静电感应晶体管（SIT）电流—电压特性的准两维分析
被引量：1
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1990年第1期39-43,34,共6页
Power Electronics
同被引文献83
-
1李思渊,桑保生.双极型静电感应晶体管的研制[J].电力电子技术,1993(1):43-44. 被引量：2
-
2李思渊,孙卓,刘肃.静电感应晶体管(SIT)作用机制的理论研究[J].电力电子技术,1994,28(2):34-38. 被引量：3
-
3刘肃,李思渊,康宁.电力SITH动态测试原理与计算方法[J].电力电子技术,1994,28(2):47-50. 被引量：1
-
4李思渊,刘瑞喜,刘肃,杨建红,李成.静电感应晶闸管（SITH）的理论分析[J].半导体技术,1995,11(4):22-25. 被引量：2
-
5李思渊,刘瑞喜,李成,席传裕,刘肃,杨建红.静电感应晶闸管（SITH）沟道势垒的分析[J].兰州大学学报（自然科学版）,1995,31(4):78-88. 被引量：3
-
6王毓珍,李思渊.表面栅型静电感应晶体管结构和工艺特点[J].电力电子技术,1989(3):53-56. 被引量：1
-
7李思渊,耿辖.静电感应晶体管（SIT）电参数的分析与调节[J].电力电子技术,1989(4):44-49. 被引量：1
-
8李思渊,刘瑞喜,李成,韩永召,刘肃.BSIT开态的数值分析[J].半导体技术,1996,12(1):33-39. 被引量：1
-
9李思渊,刘瑞喜,李成,刘肃,杨建红,韩永召.BSIT开启特性的研究[J].兰州大学学报（自然科学版）,1996,32(2):37-45. 被引量：1
-
10李思渊,刘肃,刘瑞喜,杨建红.复合结构的静电感应器件[J].应用科学学报,1996,14(2):243-247. 被引量：2
-
1韩直,籍振平.静电感应晶体管SIT及其应用[J].电子产品维修与制作,1996(7):29-30.
-
2李思渊,刘瑞喜,李海蓉.静电感应晶体管(SIT)电性能的控制[J].甘肃教育学院学报（自然科学版）,1998,12(1):32-39. 被引量：1
-
3孟文杰.使用SIT的移动式IKW中波广播发射机[J].国际广播电视技术,1989,3(1):54-55.
-
4熊崇悌.大功率固态中波广播发射机的新元件SIT[J].电声技术,1993,17(3):22-24. 被引量：2
-
5李思渊,耿辖.静电感应晶体管（SIT）电参数的分析与调节[J].电力电子技术,1989(4):44-49. 被引量：1
-
6赵小宁,王长河,赵平海.硅微波功率静电感应晶体管(SIT)非线性失真特性分析[J].半导体情报,1990(5):35-42.
-
7张秀澹.功率SIT和功率SITH的新进展[J].半导体技术,1993,9(2):1-3. 被引量：1
-
8张琳娇,杨建红,刘亚虎,朱延超.短漂移区静电感应晶体管的特性研究[J].半导体技术,2013,38(3):194-198.
-
9张万荣,罗晋生.SITI－V特性模型[J].西安交通大学学报,1996,30(2):20-27. 被引量：1
-
10杨晓婵.日本开发出使用碳化硅基片的静电感应晶体管[J].现代材料动态,2004(1):4-4.
;
