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三极管管座成形工艺及模具设计
1
作者 孙耀彤 《模具工业》 1991年第12期8-12,共5页
对于三极管A3-02-Z_1(即原B3-D)类管座的成形工艺,虽然国内各管壳生产厂的工艺大同小异,但因成形工艺和模具结构不同,所以质量差异也十分明显。如何在提高管座质量前提下,选择最佳的成形工艺及模具是各厂共同关心的问题。
关键词 三极管 管座 成形 模具 工艺 设计
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提高功率器件抗热疲劳性能研究
2
作者 郭萍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期24-28,共5页
众所周知,当半导体器件处于间歇工作状态时,器件经历周期性高温、低温循环,形成了热循环.该热循环在器件内部产生应力,并在热循环过程中反复不断地作用在器件内部的接合层上,使器件的热阻增加,最后导致器件热疲劳失效.热疲劳失效是影响... 众所周知,当半导体器件处于间歇工作状态时,器件经历周期性高温、低温循环,形成了热循环.该热循环在器件内部产生应力,并在热循环过程中反复不断地作用在器件内部的接合层上,使器件的热阻增加,最后导致器件热疲劳失效.热疲劳失效是影响功率器件可靠性的重要因素.因此,开展间歇工作寿命试验(即疲劳试验)。 展开更多
关键词 功率器件 抗热疲劳性能
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电子辐照晶体管的研究
3
作者 王忠安 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期17-24,共8页
本文提供了利用5MeV电子辐照把硅外延晶体管改造成为开关晶体管的一种新方法,经各种例行工艺实验证明这种方法完全可以取代传统的掺金工艺.本文还利用深能级瞬息谱(DLTS)等方法研究了电子辐照引入该晶体管中缺陷的性质,发现了H(0.35)和H... 本文提供了利用5MeV电子辐照把硅外延晶体管改造成为开关晶体管的一种新方法,经各种例行工艺实验证明这种方法完全可以取代传统的掺金工艺.本文还利用深能级瞬息谱(DLTS)等方法研究了电子辐照引入该晶体管中缺陷的性质,发现了H(0.35)和H(0.41)能级.晶体管的等时退火特性表明这些缺陷在420℃以上的温度才能消失,这足以证明这些缺陷具有很好的热稳定性. 展开更多
关键词 电子辐照 晶体管
全文增补中
晶体三极管的综合性能检测装置
4
作者 黄正华 《实验室研究与探索》 CAS 1997年第5期82-84,共3页
晶体三极管的综合性能检测装置黄正华（石油大学数理系东营市２５７０６２）熟悉与掌握晶体三极管外部特性与工作特性是正确使用它的先决条件。我们研制的晶体三极管综合性能检测技术与装置仪表可快速而准确地分辨出管子的三电极名称ｂ... 晶体三极管的综合性能检测装置黄正华（石油大学数理系东营市２５７０６２）熟悉与掌握晶体三极管外部特性与工作特性是正确使用它的先决条件。我们研制的晶体三极管综合性能检测技术与装置仪表可快速而准确地分辨出管子的三电极名称ｂ、ｃ、ｅ极，并能直观、清晰地显示出... 展开更多
关键词 晶体三极管 检测装置 电流放大系数
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晶体管极性,管脚及β值自动判测仪
5
作者 门安 《无线电》 北大核心 1991年第4期33-34,共2页
关键词 晶体管 管脚 测试仪器
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一种高速高压NPN管的研制 被引量：1
6
作者 张正元 龙绍周 +1 位作者 刘建华 张庆中 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期350-353,共4页
把Ｎｉｎｇ－Ｔａｎｇ测试发射极电阻的方法进行扩展，用来测试多晶发射极界面氧化层电阻，作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验，获得退火的优化工艺条件，并由此成功地研制出ＢＶＣＥＯ≥３０Ｖ，ＢＶＣＢＯ＝... 把Ｎｉｎｇ－Ｔａｎｇ测试发射极电阻的方法进行扩展，用来测试多晶发射极界面氧化层电阻，作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验，获得退火的优化工艺条件，并由此成功地研制出ＢＶＣＥＯ≥３０Ｖ，ＢＶＣＢＯ＝７５Ｖ，ｆＴ＝２ＧＨｚ，β＝１８０的多晶硅发射极晶体管。用扩展电阻ＳＳＭ１５０型测多晶硅发射极晶体管的纵向杂质分布，得出多晶硅发射极晶体管的单晶发射区结深为５０ｎｍ，基区结深为２００ｎｍ。 展开更多
