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退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响 被引量:46
1
作者 吕建国 叶志镇 +2 位作者 赵炳辉 汪雷 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期729-736,共8页
研究了退火处理对 Zn O薄膜结晶性能的影响 .Zn O薄膜由直流反应磁控溅射技术制得 ,并在 O2 气氛中不同温度 (2 0 0~ 10 0 0℃ )下退火 ,利用 X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)和 X射线光电子能谱 (XPS)对其结晶性能进行了研究 ,... 研究了退火处理对 Zn O薄膜结晶性能的影响 .Zn O薄膜由直流反应磁控溅射技术制得 ,并在 O2 气氛中不同温度 (2 0 0~ 10 0 0℃ )下退火 ,利用 X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)和 X射线光电子能谱 (XPS)对其结晶性能进行了研究 ,提出了一个较为完善的 Zn O薄膜退火模型 .研究表明 :热处理可使 c轴生长的薄膜取向性增强 ;随退火温度的升高 ,薄膜沿 c轴的张应力减小 ,压应力增加 ;同时晶粒度增大 ,表面粗糙度也随之增加 .在 6 4 0℃的应力松弛温度 (SRT)下 ,Zn O薄膜具有很好的 c轴取向 ,沿 c轴的应力处于松弛状态 ,晶粒度不大 ,表面粗糙度较小 ,此时 Zn O薄膜的结晶性能最优 . 展开更多
关键词 ZNO薄膜 退火处理 退火模型 结晶性能
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ZnO光电导紫外探测器的制备和特性研究 被引量:33
2
作者 叶志镇 张银珠 +4 位作者 陈汉鸿 何乐年 邹璐 吕建国 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1605-1607,共3页
以Si(111)衬底 ,用脉冲激光沉积 (PLD)法制得C轴高度择优取向的ZnO薄膜 ,并利用剥离技术制备了ZnO光导型紫外探测器 .Al叉指状电极是由平面磁控溅射技术沉积得到的 .对Al/ZnO/Al的伏安特性和紫外光响应的研究表明 ,金属铝和ZnO能形成很... 以Si(111)衬底 ,用脉冲激光沉积 (PLD)法制得C轴高度择优取向的ZnO薄膜 ,并利用剥离技术制备了ZnO光导型紫外探测器 .Al叉指状电极是由平面磁控溅射技术沉积得到的 .对Al/ZnO/Al的伏安特性和紫外光响应的研究表明 ,金属铝和ZnO能形成很好的欧姆接触 ,紫外探测器的电阻值在 10 0KΩ左右 .在紫外区域 ,其 5V偏压下的光响应度为0 .5A/W . 展开更多
关键词 ZNO薄膜 光电导紫外探测器 欧姆接触 光响应度
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AB_5型贮氢合金及其优化设计 被引量:20
3
作者 吕建国 叶志镇 《金属功能材料》 CAS 2001年第4期5-12,共8页
AB5型贮氢合金的性能主要取决于其成分、结构和显微组织。本文从AB5型贮氢合金的晶体结构出发 ,详细讨论了AB5型贮氢合金在诸多方面的优化措施 :(1)化学成分上 ,向多元合金化发展 ,降低合金的成本 ,改善合金性能 ;(2 )结构上 ,偏离AB5结... AB5型贮氢合金的性能主要取决于其成分、结构和显微组织。本文从AB5型贮氢合金的晶体结构出发 ,详细讨论了AB5型贮氢合金在诸多方面的优化措施 :(1)化学成分上 ,向多元合金化发展 ,降低合金的成本 ,改善合金性能 ;(2 )结构上 ,偏离AB5结构 ,发展非化学计量比合金 ;(3)显微组织上 ,从主相向“主相 +辅相”发展 ;(4 )工艺上 ,开发新的合金制备、热处理和表面改性等工艺方法 ;(5 )改善合金使用环境 ;(6 )研究方法上理论化、系统化。通过这些途径 ,可以对AB5型贮氢合金进行深入研究 ,进一步提高合金的性能。 展开更多
关键词 AB5型贮氢合金 晶体结构 优化设计
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MOCVD法以NO气体为掺杂源生长p型ZnO薄膜 被引量:13
4
作者 徐伟中 叶志镇 +3 位作者 周婷 赵炳辉 朱丽萍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期38-41,共4页
采用金属有机化学气相沉积方法在玻璃上生长了掺氮的低电阻p型ZnO薄膜 .实验使用NO和N2 O共同作为氧源 ,且NO同时作为掺氮源 ,二乙基锌作为锌源 .X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性 ,二次离子质谱分析证实了氮被掺入了Zn... 采用金属有机化学气相沉积方法在玻璃上生长了掺氮的低电阻p型ZnO薄膜 .实验使用NO和N2 O共同作为氧源 ,且NO同时作为掺氮源 ,二乙基锌作为锌源 .X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性 ,二次离子质谱分析证实了氮被掺入了ZnO薄膜 .通过优化锌源流量获得了最高空穴浓度为 1 97× 10 18cm-3 ,最低电阻率为 3 0 展开更多
