检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

共找到8篇文章

< 1 >

每页显示 20 50 100

已选择0条

导出题录引用分析

统计分析

显示方式：

文摘详细列表

相关度排序被引量排序时效性排序

溅射法制备InSb薄膜工艺探索——In与Sb的原子比问题被引量：4: 1; 作者温作晓孙承松 +2 位作者魏永广关艳霞周立军《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2001年第7期35-36,共2页; 介绍一种基于原子比为 1:1的InSb靶制备原子比为 1:1的InSb薄膜的方法 ,实验结果表明。; 关键词溅射 INSB薄膜原子比磁敏元件磁敏传感器; 下载PDF 职称材料

一种带有光标显示的LCD驱动控制芯片的设计被引量：1: 2; 作者孟军温作晓魏同立《电子器件》 CAS 2004年第1期102-106,共5页; 介绍了一种LCD驱动控制芯片的总体设计方案。该LCD驱动控制芯片具有比较完备的指令系统、完善的MPU接口和LCD接口、能存储大量常用字符的ROM、用户可以自行设计字符的RAM、光标显示电路等显著特色。重点讨论了MPU接口、指令译码、光标... 展开更多; 关键词液晶显示驱动接口光标电路; 下载PDF 职称材料

Ni膜热敏电阻的制备被引量：2: 3; 作者温作晓孙承松《传感器世界》 1999年第5期24-26,共3页; 本文介绍了用射频溅射法制备的Ni膜热敏电阻的特性及相应工艺条件。通过X射线衍射法分析了不同偏压下Ni膜的晶粒尺寸,并对实验结果进行了分析,获得了能够长期稳定工作的电阻温度系数(TCR)较高的热敏电阻。; 关键词溅射薄膜热敏电阻制备镍; 下载PDF 职称材料

溅射条件对InSb薄膜方块电阻的影响被引量：1: 4; 作者张小玲孙承松 +1 位作者李云鹏温作晓《传感器世界》 1998年第3期11-15,共5页; 本文介绍了用射频溅射技术制备InSb薄膜的方法,探索了溅射电压,工作气压、衬底温度及基片电压等条件对膜的特性和结构的影响.着重讨论了溅射条件对膜方块电阻的影响,并初步得出其变化规律.; 关键词溅射薄膜方块电阻锑化铟; 下载PDF 职称材料

溅射法制备InSb薄膜工艺探索——In的氧化及热处理保护被引量：1: 5; 作者孙承松魏永广 +2 位作者关艳霞周立军温作晓《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2001年第8期33-34,共2页; 介绍了用RF溅射法制备InSb薄膜时 ,如何克服In的氧化问题的措施及防止InSb薄膜在热处理过程中继续氧化和挥发的方法。对实验结果进行了电镜和俄歇电子能谱测试分析。结果表明 ,只要控制好工艺条件 ,可以获得较好的效果。; 关键词溅射InSb薄膜氧化热处理; 下载PDF 职称材料

一种用于LCD驱动控制的4位微处理器被引量：1: 6; 作者孟军温作晓魏同立《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期92-97,共6页; 设计了一种用于 LCD驱动的 4位专用微处理器 ,按照功能框图对其特点进行分析。该微处理器具有丰富的指令集 ,能够满足 LCD显示的各种要求 ,系统最大特色就是提供了比较完备的用于测试片内模块故障的测试模式。在对系统各模块的结构和功... 展开更多; 关键词 LCD 微处理器液晶显示驱动测试模式 CMOS; 下载PDF 职称材料

热处理条件对溅射法制得的InSb薄膜特性的影响被引量：2: 7; 作者关艳霞孙承松温作晓《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2000年第9期15-16,共2页; 文中从理论和实验分析了热处理条件对溅射法制得的InSb薄膜特性的影响。热处理温度、时间和升降温速率都对薄膜特性有影响 ,通过实验得出了最佳的热处理温度、恒温时间和升降温速率。最后讨论了热处理过程中所采用的; 关键词 INSB薄膜热处理溅射制膜霍尔输出特性; 下载PDF 职称材料

溅射条件对湿敏薄膜特性的影响: 8; 作者孙承松温作晓 +2 位作者魏永广关艳霞周立军《真空》 CAS 北大核心 2000年第2期13-15,共3页; 本文介绍了 RF溅射制备湿度敏感膜技术 ,讨论了衬底温度、工作气体及压力、放电电压及时间对湿敏膜感湿特性的影响。实验结果表明。; 关键词溅射特性湿敏薄膜湿敏元件; 下载PDF 职称材料

已选择0条

导出题录引用分析

统计分析

上一页 1 下一页到第页

使用帮助返回顶部