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A lGaInP/GaInP SCH S-SQW激光器光束质量的矢量矩分析 被引量:1
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作者 吕章德 周国泉 王绍民 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期549-551,共3页
本文应用非傍轴矢量矩理论 ,分析了 6 70 nm Al Ga In P/Ga In P分别限制应变单量子阱 (SCH S-SQW)激光器在弱激射和正常激射条件下的垂直于结面方向的光束质量因子 M2⊥ 。分析结果表明 ,在两种情况下 ,M2⊥ 均小于 1,而且前者具有更小... 本文应用非傍轴矢量矩理论 ,分析了 6 70 nm Al Ga In P/Ga In P分别限制应变单量子阱 (SCH S-SQW)激光器在弱激射和正常激射条件下的垂直于结面方向的光束质量因子 M2⊥ 。分析结果表明 ,在两种情况下 ,M2⊥ 均小于 1,而且前者具有更小的 M2⊥ 。 展开更多
关键词 半导体激光器 应变单量子阱 光束质量 S-sqw 矢量矩分析
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高功率无铝半导体激光器 被引量:3
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作者 朱宝仁 张宝顺 +1 位作者 薄报学 张兴德 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期189-192,共4页
介绍了单量子阱 (SQW )分别限制异质结构 (SCH)的InGaAsP/GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用一种改进的液相外延 (LPE)技术 ,在( 1 0 0 )GaAs衬底上制成的InGaAsP/GaAsSQWSCH激光器。主要参数如下 :发射波长λ =80 8± 4nm ,... 介绍了单量子阱 (SQW )分别限制异质结构 (SCH)的InGaAsP/GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用一种改进的液相外延 (LPE)技术 ,在( 1 0 0 )GaAs衬底上制成的InGaAsP/GaAsSQWSCH激光器。主要参数如下 :发射波长λ =80 8± 4nm ,阈值电流密度J =30 0A/cm2 ,对于条宽W =1 0 0 μm的激光器 ,连续输出功率最大达到 展开更多
关键词 无铝 高功率 半导体激光器 sqw SCH
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缩泉丸对自然衰老大鼠皮质醇、T_3、T_4及肾上腺系数的影响 被引量:4
3
作者 吴君 韩芸 +2 位作者 黄萍 吴清和 刘波 《时珍国医国药》 CAS CSCD 北大核心 2014年第12期2838-2839,共2页
目的观察缩泉丸对自然衰老大鼠一般状态、肾上腺系数及血清中皮质醇(Cort)、T3、T4含量的影响。方法采用ELISA方法测量空白对照组、模型对照组、金匮肾气丸组、缩泉丸高、中、低剂量组血中Cort、T3、T4的含量,并称量肾上腺重量计算其系... 目的观察缩泉丸对自然衰老大鼠一般状态、肾上腺系数及血清中皮质醇(Cort)、T3、T4含量的影响。方法采用ELISA方法测量空白对照组、模型对照组、金匮肾气丸组、缩泉丸高、中、低剂量组血中Cort、T3、T4的含量,并称量肾上腺重量计算其系数。每天观察并记录动物的状态,包括活动、外观形态、毛色光泽、精神状态等变化。结果缩泉丸可以明显改善自然衰老大鼠的一般情况;缩泉丸中、高剂量组动物血清中Cort含量明显升高(P<0.05);缩泉丸高剂量组血清中T3含量明显升高(P<0.05);缩泉丸高剂量组动物血清中T4含量明显升高(P<0.05);缩泉丸低、中、高剂量可以显著增加自然衰老大鼠肾上腺系数(P<0.05)。结论缩泉丸可以提高自然衰老大鼠血中Cort、T3、T4含量,也可以增加自然衰老大鼠肾上腺系数,可能是其发挥温肾缩尿的作用机理。 展开更多
关键词 缩泉丸 自然衰老大鼠 皮质醇 T3 T4
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缩泉丸对自然衰老大鼠尿量及血中醛固酮和抗利尿激素的影响 被引量:4
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作者 吴君 黄萍 吴清和 《中国医院药学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期432-435,共4页
