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MEMS研究与发展前景 被引量：9
1
作者 赵晓峰 温殿忠 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 2002年第1期64-69,共6页
在阐述ＭＥＭＳ技术的基本概念、意义、传感ＭＥＭＳ的基本模型和国内外研究状况的基础上，重点阐述 ＭＥＭＳ技术的加工工艺及在未来的发展景前景．
关键词 MEMS 微传感器 微执行器 各向异性腐蚀技术 微电子机械加工系统 加工工艺 发展前景
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Ar离子激光增强硅各向异性腐蚀速率的研究 被引量：10
2
作者 温殿忠 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期202-204,共3页
研究了Ａｒ离子激光器与硅各向异性腐蚀技术相结合制造硅杯的方法。结果表明，激光照射能增强浸于ＫＯＨ溶液中硅的化学腐蚀速率，在入射光强为４．６Ｗ，ＫＯＨ溶液浓度为０．２２ｍｏｌ，温度为９０℃的条件下，得到＜１００＞硅的腐... 研究了Ａｒ离子激光器与硅各向异性腐蚀技术相结合制造硅杯的方法。结果表明，激光照射能增强浸于ＫＯＨ溶液中硅的化学腐蚀速率，在入射光强为４．６Ｗ，ＫＯＨ溶液浓度为０．２２ｍｏｌ，温度为９０℃的条件下，得到＜１００＞硅的腐蚀速率为２１μｍ／ｍｉｎ，是无激光照射时硅各向异性腐蚀速率的多倍。进而讨论了硅在ＫＯＨ溶液中腐蚀速率对激光光强的依赖关系以及实验温度对腐蚀速率的影响问题。 展开更多
关键词 硅 各向异性 腐蚀 氩离子激光
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P^+πN^+器件压磁电效应的研究 被引量：6
3
作者 温殿忠 邱成军 庄玉光 《传感技术学报》 CAS CSCD 1996年第2期10-15,共6页
用载流子连续方程研究了一个侧面设置高复合区的双注入P^+πN^+器件的压磁电效应,给出了伏安特性与压力和磁场强度的函数关系.结果表明,当四个P^+πN^+器件在“基区”两两垂直组成惠斯登电桥,制造在C型硅杯的硅膜片上,不但具有较高的压... 用载流子连续方程研究了一个侧面设置高复合区的双注入P^+πN^+器件的压磁电效应,给出了伏安特性与压力和磁场强度的函数关系.结果表明,当四个P^+πN^+器件在“基区”两两垂直组成惠斯登电桥,制造在C型硅杯的硅膜片上,不但具有较高的压力灵敏度和磁灵敏度,而且可以用来测量磁场的旋转角度.据此,提出了一种新的具有良好工作稳定性及较高灵敏度的压/磁敏感器件. 展开更多
关键词 P^+πN^+器件 压磁电效应 敏感器件
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采用MEMS技术制造硅磁敏三极管 被引量：7
4
作者 温殿忠 穆长生 赵晓峰 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第5期49-52,共4页
阐述了采用MEMS技术与反外延技术相结合在硅片表面制造具有矩形板状立体结构的硅磁敏三极管的设计原理、结构和工艺。结果表明 ,设计的硅磁敏三极管制造技术不但能与IC工艺相兼容 ,而且便于集成化 ,将有广泛的应用领域。
关键词 MEMS技术 反外延技术 硅磁敏三极管
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小型航空压气机CFD设计系统 被引量：3
5
作者 温殿忠 温泉 陈国智 《工程热物理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期38-41,共4页
本文概要介绍了株洲航空动力机械研究所在９０年代中期引进每秒１０亿次运算速度的计算机后，建立了以二维叶片造型和三维粘性数值计算为核心的小发压气机ＣＦＤ设计系统。用新建立的ＣＦＤ设计系统进行了单级和双级压气机设计并进行了... 本文概要介绍了株洲航空动力机械研究所在９０年代中期引进每秒１０亿次运算速度的计算机后，建立了以二维叶片造型和三维粘性数值计算为核心的小发压气机ＣＦＤ设计系统。用新建立的ＣＦＤ设计系统进行了单级和双级压气机设计并进行了试验验证．试验结果证明，使用该系统能够完成高性能小型轴流压气机设计。 展开更多
关键词 小型轴流压气机 CFD设计系统 航空发动机
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基于直流磁控溅射室温制备ZnO薄膜研究 被引量：9
6
作者 赵晓锋 温殿忠 高来勖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期461-465,共5页
