提高功率器件抗热疲劳性能研究

1

作者 郭萍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期24-28,共5页

众所周知,当半导体器件处于间歇工作状态时,器件经历周期性高温、低温循环,形成了热循环.该热循环在器件内部产生应力,并在热循环过程中反复不断地作用在器件内部的接合层上,使器件的热阻增加,最后导致器件热疲劳失效.热疲劳失效是影响... 众所周知,当半导体器件处于间歇工作状态时,器件经历周期性高温、低温循环,形成了热循环.该热循环在器件内部产生应力,并在热循环过程中反复不断地作用在器件内部的接合层上,使器件的热阻增加,最后导致器件热疲劳失效.热疲劳失效是影响功率器件可靠性的重要因素.因此,开展间歇工作寿命试验(即疲劳试验)。 展开更多

关键词 功率器件 抗热疲劳性能

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电子辐照晶体管的研究

2

作者 王忠安 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期17-24,共8页

本文提供了利用5MeV电子辐照把硅外延晶体管改造成为开关晶体管的一种新方法,经各种例行工艺实验证明这种方法完全可以取代传统的掺金工艺.本文还利用深能级瞬息谱(DLTS)等方法研究了电子辐照引入该晶体管中缺陷的性质,发现了H(0.35)和H... 本文提供了利用5MeV电子辐照把硅外延晶体管改造成为开关晶体管的一种新方法,经各种例行工艺实验证明这种方法完全可以取代传统的掺金工艺.本文还利用深能级瞬息谱(DLTS)等方法研究了电子辐照引入该晶体管中缺陷的性质,发现了H(0.35)和H(0.41)能级.晶体管的等时退火特性表明这些缺陷在420℃以上的温度才能消失,这足以证明这些缺陷具有很好的热稳定性. 展开更多

关键词 电子辐照 晶体管

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晶体管发射极电流集边效应物理意义之探讨 被引量：7

3

作者 石林初 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期14-18,共5页

由基区电阻的自偏压引起的晶体管发射极电流集边效应，是限制晶体管承载电流能力的因素之一［１～４］。本文以发射极电流集边效应发生的程度，分为四个区域，详细探讨了归一化电位和电流密度分布的特点，指出：在Ⅰ～Ⅱ区，发射极电流... 由基区电阻的自偏压引起的晶体管发射极电流集边效应，是限制晶体管承载电流能力的因素之一［１～４］。本文以发射极电流集边效应发生的程度，分为四个区域，详细探讨了归一化电位和电流密度分布的特点，指出：在Ⅰ～Ⅱ区，发射极电流集边效应不明显，晶体管承载电流能力主要由发射区面积决定；在Ⅰ～Ⅲ区，发射极电流集边效应明显，晶体管承载电流能力由发射区面积和发射区有效周长共同决定；在Ⅰ～Ⅳ区发射极电流集边效应已非常突出，晶体管承载电流能力由发射区有效周长决定。 展开更多

关键词 晶体管 发射极 电流集边效应

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基区调变晶体管的“交叉点击穿”

4

作者 刘克源 《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第1期26-29,共4页

本文研究了基区调变晶体管的电击穿现象,提出了描述这种电击穿的“交叉点击穿”理论方法,并应用这个理论方法计算了集成电路中横向PNP管的交叉点雪崩击穿电压,理论值与实验值符合得相当好。

关键词 晶体管 基区 调变 雪崩 击穿

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静电感应晶体管(SIT)作用机制的理论研究 被引量：3

5

作者 李思渊 孙卓 刘肃 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1994年第2期34-38,共5页

对静电感应晶体管(SIT)的小电流工作区,从电势方程出发,利用设定的边界条件,导出了二维势函数的近似解析表达式,并以此为据对SIT的作用机制进行了系列分析,进而对SIT的中、大电流工作区及特大电流工作区进行了讨论.指出大电流时,SIT的电... 对静电感应晶体管(SIT)的小电流工作区,从电势方程出发,利用设定的边界条件,导出了二维势函数的近似解析表达式,并以此为据对SIT的作用机制进行了系列分析,进而对SIT的中、大电流工作区及特大电流工作区进行了讨论.指出大电流时,SIT的电流-电压特性与空间电荷限制效应密切相关. 展开更多