目的:观察自然衰老大鼠血中醛固酮(ALD)和抗利尿激素(ADH)的改变情况,探讨缩泉丸缩尿的作用机制。方法:取老年大鼠(20月龄)50只,青年大鼠(3月龄)10只。青年大鼠为空白对照组、老年大鼠分为模型对照组、金匮肾气丸组、缩泉丸高、中、低... 目的:观察自然衰老大鼠血中醛固酮(ALD)和抗利尿激素(ADH)的改变情况,探讨缩泉丸缩尿的作用机制。方法:取老年大鼠(20月龄)50只,青年大鼠(3月龄)10只。青年大鼠为空白对照组、老年大鼠分为模型对照组、金匮肾气丸组、缩泉丸高、中、低剂量组,每组10只。用代谢笼法测量大鼠24 h尿量及水负荷5 h尿量,采用ELISA方法测量血中ALD和ADH的含量。结果:缩泉丸中、高剂量组动24 h尿量明显减少,缩泉丸低、中、高剂量组水负荷后5 h内尿量明显减少;缩泉丸中、高剂量可以明显提高血中ALD的含量;低、中、高剂量可以明显提高血中ADH的含量。结论:缩泉丸增加血中的ALD和ADH含量可能是其治疗多尿的作用机制之一。 展开更多
关键词 缩泉丸 自然衰老大鼠 醛固酮(ALD) 抗利尿激素(ADH)
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基于无铝单量子阱的大功率半导体激光器 被引量:4
5
作者 王玲 李忠辉 +1 位作者 徐莉 李辉 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期391-392,共2页
在改进的带有多槽石墨舟的液相外延 (LPE)设备上 ,采用水平快速生长法获得了分别限制单量子阱结构 (SCH SQW ) ,制作了条宽为 10 0 μm、腔长为 1mm的激光器 ,其阈值电流为0 .70A ,最高连续输出功率达 4W ,斜率效率为 1.32W /A ,串联电... 在改进的带有多槽石墨舟的液相外延 (LPE)设备上 ,采用水平快速生长法获得了分别限制单量子阱结构 (SCH SQW ) ,制作了条宽为 10 0 μm、腔长为 1mm的激光器 ,其阈值电流为0 .70A ,最高连续输出功率达 4W ,斜率效率为 1.32W /A ,串联电阻为 0 .1Ω ,中心波长为 80 8.8nm。 展开更多
关键词 半导体激光器 单量子阱 液相外延
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InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管 被引量:3
6
作者 王晓晖 刘祥林 +3 位作者 陆大成 袁海荣 韩培德 汪度 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期726-728,共3页
采用金属有机物气相外延方法 ,研制了 In Ga N/Ga N单量子阱结构的绿光发光二极管 .测量了其电致发光光谱 ,及发光强度与注入电流的关系 .室温 2 0 m A的注入电流时 ,发光波长峰值为 530 nm,半高宽为 30 nm.注入电流小于 40 m A时 。
关键词 单量子阱 氮化镓 InmGaN 发光二极管
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940nm20%占空比InGaAs/AlGaAs大功率LD线阵 被引量:2
7
作者 赵卫青 安振峰 +3 位作者 陈国鹰 辛国锋 牛健 沈牧 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期914-916,共3页
采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术,制作了AlGaAs/InGaAs/GaAs大功率20%占空比半导体激光器。采用良好的封装方式,激光器直接封装在高效导热载体上,对载体水冷散热,在脉冲频率500Hz,脉冲宽度400μs下,驱动电流105A时输出功率高达90... 采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术,制作了AlGaAs/InGaAs/GaAs大功率20%占空比半导体激光器。采用良好的封装方式,激光器直接封装在高效导热载体上,对载体水冷散热,在脉冲频率500Hz,脉冲宽度400μs下,驱动电流105A时输出功率高达90.6W,最高电 光转换效率42.3%,斜率效率0.94W/A。器件中心激射波长941.8nm,光谱半高全宽3.3nm。 展开更多
关键词 线阵 大功率 LD 占空比 InGaAs/GaAs 金属有机化合物气相淀积 斜率效率 水冷散热 封装方式 驱动电流
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Photoelectrochemical Behavior of the Lattice-matched Single Quantum Well GaAs/Al_xGa_1-xAs Electrodes
8
作者 刘尧 肖绪瑞 +5 位作者 李学萍 阎春辉 曾一平 孙殿照 郑海群 国红熙 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1994年第21期1795-1800,共6页
