Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3薄膜的制备、结构及性能研究 被引量：13

1

作者 叶扬 丁爱丽 +1 位作者 唐新桂 罗维根 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期125-130,共6页

研究了一种以乙二醇为稳定剂的新的ＢＳＴ前驱液，用ｓｏｌ－ｇｅｌ法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）基底上成功地制备出具有优良电学性能的Ｂａ０．７Ｓｒ０．３　ＴｉＯ３薄膜．乙二醇的加入有效地增加了前驱液的稳定性，并... 研究了一种以乙二醇为稳定剂的新的ＢＳＴ前驱液，用ｓｏｌ－ｇｅｌ法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）基底上成功地制备出具有优良电学性能的Ｂａ０．７Ｓｒ０．３　ＴｉＯ３薄膜．乙二醇的加入有效地增加了前驱液的稳定性，并降低薄膜的结晶温度．利用ＸＲＤ、ＤＴＡ等技术分析了凝胶热处理过程中相变化情况及薄膜厚度与成相的关系．厚度 ２００ｎｍ，Ｏ２气氛中 ７００℃处理 １５ｍｉｎ后的 ＢＳＴ薄膜具有良好的介电性能，１００ｋＨｚ时介电常数ε＞４００，介电损耗 Ｄ＜０．０２；Ｐ—Ｅ电滞回线说明薄膜具有良好的铁电性能，剩余极化只约为１．４μＣ／ｃｍ２，矫顽场强 Ｅｃ约为 ４８ｋＶ／ｃｍ． 展开更多

关键词 bst薄膜 溶胶-凝胶法 乙二醇 P-E电滞回线 制备 结构 性能 钛酸锶钡 铁电薄膜

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Sol-Gel法制备Ba_xSr_(1-x)TiO_3铁电薄膜化学机制的探讨 被引量：8

2

作者 金承钰 丁永平 孟中岩 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期287-292,共6页

用ＦＴＩＲ分析，结合ＤＳＣ、ＸＲＤ、ＡＦＭ实验结果，展示了ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备ＢａｘＳｒ１－ｘＴｉＯ３（ＢＳＴ）薄膜热演化过程的化学机制．研究表明：螯合剂ＨＡＣＡＣ的引入减缓钛醇盐水解速率、改善晶化途径、降低结晶起始... 用ＦＴＩＲ分析，结合ＤＳＣ、ＸＲＤ、ＡＦＭ实验结果，展示了ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备ＢａｘＳｒ１－ｘＴｉＯ３（ＢＳＴ）薄膜热演化过程的化学机制．研究表明：螯合剂ＨＡＣＡＣ的引入减缓钛醇盐水解速率、改善晶化途径、降低结晶起始温度，从而制得了晶化完善、致密无裂纹的ＢＳＴ薄膜． 展开更多

关键词 bst薄膜 sol-gel工艺 铁电薄膜

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BST薄膜铁电移相器研究进展 被引量：7

3

作者 余慧春 徐爱兰 惠春 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期59-62,共4页

钛酸锶钡(BST)薄膜因其具有高的介电调谐量,相对低的损耗tgδ和快的开关速度,在微波移相器的应用中显示出巨大优势。介绍了改善BST薄膜的介电性能的有效方法,衬底材料的选择,以及BST薄膜铁电移相器的结构类型和研究进展。

关键词 微波技术 钛酸锶钡薄膜 铁电移相器 综述 介电性能

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化学溶液法制备的Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3薄膜的结构及光学特性研究 被引量：10

4

作者 王根水 赖珍荃 +7 位作者 于剑 孟祥建 孙憬兰 郭少令 褚君浩 金承钰 李刚 路庆华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期37-40,共4页

采用高度稀释的前驱体溶液在LaNiO3 (LNO)薄膜上沉积了Ba0 .9Sr0 .1TiO3 (BST)薄膜 .X 射线衍射分析表明BST薄膜呈高度的 (10 0 )择优取向 .原子力显微镜测量发现制备的BST薄膜具有大的晶粒尺寸 80～ 2 0 0nm .用椭偏光谱仪测量了光子... 采用高度稀释的前驱体溶液在LaNiO3 (LNO)薄膜上沉积了Ba0 .9Sr0 .1TiO3 (BST)薄膜 .X 射线衍射分析表明BST薄膜呈高度的 (10 0 )择优取向 .原子力显微镜测量发现制备的BST薄膜具有大的晶粒尺寸 80～ 2 0 0nm .用椭偏光谱仪测量了光子能量为 0 .7～ 3.4eV范围内BST薄膜的椭偏光谱 ,用Cauchy模型描述BST薄膜的光学性质 ,获得了BST薄膜的光学常数谱和禁带宽度Eg=3.36eV . 展开更多

