期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到96篇文章
< 1 2 … 5 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
参数共振微扰法在Boost变换器混沌控制中的实现及其优化 被引量：57
1
作者 周宇飞 陈军宁 +3 位作者 谢智刚 柯导明 时龙兴 孙伟锋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期3676-3683,共8页
参数共振微扰法是一种简单的非反馈混沌控制方法 ,它十分适合非自治系统的混沌控制 .研究了这种方法在电流模式控制Boost变换器混沌控制中的应用 ,并通过对扰动相位进行优化 ,达到最优的混沌控制结果 .同时对参数共振微扰法及其优化方法... 参数共振微扰法是一种简单的非反馈混沌控制方法 ,它十分适合非自治系统的混沌控制 .研究了这种方法在电流模式控制Boost变换器混沌控制中的应用 ,并通过对扰动相位进行优化 ,达到最优的混沌控制结果 .同时对参数共振微扰法及其优化方法在Boost变换器混沌控制中的作用进行了理论分析 ,推导并计算了各种电路参数变化对有效的混沌控制所需的扰动的影响 . 展开更多
关键词 混沌控制 微扰法 参数共振 非自治系统 扰动 推导 BOOST变换器 电流模式控制 电路参数 相位
原文传递
开关功率变换器中的间歇现象——理论分析 被引量：19
2
作者 周宇飞 陈军宁 +4 位作者 Chi K Tse 丘水生 柯导明 时龙兴 孙伟锋 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期269-273,共5页
鉴于间歇分谐波与间歇混沌的产生可以从电路耦合滤波的角度进行合理的解释 ,则可以此为基础 ,用参数域上的分叉来映射时间域上的分叉 ,从而使得可以用一般的特征值分析方法 (针对参数分叉 )来实现变换器中间歇现象的分析 (针对时间分叉 ... 鉴于间歇分谐波与间歇混沌的产生可以从电路耦合滤波的角度进行合理的解释 ,则可以此为基础 ,用参数域上的分叉来映射时间域上的分叉 ,从而使得可以用一般的特征值分析方法 (针对参数分叉 )来实现变换器中间歇现象的分析 (针对时间分叉 ) ,特征值、分叉图及最大Lyapunov指数均表明得到的研究结果与仿真及实验是完全一致的 。 展开更多
关键词 开关功率变换器 时间分叉 参数分叉 间歇混沌 间歇分谐波
下载PDF
电流模式控制Boost变换器中的呼吸现象 被引量：16
3
作者 周宇飞 陈军宁 柯导明 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期915-919,共5页
　本文揭示了在电流模式控制Boost变换器中,由于存在内部或外部耦合电路引起的传导和辐射干扰,使得有可能产生呼吸现象,这是一种以较长的周期按顺序交替历经规则、分谐波和混沌状态的时间分叉现象,在功率变换电路中是一种非正常的工作状... 　本文揭示了在电流模式控制Boost变换器中,由于存在内部或外部耦合电路引起的传导和辐射干扰,使得有可能产生呼吸现象,这是一种以较长的周期按顺序交替历经规则、分谐波和混沌状态的时间分叉现象,在功率变换电路中是一种非正常的工作状态.可以通过建立具有固定初相位的模拟干扰信号,并使其频率与变换器的开关频率相同,以便将呼吸现象(时间分叉)转换为参数分叉,并从分叉控制的角度来对这种呼吸现象进行合理解释和理论分析,从而给出变换器稳定设计的理论依据.理论分析结果与数值仿真是完全一致的,另外,在电路实验中也得到了印证. 展开更多
关键词 BOOST变换器 电流模式控制 呼吸 功率变换电路 辐射干扰 耦合电路 分叉现象 混沌状态 干扰信号 工作状态 开关频率 分叉控制 数值仿真 分析结果 稳定设计 电路实验 初相位 时间
下载PDF
基于形状配准方法的研究与改进 被引量：4
4
作者 史亮 陈军宁 +1 位作者 柯导明 张良震 《安徽大学学报（自然科学版）》 CAS 2001年第2期86-90,共5页
图象配准技术是近年来发展迅速的图象处理技术之一。本文分析了基于形状配准方法的特点 ,并提出了一种改进的基于面的配准方法 。