关键词 静电感应 晶体管 工作模式

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晶体管共集电极和共基极H参数微变等效电路 被引量：1

6

作者 李银轮 《青海师范大学学报（自然科学版）》 1999年第4期34-37,共4页

本文用两种不同方法，分别导出三极管共集电极组态和共基极组态Ｈ参数。同时推出这两种组态Ｈ参数与共射极组态Ｈ参数之间的转换关系和等效电路图。

关键词 共集电极组态 共基极 H参数 等效电路 晶体管

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并联三极管的电流分配与稳定性

7

作者 骆裕鸿 《河池师专学报》 1997年第2期37-38,共2页

本文作者讨论用并联三极管的方法来代替较大功率PCM及较大集电极电流ICM的三极管的问题，同时对集电极电流分配的不稳定性提出解决方法。

关键词 集电极电流 并联形式 不均匀性 并联三极管 电流分配 稳定性

全文增补中

三极管最佳静态工作点Q的几何作图法

8

作者 朱钢 《温州师范学院学报》 1995年第3期54-56,共3页

本文通过实例，用几何作图的方法，便捷、准确地确定最佳静态工作点Q的位置，解决了最佳Q和交流负载线两者相互依存，无法准确确定的问题．

关键词 最佳静态工作点 几何作图法 三极管

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HEMT的Kink效应和低频偏移效应解析模型 被引量：1

9

作者 张义门 吴拥军 张玉明 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期14-17,共4页

本文在考虑到界面态陷阱的基础上，建立了ＨＥＭＴ的静态和交流小信号解析模型，该模型能够正确地描述ＨＥＭＴ的Ｋｉｎｋ效应和低频偏移效应，并和实验符合相当好．文中还深入讨论了Ｉｎ组分和偏置的影响．

关键词 晶体管 Knik效应 低频偏移效应 HEMT

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低能X射线对NMOST的辐照损伤及退火特性

10

作者 韩林 宋钦歧 《微电子学》 CAS CSCD 1990年第1期6-11,共6页

本文研究了NMOS晶体管低能X射线辐照后氧化物陷阱电荷的产生、界面态的性质及空穴陷阱的退火特性等问题。实验结果表明,电离辐照产生的界面态具有施主性和受主性,而氧化物陷阱电荷引起的电压变化在退火过程中,随外加偏置电场极性的不同... 本文研究了NMOS晶体管低能X射线辐照后氧化物陷阱电荷的产生、界面态的性质及空穴陷阱的退火特性等问题。实验结果表明,电离辐照产生的界面态具有施主性和受主性,而氧化物陷阱电荷引起的电压变化在退火过程中,随外加偏置电场极性的不同,表现出可逆性,它对晶体管阈值电压的变化起着决定性的作用。 展开更多

关键词 NMOS 晶体管 X射线 辐照 损伤 退火

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表面杂质浓度分布对晶体管负阻特性的影响

11

作者 裴素华 薛成山 赵善麒 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期202-205,共4页

本文对镓、镓－硼两种基区的３ＤＤ２０２型晶体管负阻摆幅现象进行了比较和理论分析，证明了基区表面杂质浓度分布对器件发射极－集电极电压负阻特性有较大影响．

关键词 晶体管 表面杂质 浓度分布 负阻特性

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晶体管发射极势垒电容C_(Te)的测试及数据处理

12

作者 丛众 王荣 +1 位作者 刘怡 都春燕 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 1998年第1期37-41,共5页

本文阐述了用ｆＴ测试仪，测试ＣＴｅ的原理，测试了３ＤＧ６０，３ＣＫ３和３ＣＧ２１ｃ的ＣＴｅ，并对大量测试结果用微机进行了处理，测试计算结果与经验公式给出的值吻合；