关键词 化学溶液法 bst薄膜 椭偏光谱 光学常数谱 制备 结构 光学特性 钛酸锶钡化合物 钛电薄膜 Ba0.9Sr0.1TiO3

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改进sol-gel技术BST薄膜的制备及性能研究 被引量：4

5

作者 姜胜林 曾亦可 +1 位作者 刘少波 刘梅冬 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期365-367,共3页

　为了制备高性能BST薄膜,采用改进的溶胶 凝胶(sol gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了不同结构、不同组成的BST薄膜;研究了BST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能。XRD分析表明,当热处理温度为750℃时,得到完整钙钛矿结构的薄膜材... 　为了制备高性能BST薄膜,采用改进的溶胶 凝胶(sol gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了不同结构、不同组成的BST薄膜;研究了BST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能。XRD分析表明,当热处理温度为750℃时,得到完整钙钛矿结构的薄膜材料。SEM电镜显示,含种子层的Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ3种不同类型的BST薄膜的结晶状况有很大改善。得到的BST20薄膜的介电峰温区覆盖常温段,介电常数为405,介电损耗为0.011,剩余极化强度为Pr=2.3μC·cm-2,矫顽场为Ec=45kV/cm。 展开更多

关键词 改进sol-gel方法 bst薄膜 电性能

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钛酸锶钡薄膜掺杂改性研究进展 被引量：4

6

作者 方瑜 肖定全 +1 位作者 刘娟妮 朱建国 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期106-109,共4页

钛酸锶钡(Ba_xSr_(1-x)TiO_3,BST)薄膜具有优良的铁电、介电性能,在可调谐微波器件、动态随机存储器、红外探测器阵列等方面具有良好的应用前景。综述了近年来 BST 薄膜掺杂改性研究所取得的进展,特别是对晶格掺杂和晶界掺杂进行了较详... 钛酸锶钡(Ba_xSr_(1-x)TiO_3,BST)薄膜具有优良的铁电、介电性能,在可调谐微波器件、动态随机存储器、红外探测器阵列等方面具有良好的应用前景。综述了近年来 BST 薄膜掺杂改性研究所取得的进展,特别是对晶格掺杂和晶界掺杂进行了较详细的评述,并对目前 BST 薄膜掺杂研究的几个前沿问题进行了详细的讨论。 展开更多

关键词 钛酸锶钡薄膜 掺杂改性 铁电薄膜

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溶胶-凝胶法制备外延Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜及其结构与性能研究 被引量：5

7

作者 章天金 王玮 杨向荣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期393-396,共4页

应用溶胶 凝胶技术在Pt MgO(10 0 )衬底上成功地制备了Ba0 .65Sr0 .3 5TiO3 外延薄膜 .XRD和SEM分析结果表明 :该薄膜在O2 气氛中 6 5 0℃热处理 1h后 ,其 (0 0 1)面是沿着Pt(10 0 )和MgO(10 0 )面外延取向生长的 ;薄膜表面均匀致密 ,... 应用溶胶 凝胶技术在Pt MgO(10 0 )衬底上成功地制备了Ba0 .65Sr0 .3 5TiO3 外延薄膜 .XRD和SEM分析结果表明 :该薄膜在O2 气氛中 6 5 0℃热处理 1h后 ,其 (0 0 1)面是沿着Pt(10 0 )和MgO(10 0 )面外延取向生长的 ;薄膜表面均匀致密 ,厚度为2 6 0nm ,平均晶粒大小为 4 8.5nm .当测试频率为 10kHz时 ,BST薄膜的介电常数和损耗因子分别为 4 80和 0 .0 2 .介电常数 温度关系测试结果表明 :sol gel工艺制备的Ba0 .65Sr0 .3 5TiO3 薄膜其居里温度在 35℃左右 ,且在该温度下Ba0 .65Sr0 .3 5TiO3 薄膜存在扩散铁电相变特征 .当外加偏置电压为 3V时 ,BST薄膜的漏电流密度为 1.5× 10 -7A cm2 .该薄膜可作为制备新型非制冷红外焦平面阵列和先进非制冷红外热像仪的优选材料 . 展开更多