采用直流磁控溅射法在p型<100>晶向单晶硅衬底上室温制备ZnO薄膜,对室温制备的ZnO薄膜分别在500℃、600℃、700℃进行高温退火,通过采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(SEM)、HP4145B型半导体参数测试仪分析不... 采用直流磁控溅射法在p型<100>晶向单晶硅衬底上室温制备ZnO薄膜,对室温制备的ZnO薄膜分别在500℃、600℃、700℃进行高温退火,通过采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(SEM)、HP4145B型半导体参数测试仪分析不同退火温度对室温生长ZnO薄膜微结构、表面形貌和I-V特性影响。实验结果表明,室温生长的ZnO薄膜为非晶态,随退火温度增加,ZnO薄膜出现(002)、(100)、(101)晶面衍射峰且逐渐增强,晶粒大小相对增加,在700℃退火后,呈高度c轴择优取向,晶粒间界明显,拉曼光谱E2模增强。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 ZNO薄膜 晶粒 晶粒间界
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国家三期一等水准测量若干问题的研究 被引量：10
7
作者 温殿忠 杨俊志 《测绘通报》 CSCD 北大核心 2009年第11期4-7,共4页
分析研究国家三期水准测量所涉及的基础性问题,包括水准测量规范的更新,国内外水准尺标准的统一,数字水准仪测量系统的检定与使用,测量限差的制定等内容。
关键词 国家三期水准 标准更新 国内外标准统一 数字水准仪 检定与使用
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真空镀膜中膜厚均匀性的研究 被引量：4
8
作者 穆长生 张辉军 温殿忠 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2002年第5期8-10,共3页
在半导体器件生产过程中 ,器件的引线大都是由蒸镀的方法来解决的。蒸镀不仅能制备引线 ,同时也是传感器件敏感膜制作的主要手段。但蒸镀中常常发现膜厚度不均匀 ,影响膜厚的因素很多 ,实际生产中 ,陪片由于与其它正片的几何位置不同 ,... 在半导体器件生产过程中 ,器件的引线大都是由蒸镀的方法来解决的。蒸镀不仅能制备引线 ,同时也是传感器件敏感膜制作的主要手段。但蒸镀中常常发现膜厚度不均匀 ,影响膜厚的因素很多 ,实际生产中 ,陪片由于与其它正片的几何位置不同 ,因此膜厚不同。其差别可达 1%～ 2 0 %,但在大量的文献分析及应用中被忽略。针对两种常见的蒸发源 ,通过理论计算与实验给出了陪片、基片与蒸发源的最佳位置 ,使误差可控制在 1%,甚至 0 .1%。 展开更多
关键词 真空镀膜 蒸发源位形 膜厚均匀性
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硅在KOH溶液中各向异性腐蚀机理的研究 被引量：4
9
作者 温殿忠 庄玉光 邱成军 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 1996年第3期55-58,54,共5页
本文应用碰撞理论研究了硅在ＫＯＨ溶液中各向异性腐蚀的机理。结果表明，硅在ＫＯＨ溶液中的各向异性腐蚀速率不但与硅材料晶面原子密度差异有关，而且还与活化离子ＯＨ－数有关，活化粒子数与成正比。应用本文给出的腐蚀机理能满意解... 本文应用碰撞理论研究了硅在ＫＯＨ溶液中各向异性腐蚀的机理。结果表明，硅在ＫＯＨ溶液中的各向异性腐蚀速率不但与硅材料晶面原子密度差异有关，而且还与活化离子ＯＨ－数有关，活化粒子数与成正比。应用本文给出的腐蚀机理能满意解释硅在ＫＯＨ溶液中各向异性腐蚀的实验结果。 展开更多
关键词 硅 各向异性 腐蚀 碰撞 氢氧化钾溶液
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利用MEMS研制微型气流传感器的特性研究 被引量：3
10
作者 温殿忠 方华军 《传感技术学报》 CAS CSCD 1998年第4期51-55,共5页
本文在介绍采用硅微电子机械加工系统制造硅微型气流传感器的结构和工作原理的基础上。
关键词 硅微机械加工 气流传感器 多晶硅电阻 特性分析
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激光刻蚀硅磁敏三极管发射区引线槽的研究 被引量：6
11
作者 温殿忠 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期454-456,共3页
