自对准栅场发射三极管的设计

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摘要对于场发射三极管，提高使用频率，增加跨导以提高增益是设计的关键。因此，本文在研究场发射三极管工作原理的基础上，重点分析了场发射三极管结构参数与电参数的关系，设计出了两种结构、四种尺寸的自对准栅场发射三极管单元结构参数，并对它们的性能进行了讨论。

作者刘德忠皮德富

机构地区南京理工大学电光学院

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期13-16,共4页 Semiconductor Technology

关键词尖锥几何因子自对准栅场发射三极管设计

参考文献2

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半导体技术

1997年第5期

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