关键词 P型 ZNO 金属有机化学气相沉积
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半导体量子点的器件应用 被引量:9
5
作者 王亚东 叶志镇 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期310-313,共4页
半导体量子点的生长和性质已成为当今研究的热点。以S -K生长模式已成功地生长了无缺陷的半导体量子点。由于其较强的量子效应 ,量子点结构的光电器件和电子器件有望比量子阱结构的器件具有更好的性能。介绍了量子点在光电器件和电子器... 半导体量子点的生长和性质已成为当今研究的热点。以S -K生长模式已成功地生长了无缺陷的半导体量子点。由于其较强的量子效应 ,量子点结构的光电器件和电子器件有望比量子阱结构的器件具有更好的性能。介绍了量子点在光电器件和电子器件中的一些应用 ,包括单电子晶体管、激光器和红外探测器等。 展开更多
关键词 半导体量子点 最子限制效应 光电器件 电子器件
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脉冲激光沉积法生长Zn_(1-x)Mg_xO薄膜 被引量:7
6
作者 邹璐 叶志镇 +1 位作者 赵炳辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1291-1294,共4页
采用脉冲激光沉积法 ,生长出没有组分偏析 ,晶体质量好的 Zn1 - x Mgx O薄膜 (x=0 .2 ) .研究了衬底温度对Zn0 .8Mg0 .2 O薄膜晶体质量、晶粒度大小的影响 ,发现最佳衬底温度为 6 5 0℃左右 .对 Zn0 .8Mg0 .2 O薄膜进行了光致发光分析 ... 采用脉冲激光沉积法 ,生长出没有组分偏析 ,晶体质量好的 Zn1 - x Mgx O薄膜 (x=0 .2 ) .研究了衬底温度对Zn0 .8Mg0 .2 O薄膜晶体质量、晶粒度大小的影响 ,发现最佳衬底温度为 6 5 0℃左右 .对 Zn0 .8Mg0 .2 O薄膜进行了光致发光分析 ,发现相对 Zn O晶体有 0 .4 e 展开更多
关键词 脉冲激光 沉积法 Zn1-xMgxO薄膜 合金 X射线衍射 PL谱 氧化锌 半导体材料 氧化镁
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直流反应磁控溅射Al,N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性 被引量:11
7
作者 袁国栋 叶志镇 +5 位作者 曾昱嘉 吕建国 钱庆 赵炳辉 朱丽萍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期668-673,共6页
报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜 .ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来自ZnxAl1-x(x =0 9)靶材 .利用XRD ,AFM ,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了... 报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜 .ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来自ZnxAl1-x(x =0 9)靶材 .利用XRD ,AFM ,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了研究 .结果表明 ,ZnO薄膜具有高度c轴择优取向 ,4 5 0℃、6 0 0℃分别实现了p型转变 ,电阻率为 10 2 ~ 10 3 Ω·cm ,载流子浓度为 10 15~ 10 16cm-3 ,迁移率为 0 5~ 1 32cm2 / (V·s) .薄膜中Al原子促进了N原子的掺入 .实验还表明 ,p ZnO薄膜在可见光区域具有很高的透射率 (约为 90 % ) ,室温下光学带宽为 3 2 8eV .而在 4 5 0℃生长的p 展开更多
关键词 Al N共掺杂技术 p-ZnO 直流反应磁控溅射
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MOCVD法制备ZnO同质发光二极管 被引量:10
8
作者 叶志镇 徐伟中 +7 位作者 曾昱嘉 江柳 赵炳辉 朱丽萍 吕建国 汪雷 李先杭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期2264-2266,共3页
在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.