关键词 薄膜 溶胶-凝胶工艺 外延生长 电性能

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BST铁电薄膜材料的研究现状及其进展 被引量：5

8

作者 苗鸿雁 马景云 +1 位作者 谈国强 孙正球 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期99-101,105,共4页

铁电钛酸锶钡(Ba_xSr_(1-x))TiO_3是一种具有十分优越铁电/介电性能的材料,在可调微波器件及动态随机存储器件方面有很好的应用前景。介绍了钛酸锶钡薄膜材料的基本结构、制备技术、掺杂改性等方面的研究现状.并在性能改善的基础上,指... 铁电钛酸锶钡(Ba_xSr_(1-x))TiO_3是一种具有十分优越铁电/介电性能的材料,在可调微波器件及动态随机存储器件方面有很好的应用前景。介绍了钛酸锶钡薄膜材料的基本结构、制备技术、掺杂改性等方面的研究现状.并在性能改善的基础上,指出了该材料的未来发展方向。 展开更多

关键词 钛酸锶钡薄膜 性能改善 微波器件 存储器

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Mg掺杂对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜介电性能的影响 被引量：3

9

作者 章天金 顾豪爽 刘江华 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2002年第6期51-52,59,共3页

应用Sol-Gel工艺制备了组份为(1-y)Ba 0.6Sr0.4TiO3-yMgO的薄膜材料,研究了Mg掺杂BST薄膜晶相结构、介电性能以及绝缘性能的影响规律.实验发现:随着Mg掺杂量的增加,BST薄膜的介电常数、损耗因子以及电容变化率减小,其电阻率则增加;当Mg... 应用Sol-Gel工艺制备了组份为(1-y)Ba 0.6Sr0.4TiO3-yMgO的薄膜材料,研究了Mg掺杂BST薄膜晶相结构、介电性能以及绝缘性能的影响规律.实验发现:随着Mg掺杂量的增加,BST薄膜的介电常数、损耗因子以及电容变化率减小,其电阻率则增加;当Mg掺杂量分数为5%时,其介电常数为380,损耗因子为0.013,电容变化率为17.5%,电阻率为1.0×1012Ω@crm. 展开更多

关键词 Mg掺杂 bst薄膜 介电性能 镁掺杂 钛酸锶钡薄膜 铁电薄膜

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BST薄膜的Sol-Gel法制备及其电学性能的研究 被引量：3

10

作者 章天金 李东 +1 位作者 徐超 黄卫华 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第2期145-148,共4页

应用溶胶 -凝胶 (Sol- Gel)工艺制备了组分为 r(Ba∶ Sr) =0 .6 5∶ 0 .35的 BST薄膜 ,研究了 BST薄膜的显微结构、介电特性和漏电流特性 ,实验结果表明 :BST薄膜经 6 5 0°C热处理后 ,已形成完整的立方钙钛矿结构 ,薄膜经 90 0... 应用溶胶 -凝胶 (Sol- Gel)工艺制备了组分为 r(Ba∶ Sr) =0 .6 5∶ 0 .35的 BST薄膜 ,研究了 BST薄膜的显微结构、介电特性和漏电流特性 ,实验结果表明 :BST薄膜经 6 5 0°C热处理后 ,已形成完整的立方钙钛矿结构 ,薄膜经 90 0°C热处理后 ,其表面光滑、致密、无裂纹、无针孔 ,圆球形的小颗粒均匀分布。当偏置电压为 0时 ,BST薄膜的介电常数和损耗因子分别为 5 4 2和 0 .0 35。漏电流特性分析结果表明 :采用 Ru O2 作为底电极 ,在 1.5 V的偏压下 BST薄膜的漏电流密度为 0 .5 2 μΑ/cm2 ,该值比 Pt/Ru O2 混合底电极上制备的 BST薄膜的漏电流密度 (72 n A/cm2 )大 1个数量级 ,因此 ,Pt/Ru O2 混合底电极既克服了 Ru O2 底电极漏电流大的缺点 ,又解决了 Pt底电极难以刻蚀的困难 。 展开更多

