剑 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1673-1676,共4页
采用改进水热法(金属Ti片与等浓度的Ba2+,Sr2+强碱性溶液于250℃水热反应5h,然后经过600℃,0.5h烧结处理)制备了单一立方相的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜。制备的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜通过XRD,SEM和XPS进行表征分析。结果表明:600℃下经过0.5h烧... 采用改进水热法(金属Ti片与等浓度的Ba2+,Sr2+强碱性溶液于250℃水热反应5h,然后经过600℃,0.5h烧结处理)制备了单一立方相的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜。制备的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜通过XRD,SEM和XPS进行表征分析。结果表明:600℃下经过0.5h烧结处理的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜结晶更完整;同时,制备的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜表面吸附有OH,经过10min刻蚀处理后,吸附的OH能谱峰消失。 展开更多
关键词 改进 水热 制备 ba0.5sr0.5tio3薄膜 表征
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热处理温度对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜结构与性能影响的研究
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作者 于乐海 付兴华 《现代技术陶瓷》 CAS 2006年第3期16-19,共4页
采用HPAgilent4294A阻抗分析仪、X衍射、扫描电镜等测试方法研究了热处理温度对BaxSr1-xTiO3(BST)薄膜结构与性能的影响。当升/降温速率为0.5~1℃/min时,得到的薄膜表面均匀、无裂纹、孔洞。经过750℃退火处理后,薄膜的介电性能最佳,... 采用HPAgilent4294A阻抗分析仪、X衍射、扫描电镜等测试方法研究了热处理温度对BaxSr1-xTiO3(BST)薄膜结构与性能的影响。当升/降温速率为0.5~1℃/min时,得到的薄膜表面均匀、无裂纹、孔洞。经过750℃退火处理后,薄膜的介电性能最佳,即具有较高的相对介电常数和较小的介质损耗。 展开更多
关键词 升/降温速率 退火 钛酸锶钡薄膜 介电性能 结构特征
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沉积温度和退火处理对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3介电性能的影响
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作者 楼均辉 林明通 +3 位作者 陈国荣 杨云霞 肖田 陈晨曦 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第F05期351-353,共3页
采用射频磁控溅射法在ITO/Coming1737玻璃基片上制备了用于无机EL绝缘层厚约700hm的Ba0.5-Sr0.5TiO3介电薄膜,研究了沉积温度和退火处理对薄膜介电性能的影响。实验表明,随着沉积温度的升高,薄膜的介电常数、介电损耗、正反向漏电... 采用射频磁控溅射法在ITO/Coming1737玻璃基片上制备了用于无机EL绝缘层厚约700hm的Ba0.5-Sr0.5TiO3介电薄膜,研究了沉积温度和退火处理对薄膜介电性能的影响。实验表明,随着沉积温度的升高,薄膜的介电常数、介电损耗、正反向漏电流密度增加,击穿场强下降。对于在500℃下沉积的薄膜在550~700℃、1.8×10^-2Pa氧气氛中进行30min退火处理,结果发现在550℃和600℃下热处理介电损耗有所改善,其它参数都劣化;在650℃-700℃下热处理介电常数显著增加,其它性能都变差。 展开更多
关键词 ba0.5sr0.5tio3薄膜 介电性能 沉积温度 退火处理
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Effect of (Ba+Sr)/Ti ratio on dielectric and tunable properties of Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3 thin film prepared by sol-gel method
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作者 朱伟诚 彭东文 +1 位作者 程晋荣 孟中岩 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2006年第B01期261-265,共5页
Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) thin films were fabricated on Pt coated Si (100) substrates by sol-gel techniques with molar ratio of (Ba+Sr) to Ti changing from 0.76 to 1.33. The effect of (Ba+Sr)/Ti ratio deviating from the st... Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) thin films were fabricated on Pt coated Si (100) substrates by sol-gel techniques with molar ratio of (Ba+Sr) to Ti changing from 0.76 to 1.33. The effect of (Ba+Sr)/Ti ratio deviating from the stoichiometry on microstructure, grain growth, dielectric and tunable properties of BST thin films were investigated. TiO2 and (Ba,Sr)2TiO4 were found as a second phase at the ratios of 0.76 and 1.33, respectively. The variation of the ratio reveals more significant effect on the grain size in B-site rich samples than that in A-site rich samples. The dissipation factor decreases rapidly from 0.1 to 0.01 at 1 MHz with decreasing (Ba+Sr)/Ti ratio. The tunability increases with decreasing ratio from 1.33 to 1.05, and then decreases with decreasing ratio from 1.05 to 0.76. The film with (Ba+Sr)/Ti ratio of 1.05 has a maximum tunability of 32% and a dissipation factor of 0.03 at 1 MHz. 展开更多
关键词 ba0.6sr0.4tio3薄膜 溶胶-凝胶法 制备 (钡+锶)/钛配比 介电性质
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衬底材料对Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜介电性能的影响
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作者 娄建忠 李振娜 +4 位作者 方晓燕 代秀红 宋安英 宋建民 刘保亭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期951-955,共5页
采用脉冲激光沉积系统分别在LaAlO_3(001)和MgO(001)衬底上沉积了Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST)薄膜,以Pt做电极分别构架了Pt/BST/MgO和Pt/BST/LaAlO_3叉指电容器。利用X射线衍射仪、原子力显微镜和Aglient E4980LCR表分别对两种薄膜的结... 采用脉冲激光沉积系统分别在LaAlO_3(001)和MgO(001)衬底上沉积了Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST)薄膜,以Pt做电极分别构架了Pt/BST/MgO和Pt/BST/LaAlO_3叉指电容器。利用X射线衍射仪、原子力显微镜和Aglient E4980LCR表分别对两种薄膜的结构、表面形貌和介电特性进行表征。研究发现:两种衬底都可以实现BST(001)薄膜的外延生长,MgO和LaAlO_3衬底上BST薄膜的晶粒尺寸分别为52 nm和42 nm。在室温40 V偏置电压下,Pt/BST/MgO和Pt/BST/LaAlO_3的调谐率分别为39.68%和29.55%,最低损耗分别为0.029和0.053。这说明衬底材料的晶格常数不同,最终导致了BST薄膜介电性能的不同。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 ba0.6sr0.4tio3薄膜 外延 介电性能
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高度(100)取向的Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3/LaNiO_3周期薄膜的制备及薄膜铁电性能研究
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作者 杨隽 余萍 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期786-789,共4页
Highly(100)-oriented Ba0.8Sr0.2TiO3/LaNiO3 multilayer films have been prepared on different substrates by chemical solution deposition.The microstructure,interface,thickness and morphologies were characterized by XRD,... Highly(100)-oriented Ba0.8Sr0.2TiO3/LaNiO3 multilayer films have been prepared on different substrates by chemical solution deposition.The microstructure,interface,thickness and morphologies were characterized by XRD,FESEM and AFM techniques,respectively.The results reveal that the multilayer films display satisfied microstructure,clear interface,smooth surface and dense structure,especially,the orientation factor of the 4-period multilayer films can be 0.92 from XRD data and the thickness is about 500nm.The annealing processing plays an important role on the ferroelectric property of highly(100)-oriented multilayer films. 展开更多
关键词 多层膜 钛酸锶钡薄膜 铁电性
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