关键词 ZNO LED P型掺杂 金属有机化学气相沉积
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氧化铝模板法制备Ge纳米线 被引量:9
9
作者 叶好华 叶志镇 +4 位作者 吴贵斌 赵炳辉 涂江平 侯山昆 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期173-176,共4页
采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 .在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂 ,合成了 Ge纳米线 .采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对 Ge纳米线进行了分析 .Ge纳米线的直径... 采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 .在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂 ,合成了 Ge纳米线 .采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对 Ge纳米线进行了分析 .Ge纳米线的直径约为 30 nm,长度超过 6 0 0 nm.对 Ge纳米线的生长机理进行了探讨 . 展开更多
关键词 Ge纳米线 氧化铝模板 低压化学气相沉积
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以科研促进《薄膜材料技术与物理》专业课程的教学改革 被引量:14
10
作者 叶志镇 张银珠 +1 位作者 汪雷 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期474-476,共3页
探索了科学研究对《薄膜材料技术与物理》新技术专业课程教学的深化与拓展,强调理论与科学实验相结合,提倡学生进行研究式学习,以期加强对学生综合能力、创新能力的培养,取得更好的教学效果。
关键词 科研 薄膜材料技术与物理 教学改革
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ZnO薄膜的缺陷研究进展 被引量:6
11
作者 林益梅 叶志镇 +2 位作者 陈兰兰 朱丽萍 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期385-391,共7页
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有许多优异的性能,可望成为新一代光电材料。但由于ZnO存在许多缺陷从而对它的各种性能产生了不良影响。比如点缺陷会影响ZnO的p型制备,VO可能导致ZnO薄膜产生绿光;线缺陷可能成为载流子陷阱中心和... ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有许多优异的性能,可望成为新一代光电材料。但由于ZnO存在许多缺陷从而对它的各种性能产生了不良影响。比如点缺陷会影响ZnO的p型制备,VO可能导致ZnO薄膜产生绿光;线缺陷可能成为载流子陷阱中心和复合中心,影响薄膜器件性能;层错会影响薄膜的能带结构从而影响其光电性能。为制备良好可靠的ZnO薄膜从而实现ZnO光电器件,必须研究ZnO薄膜的缺陷特性,文章对此进行了详细阐述. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 点缺陷 位错 堆垛层错
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硅衬底上Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的结构与光学性质 被引量:3
12
作者 邹璐 汪雷 +2 位作者 赵炳辉 叶志镇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期935-938,共4页
采用脉冲激光法 (PLD)在Si衬底上沉积Zn1 -xMgxO薄膜 .x射线衍射 (XRD)表明薄膜为c轴取向 ,(0 0 2 )峰的半高宽仅为 0 .2 11° ,且没有MgO的相偏析 .透射电子显微镜可以清楚看到Zn1 -xMgxO薄膜的c轴择优取向 .在选区电子衍射图中可... 采用脉冲激光法 (PLD)在Si衬底上沉积Zn1 -xMgxO薄膜 .x射线衍射 (XRD)表明薄膜为c轴取向 ,(0 0 2 )峰的半高宽仅为 0 .2 11° ,且没有MgO的相偏析 .透射电子显微镜可以清楚看到Zn1 -xMgxO薄膜的c轴择优取向 .在选区电子衍射图中可以看到Zn1 -xMgxO结晶薄膜整齐的衍射斑点 .室温下对Zn1 -xMgxO薄膜进行了光致荧光光谱分析 ,发现其带边发射峰相对ZnO晶体有 0 .4eV的蓝移 ,带边发射峰与杂质发射峰的强度之比高达 15 9.Zn1 -xMgxO结晶薄膜质量良好 。 展开更多
关键词 硅衬底 Zn1-xMgx0薄膜 结构 光学性质 X射线衍射 光致荧光光谱分析 氧化锌 半导体光电器件
原文传递
MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜 被引量:5
13
作者 周新翠 叶志镇 +6 位作者 陈福刚 徐伟中 缪燕 吕建国 朱丽萍 赵炳辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期91-95,共5页
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400~450℃时获得了p型ZnO薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴... 利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400~450℃时获得了p型ZnO薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴浓度为1.61×1018cm-3,电阻率为4.64Ω.cm,迁移率为0.838cm2/(V.s).霍尔测试和低温光致发光谱证实了该ZnO薄膜的p型导电特性,并观察到薄膜位于3.354eV与中性受主束缚激子相关的发射峰. 展开更多
关键词 p-ZnO 金属有机化学气相沉积 磷掺杂
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硅上超高真空CVD生长硅锗外延层及其特性研究 被引量:7
14
作者 叶志镇 +4 位作者 卢焕明 姜小波 汪雷 赵炳辉 阙端麟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期30-34,共5页
我们利用自行研制的UHV/CVD技术在直径3英寸的硅衬底上生长了锗硅外延层,并进行了实时掺杂生长.采用X射线双晶衍射和二次离子质谱技术确定了外延层的质量与组分,利用扩展电阻仪对外延层电阻率进行了表征,研究了生长特性和... 我们利用自行研制的UHV/CVD技术在直径3英寸的硅衬底上生长了锗硅外延层,并进行了实时掺杂生长.采用X射线双晶衍射和二次离子质谱技术确定了外延层的质量与组分,利用扩展电阻仪对外延层电阻率进行了表征,研究了生长特性和材料特性.由此获得生长速率及组分与源气体流量的关系曲线,发现生长速度随Ge组分的增加而降低,以氢气为载气的B2H6对锗硅合金的生长速率有促进作用. 展开更多
关键词 锗硅材料 CVD 外延生长
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纳米多孔铝的制备技术及应用 被引量:2
15
作者 瑞青 党建印 《微纳电子技术》 CAS 2002年第5期25-27,共3页
介绍了阳极氧化方法制备纳米多孔铝的技术。阳极氧化多孔铝由于孔径可以控制在纳米尺度,因而在半导体纳米线料的制备方面具有广泛的用途。
关键词 纳米 多孔铝 制备技术 应用 半导体材料
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硅发光研究进展 被引量:3
16
作者 叶好华 叶志镇 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期4-7,共4页
硅是间接带隙半导体 ,不能有效地发光。量子理论、超晶格理论和纳米技术的发展 ,给硅基发光研究提供了理论的和技术的支撑。研究者通过不同的途径去实现硅的有效发光 :多孔硅、纳米硅、Si/SiO2 超晶格、计算化设计与硅晶格匹配的直接带... 硅是间接带隙半导体 ,不能有效地发光。量子理论、超晶格理论和纳米技术的发展 ,给硅基发光研究提供了理论的和技术的支撑。研究者通过不同的途径去实现硅的有效发光 :多孔硅、纳米硅、Si/SiO2 超晶格、计算化设计与硅晶格匹配的直接带隙半导体。 展开更多
关键词 硅发光 多孔硅 纳米硅 超晶格
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多孔硅上生长Ge量子点的光学特性 被引量:6
17
作者 王亚东 +1 位作者 叶志镇 赵炳辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1116-1118,共3页
采用量子尺寸的多孔硅作为衬底 ,利用区域优先成核在多孔硅表面上成功地生长了 Ge量子点 .由于量子限制效应锗的 PL 谱发生了明显的蓝移 ,计算表明在傅里叶红外光谱中观察到的中红外 (5— 6 μm)吸收峰是源于量子点中的亚能带跃迁 (两... 采用量子尺寸的多孔硅作为衬底 ,利用区域优先成核在多孔硅表面上成功地生长了 Ge量子点 .由于量子限制效应锗的 PL 谱发生了明显的蓝移 ,计算表明在傅里叶红外光谱中观察到的中红外 (5— 6 μm)吸收峰是源于量子点中的亚能带跃迁 (两个重空穴能级之间的跃迁 ) ,这为 展开更多
关键词 锗量子点 红外光探测器 光学特性 多孔硅
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在薄硅外延片上制备高频肖特基势垒二极管 被引量:5
18
作者 张海燕 叶志镇 +3 位作者 李蓓 谢靓红 赵炳辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期622-625,共4页