提出了一种激光与微电子机械加工系统 (MEMS)相结合刻蚀硅磁敏三极管发射区引线槽的方法。实验结果表明 ,利用这种新方法刻蚀的硅磁敏三极管发射区引线槽具有刻蚀速率大、质量好的优点 ,并且可以实现对 ,〈111〉晶向硅片无掩膜加工。
关键词 激光技术 激光刻蚀 微电子机械加工系统 磁敏三极管 引线槽
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纳米电子学研究与展望 被引量：1
12
作者 温殿忠 李国栋 赵晓锋 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 2001年第3期59-64,共6页
本文在阐述纳米科学技术概念、意义和内涵的基础上，着重展望了 ２１世纪纳米电子学研究与发展的几个主要领域和发展前景．
关键词 纳米技术 纳米电子学 量子器件 MEMS
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人工神经网络在孕妇脉象判别中的应用 被引量：5
13
作者 王璐 吴南健 温殿忠 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 2003年第4期66-68,72,共4页
以人工神经网络理论为基础,设计了一个用于判别孕妇脉象的神经网络。先对采样数据进行分析处理,形成网络的样本数据库,然后对网络进行训练、仿真,最后再对仿真结果作进一步分析。实验和分析表明,人工神经网络方法在中医脉诊领域具有明... 以人工神经网络理论为基础,设计了一个用于判别孕妇脉象的神经网络。先对采样数据进行分析处理,形成网络的样本数据库,然后对网络进行训练、仿真,最后再对仿真结果作进一步分析。实验和分析表明,人工神经网络方法在中医脉诊领域具有明显的优越性和广泛的应用前景。 展开更多
关键词 人工神经网络 脉象仪 孕妇脉象 仿真分析
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基于PECVD制备多晶硅薄膜研究 被引量：3
14
作者 赵晓锋 温殿忠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1151-1154,共4页
基于PECVD以高纯S iH4为气源研究制备多晶硅薄膜,在衬底温度550℃、射频(13.56MHz)电源功率为20W直接沉积获得多晶硅薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)对多个样品薄膜的结晶情况及形貌进行分析,薄膜结晶粒取向均为... 基于PECVD以高纯S iH4为气源研究制备多晶硅薄膜,在衬底温度550℃、射频(13.56MHz)电源功率为20W直接沉积获得多晶硅薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)对多个样品薄膜的结晶情况及形貌进行分析,薄膜结晶粒取向均为<111>、<220>、<311>晶向。对550℃沉积态薄膜在900℃、1100℃时进行高温退火处理,硅衍射峰明显加强。结果表明,退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜表面晶粒趋于平坦,择优取向为<111>晶向,晶粒也相对增大。 展开更多
关键词 PECVD 多晶硅薄膜 晶粒 退火
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硅基/聚酰亚胺湿度敏感元件研究 被引量：5
15
作者 万灵 温殿忠 +2 位作者 白续铎 唐祺 肖艳玲 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 北大核心 2005年第6期822-825,共4页
硅基/聚酰亚胺湿度传感器是采用集成电路光刻工艺在硅衬底上制成了以PI材料为介质膜,以金、铝为电极的电容式湿度传感器。给出了聚酰亚胺(PI)材料的感湿机理,硅基/聚酰亚胺湿敏电容的结构,以及湿度传感器的制造工艺、湿敏特性、工作原... 硅基/聚酰亚胺湿度传感器是采用集成电路光刻工艺在硅衬底上制成了以PI材料为介质膜,以金、铝为电极的电容式湿度传感器。给出了聚酰亚胺(PI)材料的感湿机理,硅基/聚酰亚胺湿敏电容的结构,以及湿度传感器的制造工艺、湿敏特性、工作原理及应用等。测试结果表明,在相对湿度为10%-90%RH范围内C-%RH曲线线性度良好。 展开更多
关键词 硅基 聚酰亚胺 湿度传感器 IC工艺
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大学工科专业课教学改革与产学研的关系 被引量：5