Recently, the superlattice (quantum well) material as a new kind of photoelectrode has drawn much attention in the field of photoelectrochemistry.Due to the energy quantization,the superlattices (quantum well) have a ... Recently, the superlattice (quantum well) material as a new kind of photoelectrode has drawn much attention in the field of photoelectrochemistry.Due to the energy quantization,the superlattices (quantum well) have a number of new 展开更多
关键词 superlattice (quantum well) single-quantum WELL (sqw) photocurrent SPECTRA PHOTOVOLTAGE spectra.
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MOVPE生长InGaN/GaN单量子阱绿光LED 被引量:1
9
作者 王晓晖 刘祥林 +3 位作者 陆大成 袁海荣 韩培德 汪度 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2001年第2期38-39,共2页
采用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法 ,生长出InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管 (LED)。测量了其电致发光光谱及发光强度与注入电流的关系。室温正向偏置下 ,在 2 0mA的注入电流时 ,发光波长峰值为 530nm ,半高宽为 30nm。当注入... 采用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法 ,生长出InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管 (LED)。测量了其电致发光光谱及发光强度与注入电流的关系。室温正向偏置下 ,在 2 0mA的注入电流时 ,发光波长峰值为 530nm ,半高宽为 30nm。当注入电流小于 4 0mA时 ,发光强度随注入电流的增大单调递增。这是中国国内首次研制出的In GaN单量子阱结构的绿光LED。 展开更多
关键词 MOVPE INGAN 单量子阱 绿光LED 发光二极管
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大功率InGaAsP/InGaP/GaAs激光器特性研究
10
作者 李忠辉 高欣 +2 位作者 李梅 王玲 张兴德 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期11-13,共3页
介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W... 介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。对于条宽 1 0 0 μm、腔长 1 mm腔面未镀膜的激光器 ,连续输出光功率为 1 .2 W,阈值电流密度为 41 0 A/cm2 ,外微分量子效率为 62 % ,并进行了可靠性实验。 展开更多
关键词 InGaAsP/InGaP/GaAs 分别限制异质结构 单量子阱 无铝激光器 大功率量子阱激光器 测试
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高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器
11
作者 李忠辉 王玉霞 +3 位作者 高欣 李梅 王玲 张兴德 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期90-92,共3页
应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 ,室温单面连续输出光功率超过 5 0 0mW ,激射波长为 82 0 3nm 。
关键词 梯度折射率 单量子阱激光器 砷化镓 GAAS/ALGAAS 输出功率 镓铝砷化合物
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GRINSCH-SQW激光器波导特性的数值分析
12
作者 李含轩 任大翠 王玲 《长春光学精密机械学院学报》 1995年第4期17-20,共4页
分析了具有缓变折射率分别限制单量子讲的波导特性。用有限差分方法解出了波导对于基模的等效折射率。在此基础上,通过计算波导中垂直子激光器结平面方向上的光强过场分布,进而求得有源层的光限制因子及各种波导结构参数对的影响。
关键词 分别限制 增益 单量子阱激光器 波导
