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水基溶胶-凝胶法制备Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜及其介电性能研究 被引量:15
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作者 齐兵 何夕云 +3 位作者 丁爱丽 仇萍荪 先同 罗维根 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期389-395,共7页
本文研究了一种以水为溶剂的Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)液体源溶液,并用Sol-Gel技术制备出BST薄膜,实验中,对水基BST液体源浓缩凝胶进行了DTA/TGA分析,XRD谱分析显示,BST膜呈现纯钙钛矿相结构.从SEM电镜照片可以看到,BST薄膜厚度... 本文研究了一种以水为溶剂的Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)液体源溶液,并用Sol-Gel技术制备出BST薄膜,实验中,对水基BST液体源浓缩凝胶进行了DTA/TGA分析,XRD谱分析显示,BST膜呈现纯钙钛矿相结构.从SEM电镜照片可以看到,BST薄膜厚度均匀一致,650℃热处理20min后,晶粒大小为200nm左右.性能测试结果表明,介电性能与膜厚有关,厚度为1250的BST薄膜具有较优良的介电性能,当测试频率为1kHz时,介电常数为330,介电损耗为0.043左右. 展开更多
关键词 钙钛矿 介电常数 介电损耗 溶胶凝胶法 薄膜
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Pt/Ti电极的扩散行为及其对铁电薄膜的影响 被引量:7
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作者 屈新萍 丁爱丽 +2 位作者 罗维根 仇萍荪 先同 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期499-504,共6页
采用直流磁控溅射方法制备Pt/Ti电极,用RBS、XRD、SEM方法研究了Pt和Ti的扩散行为,发现在氧气氛中进行热处理造成Ti层的快速氧化,Ti厚度对Pt/Ti的扩散有很大影响.Pt/Ti的扩散造成其上的铁电薄膜较... 采用直流磁控溅射方法制备Pt/Ti电极,用RBS、XRD、SEM方法研究了Pt和Ti的扩散行为,发现在氧气氛中进行热处理造成Ti层的快速氧化,Ti厚度对Pt/Ti的扩散有很大影响.Pt/Ti的扩散造成其上的铁电薄膜较差的显微结构和性能. 展开更多
关键词 磁控溅射 电极 铁电薄膜 半导体薄膜
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纳米晶粒PLT(28)薄膜的制备和性能研究
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作者 丁爱丽 罗维根 +2 位作者 先同 仇萍荪 李晖 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期486-490,共5页
本文首先报道了纳米晶粒PLT(28)薄膜的制备,并研究其微结构、铁电、电光性能,讨论不同热处理条件对薄膜微结构的影响,以及晶粒尺寸与电光性能的关系.
关键词 纳米晶粒 铁电性能 铁电薄膜 PLT 光电性能
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射频磁控溅射制备纳米PLT薄膜的研究 被引量:1
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作者 李晖 罗维根 +2 位作者 先同 丁爱丽 庄志诚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期371-374,共4页
用射频磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备出纳米级PLZT薄膜.XRD、TEM分析表明,薄膜为纯钙钛矿结构,平均粒径为2~5nm.Raman光谱表明,纳米级晶粒尺寸使得薄膜的Raman峰向低波数方向移动.
关键词 纳米 PLT薄膜 铁电体 射频磁控溅射
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纳米薄膜PLT的拉曼散射
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作者 庄志诚 张晴 +3 位作者 丁爱丽 罗维根 李辉 先同 《光散射学报》 1995年第2期97-98,共2页
纳米薄膜PLT的拉曼散射庄志诚,张晴(上海交通大学上海200030)丁爱丽,罗维根,李辉,陈先同(中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050)从Kanzig等报导了精细颗粒的铁电材料的介电性质以来,已经多次发现铁电薄... 纳米薄膜PLT的拉曼散射庄志诚,张晴(上海交通大学上海200030)丁爱丽,罗维根,李辉,陈先同(中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050)从Kanzig等报导了精细颗粒的铁电材料的介电性质以来,已经多次发现铁电薄膜和超细晶粒的结构特征,物理和化学... 展开更多
关键词 纳米薄膜 PLF 拉曼散射 结构特丽 振动模
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c轴取向PbTiO_3外延生长的研究
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作者 先同 罗维根 +3 位作者 丁爱丽 仇萍荪 李晖 平井敏雄 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期225-230,共6页
本文研究了MOCVD法淀积过程中工艺条件对PbTiO3膜c轴取向度的影响,探讨了PbTiO3膜的生长过程,通过调节氧气流量首次在MgO(100)单晶衬底上淀积出c轴取向的PbTiO3外延膜.PbTiO3外延膜的介电常... 本文研究了MOCVD法淀积过程中工艺条件对PbTiO3膜c轴取向度的影响,探讨了PbTiO3膜的生长过程,通过调节氧气流量首次在MgO(100)单晶衬底上淀积出c轴取向的PbTiO3外延膜.PbTiO3外延膜的介电常数为90;折射率为2.64;均和单晶性能一致. 展开更多
关键词 外延生长 薄膜 MOCVD 钛酸铅 C轴取向
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