摘要
提出了一种激光与微电子机械加工系统 (MEMS)相结合刻蚀硅磁敏三极管发射区引线槽的方法。实验结果表明 ,利用这种新方法刻蚀的硅磁敏三极管发射区引线槽具有刻蚀速率大、质量好的优点 ,并且可以实现对 ,〈111〉晶向硅片无掩膜加工。
A new method to etching emitter region-groove approach of magnetic-sensitive transistor was proposed by combine laser with MEMS technique. The results from the experiment show that new method can etch emitter region-groove approach of magnetic-sensitive transistor with high quality and high etching rates of Si, and process Si of without mask.
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期454-456,共3页
Chinese Journal of Lasers
基金
国家自然科学基金 (编号 :60 0 760 2 7)资助项目