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超高亮度蓝色铟镓氮单量子阱发光二极管
13
作者 方志烈 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期89-91,共3页
介绍了InGaN单量子阱超高亮度蓝色LED的结构和性能,其发光强度、峰值波长和光谱半宽在正向电流为20mA时,分别为8cd、450nm和25nm。
关键词 发光二极管 铟镓氮 单量子阱 蓝色发光二极管
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大功率GaAs/GaAlAs单量子阱激光器
14
作者 张正德 黄以明 章其林 《半导体情报》 1993年第3期48-53,共6页
采用MOCVD技术在φ40mmGaAs衬底上研制成大功率GaAs/GaAlAs单量子阱激光器。该激光器激射波长为830~870nm,室温CW阈值电流密度小于350A/cm^2,最低值为310A/cm^2,输出光功率大于200mW/(单面,未镀膜)。
关键词 汽相淀积 GAAS/GAALAS 激光器
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超高亮度InGaN单量子阱结构绿色LED
15
作者 方志烈 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期109-112,共4页
发光强度为12cd的超高亮度绿色InGaN单量子阱(SQW)结构发光二极管已研制成功。该器件的输出功率、外量子效率、峰值波长和光谱半宽在正向电流20mA下分别为3mw、6.3%、520nm和30nm。这种绿色InGaN单量子阱发光二极管的P-AlGaN/InGa... 发光强度为12cd的超高亮度绿色InGaN单量子阱(SQW)结构发光二极管已研制成功。该器件的输出功率、外量子效率、峰值波长和光谱半宽在正向电流20mA下分别为3mw、6.3%、520nm和30nm。这种绿色InGaN单量子阱发光二极管的P-AlGaN/InGaN/n-GaN是用MOCVD方法生长在蓝宝石衬底上。 展开更多
关键词 单量子阱 MOCVD 绿色LED 发光二极管
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用于低阈值大功率应变InGaAs-AlGaAs GRIN SCH SQW激光二极管的简单可靠的加工技术
16
作者 秦志强 《半导体情报》 1994年第5期46-49,35,共5页
提出了一种简单而非常可靠的脊波导InGaAs/GaAs SQW激光器的加工技术。与其他传统的加工技术相比较.该方法简单可行。用这种方法研制出的器件特性完全可以和常规方法研究的器件相媲美,有些甚至更好。加工技术的简单化... 提出了一种简单而非常可靠的脊波导InGaAs/GaAs SQW激光器的加工技术。与其他传统的加工技术相比较.该方法简单可行。用这种方法研制出的器件特性完全可以和常规方法研究的器件相媲美,有些甚至更好。加工技术的简单化保证了高的成品率。这些激光器的高性能可以通过应用光学镀膜进一步优化。 展开更多
关键词 脊波导 sqw 激光器 激光二极管 应变层 InGaAs
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A PHOTOELECTROCHEMICAL INVESTIGATION OF LATTICE-MATCHED SQW GaAs/Al_xGa_(1_x)As ELECTRODE
17
作者 Yao LIU Yuan LIN Xue Ping LI Xu Rui XIAO The Center of Photoelectrochemistry,Instisute of Photographic Chemistry Academia Sinica,Beijing 100101Chun Hui YAN Yi Ping ZENG Dian Zhao SUN Hai Qun ZHENG Hong Xi GUO Institute of Semiconductors,Academia Sinica,Beijing 100083 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 1993年第9期813-814,共2页
Single quantum wells(SQWs)of GaAs/Al_xGa_(1-x)As have been investigated as photoelectrodes in photoelectrochemical cells.Structured photocurrent spectra for well widths of 50 and 100 SQWs were obtained in nonaqueous s... Single quantum wells(SQWs)of GaAs/Al_xGa_(1-x)As have been investigated as photoelectrodes in photoelectrochemical cells.Structured photocurrent spectra for well widths of 50 and 100 SQWs were obtained in nonaqueous solution.The dependence of structured photocurrent spectra on electrode potential were exhibited.The quantum yield was higher in SQW with 100 well compared to 50 well. 展开更多