关键词 SOL-GEL法 制备 电学性能 bst薄膜

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Zn掺杂对BST薄膜介电调谐性能的影响 被引量：2

11

作者 陈章红 印志强 赵兴中 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期13-15,共3页

用sol-gel法在Pt/SiO2/Si基片上制备了未掺杂和掺杂Zn的钛酸锶钡(BST)薄膜。用XRD对BST薄膜进行了物相分析,研究了Zn掺杂对薄膜的表面形貌和介电调谐性能的影响。结果表明:室温下,随着Zn加入量的增加,BST薄膜的介电常数减小,介质损耗降... 用sol-gel法在Pt/SiO2/Si基片上制备了未掺杂和掺杂Zn的钛酸锶钡(BST)薄膜。用XRD对BST薄膜进行了物相分析,研究了Zn掺杂对薄膜的表面形貌和介电调谐性能的影响。结果表明:室温下,随着Zn加入量的增加,BST薄膜的介电常数减小,介质损耗降低,介电调谐量增加。x(Zn)为0.025的BST薄膜具有最大的优越因子(FOM),其值为29.28。 展开更多

关键词 无机非金属材料 bst薄膜 掺杂 退火 介电性能 sol—gel法

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溶胶–凝胶法制备BST薄膜的结晶特性研究 被引量：2

12

作者 方瑜 肖定全 +3 位作者 袁小武 于光龙 卢苇 朱建国 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期25-28,共4页

采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)工艺配制了(Ba0.65,Sr0.35)TiO3(BST)溶胶.利用旋转涂覆工艺将BST溶胶涂覆在SiO2/Si衬底上,在不同的热处理条件下制备出BST薄膜.XRD分析结果表明:制得的BST薄膜形成了单一钙钛矿结构;AFM测试结果表明,BST... 采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)工艺配制了(Ba0.65,Sr0.35)TiO3(BST)溶胶.利用旋转涂覆工艺将BST溶胶涂覆在SiO2/Si衬底上,在不同的热处理条件下制备出BST薄膜.XRD分析结果表明:制得的BST薄膜形成了单一钙钛矿结构;AFM测试结果表明,BST薄膜表面平整致密,无裂纹.表面均方根粗糙度为3～6nm,晶粒大小分布均匀,直径约为40～100 nm.随着热处理温度的提高,BST薄膜的晶粒变大,表面粗糙度变大. 展开更多

关键词 无机非金属材料 bst薄膜 溶胶-凝胶法(sol-gel) 微结构

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非晶Ni-Al阻挡层对快速退火制备的硅基Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜结构及物性影响的研究 被引量：4

13

作者 孙杰 刘保亭 +2 位作者 陈江恩 娄建忠 周阳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期318-323,共6页

应用非晶Ni-Al薄膜作为扩散阻挡层,采用磁控溅射法和溶胶-凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/Si（001）衬底上制备了Pt/Ni-Al/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ni-Al/Pt电容器结构,研究了在650~800℃温度范围内快速退火（RTA）工艺对电容器结构和物理性能的影响。结... 应用非晶Ni-Al薄膜作为扩散阻挡层,采用磁控溅射法和溶胶-凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/Si（001）衬底上制备了Pt/Ni-Al/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ni-Al/Pt电容器结构,研究了在650~800℃温度范围内快速退火（RTA）工艺对电容器结构和物理性能的影响。结果表明：在外加电场为-100 kV/cm时,700℃和750℃退火样品的介电常数达到最大,分别为150和170。非晶Ni-Al薄膜的应用可以有效地降低BST薄膜的漏电流密度。650℃退火样品在整个测试电场范围内满足欧姆导电机制;700℃、750℃和800℃退火样品分别在电压低于-3.67 V、-2.65 V和-2.14 V时满足欧姆导电机制,在电压高于-3.67 V、-2.65 V和-2.14 V时满足普尔-弗兰克导电机制。 展开更多

关键词 bst薄膜 非晶Ni-Al阻挡层 快速退火 导电机制

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钛酸锶钡(BST)薄膜SOL-GEL制备方法研究 被引量：1