关键词 图象配准 四元组 ICP算法 距离变换 多边形化 图像处理
下载PDF
MOS器件的最高工作温度及潜力开拓 被引量：9
5
作者 冯耀兰 翟书兵 +1 位作者 张晓波 柯导明 《电子器件》 CAS 1994年第4期23-29,共7页
本文根据半导体材料物理参数、ＭＯＳ器件电学参数在高温下变化的理论分析和实验结果，提出了影响ＭＯＳ器件最高工作温度的主要因素及潜力开拓的途径。
关键词 MOS器件 工作温度 半导体材料 温敏特性
下载PDF
开关功率变换器中的间歇现象——仿真与实验 被引量：4
6
作者 周宇飞 陈军宁 +4 位作者 Chi K Tse 丘水生 柯导明 时龙兴 孙伟锋 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期264-268,共5页
文章从电路耦合滤波的角度考虑 ,分析了一类间歇分谐波与间歇混沌现象产生的原理 ,确定耦合电路传导和辐射干扰是产生该现象的根源 ,并构造了一个开关变换器模型作为研究对象 ,仿真与实验均得到了相似的非线性现象 ,同时对不同的电路参... 文章从电路耦合滤波的角度考虑 ,分析了一类间歇分谐波与间歇混沌现象产生的原理 ,确定耦合电路传导和辐射干扰是产生该现象的根源 ,并构造了一个开关变换器模型作为研究对象 ,仿真与实验均得到了相似的非线性现象 ,同时对不同的电路参数集 ,讨论并分析了其对间歇现象产生所起的不同影响 ,为变换器的稳定设计提供信息 .该研究方法也可推广到其他非线性电路系统的类似研究中 . 展开更多
关键词 开关功率变换器 耦合寄生信号 分叉 间歇分谐波 间歇混沌
下载PDF
基于OrCAD/PSpice10.5的电子电路仿真 被引量：8
7
作者 鲁世斌 陈军宁 柯导明 《电脑知识与技术》 2006年第3期108-110,共3页
本文介绍利用OrCAD/PSpice10.5实现电子电路仿真的方法,并以具体电子电路为例,阐述了OrCAD/PSpice10.5在电子电路中的应用,为电子电路的设计和开发提供一个新的平台。
关键词 ORCAD/PSPICE 10.5 计算机仿真 EDA 模拟电路 数字电路
下载PDF
常见气体声表面波传感器研究进展 被引量：4
8
作者 李晶晶 李冬梅 +3 位作者 赵以贵 柯导明 陈军宁 贾锐 《传感器世界》 2009年第3期6-10,共5页
声表面波(SAW)气体传感器由于具有响应时间快、灵敏度高、体积小、成本低、稳定性好等特点受到广泛关注。本文侧重从敏感材料方面介绍了用于检测几种常见的有毒气体的声波面波传感器的研究进展。
关键词 声表面波 气体传感器 有害气体 敏感材料
下载PDF
新型8B/10B编码方案的设计与实现 被引量：6
9
作者 常红 柯导明 +4 位作者 孟坚 晏蓓蓓 孙贵金 程国林 彭特 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2018年第2期87-90,106,共5页
在研究了8B/10B编码原理以及内在相关性的基础上,提出了一种新的8B/10B编码方案。利用并行处理方法,在同一个时钟下同时并行处理多组数据的编码工作,从而提高编码电路的输出时钟频率。实验结果表明所设计的8B/10B编码电路在时钟频率为50... 在研究了8B/10B编码原理以及内在相关性的基础上,提出了一种新的8B/10B编码方案。利用并行处理方法,在同一个时钟下同时并行处理多组数据的编码工作,从而提高编码电路的输出时钟频率。实验结果表明所设计的8B/10B编码电路在时钟频率为500 MHz下可正确地实现对8 bit数据进行编码,能够满足高速串行接口的设计要求。 展开更多
关键词 8B/10B编码 并行处理 高速串行接口
下载PDF
考虑量子化效应的MOSFET阈值电压解析模型 被引量：5
10
作者 代月花 陈军宁 +1 位作者 柯导明 孙家讹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期897-901,共5页
根据改进后的三角势阱场近似 ,并考虑量子化效应 ,提出了一种基于物理的阈值电压解析模型 ,给出了MOSFET的阈值电压解析表达式 ,并与经典理论和数值模拟结果进行了比较 .