16
作者 温殿忠 《黑龙江高教研究》 北大核心 2002年第3期81-82,共2页
本文探讨大学工科专业课教学改革与产学研相互依存、相互浸透、相互促进、相得益彰、相辅相成的关系和特点。这不但对高等院校理工科专业教师提高学术水平和教学质量有借鉴作用 ,而且对新时期高等院校理工科专业的素质教育也有一定的意义。
关键词 大学 工科专业课 教学改革 产学研
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井下液体流速检测仪的研制 被引量：5
17
作者 曲伟 温殿忠 +1 位作者 刘红梅 李国栋 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第8期13-15,共3页
介绍了一种井下低流速液体流速检测仪的研制 ,阐述了利用 2DCM硅磁敏二极管和波纹管制造井下液体低流速传感器的设计原理与结构 ,提出了用XTR10 4补偿电路和智能化检测系统的方案 ,实验结果表明 。
关键词 磁敏二极管 波纹管 流速检测仪 油井
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纳米多晶硅薄膜压力传感器制作及特性 被引量：4
18
作者 赵晓锋 温殿忠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期2038-2042,共5页
给出一种纳米多晶硅薄膜压力传感器,采用LPCVD法在衬底温度620℃时制备纳米多晶硅薄膜,基于MEMS技术在方形硅膜不同位置制作由4个薄膜厚度为63.0nm的掺硼纳米多晶硅薄膜电阻构成惠斯通电桥结构,实现对外加压力的检测.实验结果表明,当硅... 给出一种纳米多晶硅薄膜压力传感器,采用LPCVD法在衬底温度620℃时制备纳米多晶硅薄膜,基于MEMS技术在方形硅膜不同位置制作由4个薄膜厚度为63.0nm的掺硼纳米多晶硅薄膜电阻构成惠斯通电桥结构,实现对外加压力的检测.实验结果表明,当硅膜厚度75μm时,纳米多晶硅薄膜压力传感器在恒压源5.0V供电时,满量程(160kPa)输出为24.235mV,灵敏度为0.151mV/kPa,精度为0.59%F.S,零点温度系数和灵敏度温度系数分别为-0.124%/℃和-0.108%/℃. 展开更多
关键词 纳米多晶硅薄膜 MEMS技术 压力传感器 温度系数
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垂直靶向脉冲激光沉积制备ZnO纳米薄膜 被引量：5
19
作者 牛海军 樊丽权 +4 位作者 李晨明 王宏波 王宇威 白续铎 温殿忠 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期303-305,共3页
用一种新颖的制备纳米粒子与薄膜的垂直靶向脉冲激光沉积(VTPLD)方法,在室温及空气气氛下,于玻璃基底上成功地制备出ZnO纳米薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)仪对ZnO纳米薄膜的表面形貌和结构进行了表征,用荧光光谱仪对薄... 用一种新颖的制备纳米粒子与薄膜的垂直靶向脉冲激光沉积(VTPLD)方法,在室温及空气气氛下,于玻璃基底上成功地制备出ZnO纳米薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)仪对ZnO纳米薄膜的表面形貌和结构进行了表征,用荧光光谱仪对薄膜的光致发光(PL)性能进行了测量。结果表明,当激光功率为13W时,沉积出的粒子大小较均匀,尺寸在40nm左右,且粒子排列呈现出一定方向性;当激光功率为21W时,沉积的ZnO纳米薄膜图呈现出微纳米孔的连续薄膜。在玻璃基底上沉积的ZnO纳米薄膜有一主峰对应的(002)衍射晶面,表明ZnO纳米薄膜具有良好的c轴取向性。不同激光功率下沉积ZnO纳米薄膜经500℃热处理后的PL峰,其强度随激光能量而变化,最大发光波长位于412nm。 展开更多
关键词 垂直靶向脉冲激光沉积(VTPLD) ZnO纳米薄膜 ZnO微纳米孔薄膜 光致发光(PL)
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硅在KOH溶液和EPW中各向异性腐蚀的异同 被引量：3
20
作者 温殿忠 庄玉光 《传感技术学报》 CAS CSCD 1995年第2期83-86,共4页
<正>本文在文献(1~5)的基础上,进一步应用碰撞理论研究了硅在KOH溶液和EPW中各向异性腐蚀的机理,并给出了硅在这两种腐蚀液中各向异性腐蚀速率的实验结果.
关键词 硅 氢氧化钾溶液 EPW 各向异性 腐蚀
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