14

作者 李桂英 肖定全 +1 位作者 余萍 朱建国 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2002年第6期66-67,共2页

利用碳酸盐代替部分醇盐,探讨了采用Sol-Gel技术制备Ba_1-xSr_xTiO_3(BST)铁电薄膜的可行性.以醋酸钡[Ba(CHCOO)_2]、碳酸锶[SrCO_3]和钛酸四丁酯[Ti(OC_4H_9)_4]作原料,运用一般的Sol-Gel工艺制备BST铁电薄膜,通过XRD分析物质结构,用SE... 利用碳酸盐代替部分醇盐,探讨了采用Sol-Gel技术制备Ba_1-xSr_xTiO_3(BST)铁电薄膜的可行性.以醋酸钡[Ba(CHCOO)_2]、碳酸锶[SrCO_3]和钛酸四丁酯[Ti(OC_4H_9)_4]作原料,运用一般的Sol-Gel工艺制备BST铁电薄膜,通过XRD分析物质结构,用SEM测定表面形貌,XPS及EDAX测定薄膜的组成.结果表明:采用碳酸锶原料和其他醇盐一起来制备BST铁电薄膜的方法是可行的. 展开更多

关键词 SOL-GEL 制备方法 bst薄膜 溶胶-凝胶法 铁电薄膜 钛酸锶钡薄膜

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铁电薄膜移相器研究进展 被引量：1

15

作者 余桉 杨传仁 +3 位作者 张继华 陈宏伟 王波 张瑞婷 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期20-24,共5页

铁电薄膜移相器响应速度快、成本低、功耗和体积小,是一种模拟移相器,非常适合应用于相控阵天线特别是共形阵天线。介绍了4种主要的铁电薄膜移相器的结构、原理、性能和特点,指出分布型和全通网络型铁电薄膜移相器具有良好的发展前景,... 铁电薄膜移相器响应速度快、成本低、功耗和体积小,是一种模拟移相器,非常适合应用于相控阵天线特别是共形阵天线。介绍了4种主要的铁电薄膜移相器的结构、原理、性能和特点,指出分布型和全通网络型铁电薄膜移相器具有良好的发展前景,并进一步总结了国内外研究现状和存在的问题,提出了今后的研究方向。 展开更多

关键词 移相器 铁电薄膜 相控阵天线 bst可变电容 bst薄膜

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Bi元素对钛酸锶钡薄膜结构与性能影响的研究 被引量：1

16

作者 侯宪钦 周丽玮 +3 位作者 陈学江 陶文宏 付兴华 侯文萍 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期62-67,共6页

研究了微量元素铋对Sr0.5Ba0.5-xBixTiO3薄膜介电性能的影响。当X分别为0～0．030mol时，相对介电常数εr、介质损耗tanδ逐渐降低，最大介电常数温度点Tm（居里温度点）逐渐移向低温；在所测试频率范围内，εr、tanδ均能表现出较好的... 研究了微量元素铋对Sr0.5Ba0.5-xBixTiO3薄膜介电性能的影响。当X分别为0～0．030mol时，相对介电常数εr、介质损耗tanδ逐渐降低，最大介电常数温度点Tm（居里温度点）逐渐移向低温；在所测试频率范围内，εr、tanδ均能表现出较好的频散特性；当铋掺量为0．015mol时，薄膜的Pr为0．22μC/cm^2、Ps为0．32℃／cm^2、Ec为60kV／cm。采用XRD、FTIR、TEM等测试方法分析了薄膜的结构特征。薄膜的矿物组成为四方钙钛矿结构，但[TiO6]八面体特征吸收峰（471．65cm^-1）移向低波数，晶粒粒径减小。 展开更多

关键词 bst薄膜 介电常数 介质损耗 Bi施主掺杂 结构特征

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BST薄膜漏电流温度特性研究 被引量：1

17

作者 卢肖 吴传贵 +1 位作者 张万里 李言荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期57-59,共3页