关键词 GAAS well A PHOTOELECTROCHEMICAL INVESTIGATION OF LATTICE-MATCHED sqw GaAs/Al_xGa x)As ELECTRODE AL
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单量子阱半导体激光器在输出反馈损耗调制方式下的双稳特性
18
作者 晏绪光 蒋剑良 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第7期583-588,共6页
利用速率方程求出了输出反馈损耗调制型双稳半导体激光器输出光强稳态解的解析表达式。利用双区共腔GaAs/AlGaAs单量子阱半导体激光器,观测到半导体激光器在输出反馈损耗调制方式下的光双稳特性。比较速率方程解的理论计算... 利用速率方程求出了输出反馈损耗调制型双稳半导体激光器输出光强稳态解的解析表达式。利用双区共腔GaAs/AlGaAs单量子阱半导体激光器,观测到半导体激光器在输出反馈损耗调制方式下的光双稳特性。比较速率方程解的理论计算曲线和实验观测到的双稳特性曲线后发现,两种双稳特性曲线随反馈损耗调制系数等器件参量变化的规律完全一致。 展开更多
关键词 量子阱 半导体激光器 激光器 稳定性
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缩泉丸对肾阳虚多尿大鼠肾脏AQP-2 mRNA与AVPR-V2 mRNA表达的影响 被引量:24
19
作者 操红缨 吴清和 +1 位作者 黄萍 何金洋 《中药材》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期926-928,共3页
目的:观察缩泉丸对肾阳虚多尿模型大鼠肾脏AQP-2 mRNA和AVPR-V2 mRNA表达的影响。方法:用腺嘌呤250mg/kg灌服大鼠4w,造成肾阳虚多尿模型,分别给予缩泉丸或去氨加压素治疗4w,用实时荧光定量PCR法观察缩泉丸对肾阳虚多尿模型大鼠肾脏水通... 目的:观察缩泉丸对肾阳虚多尿模型大鼠肾脏AQP-2 mRNA和AVPR-V2 mRNA表达的影响。方法:用腺嘌呤250mg/kg灌服大鼠4w,造成肾阳虚多尿模型,分别给予缩泉丸或去氨加压素治疗4w,用实时荧光定量PCR法观察缩泉丸对肾阳虚多尿模型大鼠肾脏水通道蛋白AQP-2 mRNA及加压素二型受体(AVPR-V2)mRNA表达的影响。结果:肾阳虚多尿模型组大鼠肾脏AQP-2 mRNA与AVPR-V2mRNA表达比正常对照组明显降低(P<0.01),dDAVP组和缩泉丸高剂量组AQP-2 mRNA表达与AVPR-V2 mRNA表达比模型组明显升高(P<0.05);其余给药各组与模型组相比无显著差异(P>0.05)。结论:缩泉丸能提高肾阳虚多尿模型大鼠肾脏AQP-2 mRNA与AVPR-V2 mRNA表达。 展开更多
关键词 缩泉丸 肾阳虚多尿 AQP-2 MRNA AVPR—V2 MRNA
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808 nm In GaAsP-InP单量子阱激光器热特性研究 被引量:8
20
作者 张永明 钟景昌 +4 位作者 路国光 秦莉 赵英杰 郝永芹 姜晓光 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期9-12,共4页
从InGaAsP-InP单量子阱激光器结构分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP-InP单量子阱激光器热特性进行了研究·实验表明,在23-70℃的温度范围内,器件的功率由1.74W降到0.51W,斜率效率由1.08W/A降到0.51W/A·实验测... 从InGaAsP-InP单量子阱激光器结构分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP-InP单量子阱激光器热特性进行了研究·实验表明,在23-70℃的温度范围内,器件的功率由1.74W降到0.51W,斜率效率由1.08W/A降到0.51W/A·实验测得其特征温度T0为325K·激射波长随温度的漂移dλ/dT为0.44nm/℃·其芯片的热阻为3.33℃/W· 展开更多
关键词 单量子阱激光器 808 NM InGaAsP-InP热特性 特征温度
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