采用超高真空化学气相沉积技术 ,在 n型重掺 Si衬底上生长了轻掺的薄硅外延层 ,利用扩展电阻和原子力显微分析对外延层进行了检验 .结果表明 ,重掺 Si衬底与薄硅外延层之间的界面过渡区陡峭 ,外延层厚度在亚微米级 ,掺杂浓度为 10 1 7cm... 采用超高真空化学气相沉积技术 ,在 n型重掺 Si衬底上生长了轻掺的薄硅外延层 ,利用扩展电阻和原子力显微分析对外延层进行了检验 .结果表明 ,重掺 Si衬底与薄硅外延层之间的界面过渡区陡峭 ,外延层厚度在亚微米级 ,掺杂浓度为 10 1 7cm- 3.在此外延片上制备了高频肖特基二极管的原型器件 。 展开更多
关键词 肖特基势垒 二极管 硅外延层 截止频率
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激光脉冲沉积法在Si(100)上生长c轴择优取向的LiNbO_3晶体薄膜及其性能 被引量:4
19
作者 叶志镇 +2 位作者 汪雷 叶龙飞 赵炳辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期488-491,共4页
采用激光脉冲沉积 ( PL D)法在 Si( 10 0 )衬底上生长得到了完全 c轴择优取向的 L i Nb O3( L N)薄膜 ,X射线衍射分析表明 L N( 0 0 6)衍射峰的半峰宽为 0 .3 5°.利用棱镜耦合器 ,激光可以被耦合到 L N薄膜中 ,形成 TE和 TM模式的... 采用激光脉冲沉积 ( PL D)法在 Si( 10 0 )衬底上生长得到了完全 c轴择优取向的 L i Nb O3( L N)薄膜 ,X射线衍射分析表明 L N( 0 0 6)衍射峰的半峰宽为 0 .3 5°.利用棱镜耦合器 ,激光可以被耦合到 L N薄膜中 ,形成 TE和 TM模式的光波导 .测得 L N薄膜的折射率 n0 为 2 .2 85 ,薄膜的厚度为 0 .199μm. 展开更多
关键词 光波导 铌酸锂薄膜 激光脉冲沉积法 铁电材料
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ZnO Films Synthesized by Solid-Source Chemical Vapor Deposition with c-Axis Parallel to Substrate 被引量:7
20
作者 吕建国 叶志镇 +2 位作者 张银珠 赵炳辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期1-5,共5页
ZnO films with c -axis parallel to the substrate are reported.ZnO films are synthesized by solid-source chemical vapor deposition,a novel CVD technique,using zinc acetate dihydrate (solid) as the source material.The p... ZnO films with c -axis parallel to the substrate are reported.ZnO films are synthesized by solid-source chemical vapor deposition,a novel CVD technique,using zinc acetate dihydrate (solid) as the source material.The properties are characterized by X-ray diffraction,atomic force microscopy and transmission spectra.The parallel oriented ZnO films with mixed orientation for (100) and (110) planes are achieved on glass at the substrate temperature of 200℃ and the source temperature of 280℃,and a qualitative explanation is given for the forming of the mixed orientation.AFM images show that the surface is somewhat rough for the parallel oriented ZnO films.The transmission spectrum exhibits a high transmittance of about 85% in the visible region and shows an optical band gap about 3.25eV at room temperature. 展开更多
关键词 ZnO films SS-CVD mixed orientation c -axis parallel to the substrate
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