采用射频溅射制备Ba0．8Sr0．2TiO3（BST）薄膜，研究了测试温度（295～375K）对BST薄膜J-V（电流密度-电压）特性的影响。实验发现：J∝V^m在低场下（V〈1．8V）m≈1，高场下（V〉1．8V）m≈8。随着测试温度升高，在低场下电流密度增... 采用射频溅射制备Ba0．8Sr0．2TiO3（BST）薄膜，研究了测试温度（295～375K）对BST薄膜J-V（电流密度-电压）特性的影响。实验发现：J∝V^m在低场下（V〈1．8V）m≈1，高场下（V〉1．8V）m≈8。随着测试温度升高，在低场下电流密度增大，指数优值保持不变；而在高场下电流密度减小，指数优值减小。通过进一步分析发现：电流密度和温度的关系在低场下满足InJ∝-1/T，在高场下满足logJ∝1/t。 展开更多

关键词 bst薄膜 漏电流 温度特性 空间电荷限制电流

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射频溅射制备的BST薄膜介电击穿研究 被引量：1

18

作者 卢肖 吴传贵 +1 位作者 张万里 李言荣 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期2513-2517,共5页

采用射频溅射制备BST薄膜,研究了薄膜的介电击穿特性.实验表明,在电压增大到传统击穿电压(电流密度出现瞬时增大时的电压)之前,薄膜性能已被破坏,发现在传统击穿状态之前存在另一个新状态———初始击穿状态.通过测试各状态的J-V(电流密... 采用射频溅射制备BST薄膜,研究了薄膜的介电击穿特性.实验表明,在电压增大到传统击穿电压(电流密度出现瞬时增大时的电压)之前,薄膜性能已被破坏,发现在传统击穿状态之前存在另一个新状态———初始击穿状态.通过测试各状态的J-V(电流密度-电压)、J-T(电流密度-温度)特性分析其导电机理,建立了薄膜结构、漏电性能随电场强度增大而变化的模型.最后提出了确定实际意义上击穿电压的方法. 展开更多

关键词 bst薄膜 介电击穿 漏电流

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BST薄膜的磁增强反应离子刻蚀研究 被引量：2

19

作者 张柏顺 全祖赐 +1 位作者 郭涛 章天金 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期10-13,共4页

分别以CF4/Ar和CF4/Ar/O2作为刻蚀气体,采用磁增强反应离子刻蚀(MERIE)技术对sol-gel法制备的BST薄膜进行刻蚀。结果表明,刻蚀速率与刻蚀气体的混合比率呈现非单调特性。当CF4/Ar的气体流量比R(CF4:Ar)为10:40时,刻蚀速率达到极大值。当... 分别以CF4/Ar和CF4/Ar/O2作为刻蚀气体,采用磁增强反应离子刻蚀(MERIE)技术对sol-gel法制备的BST薄膜进行刻蚀。结果表明,刻蚀速率与刻蚀气体的混合比率呈现非单调特性。当CF4/Ar的气体流量比R(CF4:Ar)为10:40时,刻蚀速率达到极大值。当CF4/Ar/O2的气体流量比R(CF4:Ar:O2)为9:36:5时,刻蚀速率达到最大值,最大刻蚀速率为8.47nm/min。原子力显微镜(AFM)分析表明,刻蚀后的薄膜表面粗糙度变大。对刻蚀后的薄膜再进行适当的热处理,可以去除部分残留物。 展开更多

关键词 无机非金属材料 bst薄膜 MERLE 刻蚀速率 表面形貌

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sol-gel法制备BST薄膜及介电调谐性能 被引量：2

20

作者 孙小华 余海州 +1 位作者 李美亚 赵兴中 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期40-42,45,共4页

采用sol-gel法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜。探讨了溶胶中醋酸和乙二醇用量对BST晶化温度和物相的影响,配制出了晶化温度低且无杂相的BST溶胶,对比了退火升温速率对BST薄膜形貌的影响。发现在低速率升温条件下生长的薄膜致密、均匀一致,... 采用sol-gel法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜。探讨了溶胶中醋酸和乙二醇用量对BST晶化温度和物相的影响,配制出了晶化温度低且无杂相的BST溶胶,对比了退火升温速率对BST薄膜形貌的影响。发现在低速率升温条件下生长的薄膜致密、均匀一致,无气孔、裂纹。测试了薄膜的介电调谐性能,在室温1 MHz下,BST薄膜的εr、tanδ和T分别为592,0.025和42%。 展开更多

关键词 无机非金属材料 bst薄膜 SOL-GEL 介电调谐性能

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