关键词 势垒电容 外推法 晶体管 发射极

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晶体管非工作期失效率预计 被引量：3

13

作者 杨家铿 翁寿松 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第8期558-564,共7页

本文根据晶体管非工作期可靠性统计数据建立了我国晶体管非工作期失效率预计模型，经验证，预计失效率与现场失效率相吻合．通过预计模型可预计晶体管在各类环境下的非工作期失效率，尤其给出了我国晶体管普通库房贮存失效率和贮存有效期．

关键词 晶体管 失效率预计 可靠性

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静电感应晶体管（SIT）电流—电压特性的准两维分析 被引量：1

14

作者 唐金科 李思渊 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1990年第1期39-43,34,共6页

关键词 晶体管 电流 电压 特性

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pn结雪崩击穿噪声的特点及利用

15

作者 沈福兴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期12-14,共3页

一、雪崩击穿噪声的特点1.pn结击穿噪声为雪崩击穿所特有.图1为击穿电压V_B与击穿噪声密度V_i关系曲线.从图1可以看到,当V_B<3V时噪声可忽略,在3～7V时急剧上升,在7V以上,则呈幂函数关系:V_i≈1.8×10^(-5)V_B^0.222.pn结击穿噪... 一、雪崩击穿噪声的特点1.pn结击穿噪声为雪崩击穿所特有.图1为击穿电压V_B与击穿噪声密度V_i关系曲线.从图1可以看到,当V_B<3V时噪声可忽略,在3～7V时急剧上升,在7V以上,则呈幂函数关系:V_i≈1.8×10^(-5)V_B^0.222.pn结击穿噪声频带比1/f噪声更宽.1/f噪声主要在1kHz以内,上限0.1～1MHz而雪崩击穿噪声在10kHz以内。 展开更多

关键词 PN结 击穿噪声 特点 晶体管

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晶体管输出特性曲线的物理机制 被引量：1

16

作者 崔芳葆 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1989年第1期80-82,共3页

引言晶体管特性曲线,是分析和计算晶体管电路的重要依据,也是生产者设计、制造和检测产品性能的直观参数指标.为了提高产品质量和深刻了解特性曲线的物理机制,并根据它的形状来快速分析和判别晶体管的优劣,我们从有关工厂的产品中,选择... 引言晶体管特性曲线,是分析和计算晶体管电路的重要依据,也是生产者设计、制造和检测产品性能的直观参数指标.为了提高产品质量和深刻了解特性曲线的物理机制,并根据它的形状来快速分析和判别晶体管的优劣,我们从有关工厂的产品中,选择了许多特性曲线各不相同的晶体管,对此进行了反复多次的观察、分析和研究,对多年来未弄清的问题提出了我们的看法,这对生产有一定的促进作用. 展开更多

关键词 晶体管输出 曲线 物理机制

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三极管的零泛器模型及其在电子电路中的应用

17

作者 陈金铁 《同济大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1992年第3期299-304,共6页

本文给出三极管的零泛器模型,并用该模型和节点不定导纳矩阵电路理论。计算了负反馈电路的A_(rf) r_(if)和r_(of),分析了正弦波振荡电路的起振条件。

关键词 电子电路 三极管

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晶体管的工作机理和共发射极h参数中hre的反馈性质

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作者 马良玉 《甘肃电力》 1992年第1期29-35,共7页

关键词 晶体管 反馈 h参数 微观机理

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宽带隙材料作发射区的异质结光晶体管（HPT）的研究 被引量：1

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作者 殷景志 张伟刚 《广西工学院学报》 CAS 1995年第1期70-75,共6页

本文在研究一种特珠结构的光晶体管──异质结光晶体管（ＨＰＴ）的工作原理基础上，分析用宽带隙材料作发射区，可减少注入损耗，提高增益的特性。

关键词 异质结 光晶体管 增益 发射区 半导体

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晶体管结电容对频率稳定性的影响

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作者 徐海卫 高殿庆 杜雪芳 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1997年第2期61-66,共6页

从晶体管结电容自身的特点出发，对电源波动时频率产生异常变化的现象进行了分析和研究，具有一定的实际意义。

关键词 结电容 频稳度 异常变化 晶体管

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