关键词 半导体器件 半导体工艺 多晶硅发射极 NPN晶体管
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磁敏晶体管漂移特性测试装置
7
作者 赵熙萍 陈丽艳 +1 位作者 多宝庆 李树林 《电测与仪表》 北大核心 1995年第5期23-24,共2页
磁敏三极管由于具有比霍尔器件更高的灵敏度故在电磁测量中有很大的应用前景，但其漂移较大限制了它的应用。本文针对国产４ＣＣＭ系列磁敏晶体管漂移问题，研制了测试及筛选其漂移特性的试验装置。本装置由控温系统和测试二大部分组成... 磁敏三极管由于具有比霍尔器件更高的灵敏度故在电磁测量中有很大的应用前景，但其漂移较大限制了它的应用。本文针对国产４ＣＣＭ系列磁敏晶体管漂移问题，研制了测试及筛选其漂移特性的试验装置。本装置由控温系统和测试二大部分组成，可同时对８只磁敏管的时漂、温漂的特性进行测量。本装置也可对其它磁敏器件的漂移进行测试。 展开更多
关键词 磁敏晶体管 漂移特性 测试
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晶体管输出特性曲线的物理机制 被引量：1
8
作者 崔芳葆 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1989年第1期80-82,共3页
引言晶体管特性曲线,是分析和计算晶体管电路的重要依据,也是生产者设计、制造和检测产品性能的直观参数指标.为了提高产品质量和深刻了解特性曲线的物理机制,并根据它的形状来快速分析和判别晶体管的优劣,我们从有关工厂的产品中,选择... 引言晶体管特性曲线,是分析和计算晶体管电路的重要依据,也是生产者设计、制造和检测产品性能的直观参数指标.为了提高产品质量和深刻了解特性曲线的物理机制,并根据它的形状来快速分析和判别晶体管的优劣,我们从有关工厂的产品中,选择了许多特性曲线各不相同的晶体管,对此进行了反复多次的观察、分析和研究,对多年来未弄清的问题提出了我们的看法,这对生产有一定的促进作用. 展开更多
关键词 晶体管输出 曲线 物理机制
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双极型晶体管线路瞬态γ辐照效应的模拟计算和实验验证
9
作者 唐本奇 吴国荣 李国政 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期9-14,共6页
在ＰＣ上开发了双极型晶体管电路瞬态γ辐照效应的模拟计算程序Ｍ－ＴＲＡＣＩＩ，建立了相应器件模型参数的测试方法，并进行双极型晶体管线路瞬态γ辐照效应实验验证工作；计算结果与实测结果符合得较好，说明该模拟技术和实验方法是... 在ＰＣ上开发了双极型晶体管电路瞬态γ辐照效应的模拟计算程序Ｍ－ＴＲＡＣＩＩ，建立了相应器件模型参数的测试方法，并进行双极型晶体管线路瞬态γ辐照效应实验验证工作；计算结果与实测结果符合得较好，说明该模拟技术和实验方法是可行的和可靠的。 展开更多
关键词 瞬态γ辐照效应 晶体管模型 参数提取
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自对准栅场发射三极管的设计
10
作者 刘德忠 皮德富 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期13-16,共4页
对于场发射三极管，提高使用频率，增加跨导以提高增益是设计的关键。因此，本文在研究场发射三极管工作原理的基础上，重点分析了场发射三极管结构参数与电参数的关系，设计出了两种结构、四种尺寸的自对准栅场发射三极管单元结构参数... 对于场发射三极管，提高使用频率，增加跨导以提高增益是设计的关键。因此，本文在研究场发射三极管工作原理的基础上，重点分析了场发射三极管结构参数与电参数的关系，设计出了两种结构、四种尺寸的自对准栅场发射三极管单元结构参数，并对它们的性能进行了讨论。 展开更多
关键词 尖锥 几何因子 自对准栅 场发射三极管 设计
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湿氮退火改善晶体管表面特性——提高小电流下β
11
作者 梁永林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期35-38,共4页
本文对湿氮退火改善晶体管表面特性,特别是提高小电流下β进行了论述,并对工艺作了较详细的探讨.
关键词 晶体管 表面特性 湿氮 退火
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Spindt三极管静电场分析 被引量：1
12
作者 刘永强 刘卫东 +1 位作者 刘云鹏 罗恩泽 《电子器件》 CAS 1994年第3期38-41,共4页
本文利用计算机数值分析，得到了一组Ｓｐｉｎｄｔ三极管的发射尖端几何因子的计算公式；计算了器件内的场分布，对一组较典型的结构参数绘出了等势线。
关键词 Spindt三极管 数值分析 几何因子 真空微电子学
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InAlAs／InGaAs高电子迁移率晶体管的可靠性问题
13
作者 张广显 《半导体情报》 1995年第2期59-62,共4页
研究了热处理对亚微米晶格匹配和应变的ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ亚微米ＨＥＭＴ的影响。发现直流特性变差。Ｉ＿（ＤＳＳ）２９９ｍＡ／ｍｍ减到１８２ｍＡ／ｍｍ，Ｇ＿ｍ从５１３ｍＳ／ｍｍ减至２０９ｍＳ／ｍｍ，还测量出了微波参... 研究了热处理对亚微米晶格匹配和应变的ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ亚微米ＨＥＭＴ的影响。发现直流特性变差。Ｉ＿（ＤＳＳ）２９９ｍＡ／ｍｍ减到１８２ｍＡ／ｍｍ，Ｇ＿ｍ从５１３ｍＳ／ｍｍ减至２０９ｍＳ／ｍｍ，还测量出了微波参数的降低。ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）分别减少超过３０％和２０％，一些证据表明，由于在沟道／缓冲层界面和内部额外陷阶的存在而引起的变化是导致这种参数改变的原因。测量出的欧姆接触电阻率从０．１９Ωｍｍ曾加至０．２６Ωｍｍ。在一种测试样品中，所有器件的欧姆接触周围都形成了凝聚物，ＸＥＤＳ分析表明，它们中含有Ｇｅ，Ｎｉ和Ｏ。 展开更多
关键词 HEMT 高电子迁移率 晶体管 可靠性 铟 铝 砷 镓
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晶体三极管外引线断裂原因分析 被引量：1
14
作者 周振凯 赵兰君 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期38-41,共4页
晶体管外引线材料一般是4J29,即Ni29、Co18可伐合金。管座可伐丝规格为φ0.45mm或φ0.5mm,通常管座先镀一层镍再镀一层金作为保护层。即使如此,三极管外引线还经常出现锈蚀、裂纹、甚至断裂。近年来,我厂镀金三极管外引线出现这种情况... 晶体管外引线材料一般是4J29,即Ni29、Co18可伐合金。管座可伐丝规格为φ0.45mm或φ0.5mm,通常管座先镀一层镍再镀一层金作为保护层。即使如此,三极管外引线还经常出现锈蚀、裂纹、甚至断裂。近年来,我厂镀金三极管外引线出现这种情况有所增加,为了探讨三极管外引线断裂原因,以便采取措施,减少和杜绝这种现象,我们曾进行了系统地分析研究,从宏观到微观、从表面到内部,对锈蚀、裂纹部位进行了比较仔细地分析检验。综合分析认为外引线断裂主要来自材质以及电镀不良所致。 展开更多
关键词 晶体管 引线 断裂 分析
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晶体管在线快速测试仪
15
作者 苏长赞 《电世界》 1990年第5期28-29,共2页
关键词 晶体管 在线测试仪 测试
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车载主机与录像仪器相结合的新型导航产品研究 被引量：5
16
作者 孙小伍 马云林 袁磊 《电子设计工程》 2016年第5期175-178,181,共5页
为了提高汽车的行车安全和驾驶优越感,提出了一种车载主机与录像仪器相结合的新型导航产品设计方案,并完成系统的软件设计框架和数据库图表关系。该新型导航产品基于WINCE6.0系统平台,支持轨迹记录和时间搜索,可实现实景导航与高清行车... 为了提高汽车的行车安全和驾驶优越感,提出了一种车载主机与录像仪器相结合的新型导航产品设计方案,并完成系统的软件设计框架和数据库图表关系。该新型导航产品基于WINCE6.0系统平台,支持轨迹记录和时间搜索,可实现实景导航与高清行车记录仪之间任意切换,并支持关键点回放和KML扩展格式文件在地图上浏览。采用本技术方案可使用户在导航和行车记录仪切换更方便,用户体验感更优越,从而提高导航产品的市场竞争力。 展开更多
关键词 车载主机 录像仪 轨迹记录 时间搜索 实景导航
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晶体管用溅射靶材料的研究
17
作者 李义陵 冯金生 +3 位作者 杨延生 卜家威 王志浩 程莺 《上海金属（有色分册）》 1992年第4期30-36,共7页
介绍了S—1240数字程控交换机中晶体管集成电路用金属化磁控溅射膜材料。分析了成膜材料的组成及杂质元素等对集成电路性能的影响。简述了VLSI及ULSI用金属化膜材的发展趋势。
关键词 电阻材料 溅射靶 薄膜 晶体管
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φ300mm/0.18μm的光刻工艺及设备 被引量：2
18
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 1999年第1期1-5,共5页
综述了３００ｍｍ／０１８μｍＣＤ对光刻工艺的要求以及光刻设备的发展。
关键词 圆片 CD 光刻工艺 设备 芯片 晶体管
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一种新型的a-Si:H静电感应晶体管
19
作者 林璇英 林揆训 +1 位作者 王德和 陈志全 《汕头大学学报（自然科学版）》 1990年第1期36-42,共7页
我们提出一种新型的表面肖特基栅的a-Si∶H静电感应晶体管.这种管子制备工艺简单,界面特性良好.计算机模拟结果表明,隙态密度和沟道宽度是影响管子性能的主要参量,当隙态密度为10^(16)cm^(-3)ev^(-1)时,电流开关效应达10~8,工作频率为... 我们提出一种新型的表面肖特基栅的a-Si∶H静电感应晶体管.这种管子制备工艺简单,界面特性良好.计算机模拟结果表明,隙态密度和沟道宽度是影响管子性能的主要参量,当隙态密度为10^(16)cm^(-3)ev^(-1)时,电流开关效应达10~8,工作频率为几兆周. 展开更多
关键词 晶体管 静电感应 肖特基结 A-SI:H
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晶体管在线测试仪
20
作者 蔚南 《无线电》 北大核心 1990年第12期37-37,共1页
关键词 晶体管 在线 测试仪
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