关键词 阈值电压 MOSFET 量子化 解析模型 解析表达式 经典理论 势阱 近似 数值模拟 物理
原文传递
高温微电子学—Ⅰ硅器件的高温特性研究 被引量：4
11
作者 柯导明 童勤义 《微电子学》 CAS CSCD 1990年第3期83-89,共7页
本文详细介绍了硅器件的高温理论以及制作的进展,分析了MOSFET的高温特性和失效模式,指出了改善MOSFET高温性能和提高上限温度的方法。
关键词 高温 微电子学 硅器件 半导体器件
下载PDF
短沟道MOST阈值电压温度系数的分析 被引量：3
12
作者 柯导明 童勤义 冯耀兰 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期34-38,共5页
本文分析了短沟道ＭＯＳＴ阈值电压在室温以上的温度特性，并给出了它的温度系数计算公式。根据计算结果，可以得到如下结论：短沟道ＭＯＳＴ的阈值电压温度系数随着沟道长度缩短而减小．与长沟道ＭＯＳＴ相似，在一定的温区范围内，可... 本文分析了短沟道ＭＯＳＴ阈值电压在室温以上的温度特性，并给出了它的温度系数计算公式。根据计算结果，可以得到如下结论：短沟道ＭＯＳＴ的阈值电压温度系数随着沟道长度缩短而减小．与长沟道ＭＯＳＴ相似，在一定的温区范围内，可以把短沟道ＭＯＳＴ的阈值电压温度系数作为常数，用线性展开式来表达阈值电压的温度特性。 展开更多
关键词 短沟道MOST 阈值电压 温度系数 线性展开式
下载PDF
超短沟道MOSFET电势的二维半解析模型 被引量：5
13
作者 韩名君 柯导明 +2 位作者 迟晓丽 王敏 王保童 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期469-476,共8页
本文根据超短沟道MOSFET的工作原理,在绝缘栅和空间电荷区引入两个矩形源,提出了亚阈值下电势二维分布的定解问题.通过半解析法和谱方法相结合,首次得到了该定解问题的二维半解析解,解的结果是一个特殊函数,为无穷级数表达式.该模型的... 本文根据超短沟道MOSFET的工作原理,在绝缘栅和空间电荷区引入两个矩形源,提出了亚阈值下电势二维分布的定解问题.通过半解析法和谱方法相结合,首次得到了该定解问题的二维半解析解,解的结果是一个特殊函数,为无穷级数表达式.该模型的优点是避免了数值分析时的方程离散化,表达式不含适配参数、运算量小、精度与数值解的精度相同,可直接用于电路模拟程序.文中计算了沟道长度是45—22nm的MOSFET电势、表面势和阈值电压.结果表明,新模型与Medici数值分析结果相同. 展开更多
关键词 半解析法 电势 阈值电压 MOSFET
原文传递
全耗尽SOI LDMOS阈值电压的解析模型 被引量：5
14
作者 吴秀龙 陈军宁 柯导明 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第11期17-20,共4页
通过准二维的方法,求出了全耗尽SOILDMOS晶体管沟道耗尽区电势分布的表达式,并建立了相应的阈值电压模型。将计算结果与二维半导体器件模拟软件MEDICI的模拟结果相比较,两者误差较小,证明了本模型的正确性。从模型中可以容易地分析阈值... 通过准二维的方法,求出了全耗尽SOILDMOS晶体管沟道耗尽区电势分布的表达式,并建立了相应的阈值电压模型。将计算结果与二维半导体器件模拟软件MEDICI的模拟结果相比较,两者误差较小,证明了本模型的正确性。从模型中可以容易地分析阈值电压与沟道浓度、长度、SOI硅膜层厚度以及栅氧化层厚度的关系,并且发现ΔVth与背栅压的大小无关。 展开更多
关键词 SOI LDMOS 阈值电压 准二维方法
下载PDF
高温CMOS集成电路闩锁效应分析 被引量：2
15
作者 柯导明 陈军宁 +4 位作者 代月花 高珊 孟坚 赵海峰 周国祥 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1894-1896,共3页
本文详细地分析了LDD结构高温CMOS集成电路闩锁效应.文中提出了亚微米和深亚微米CMOS集成电路闩锁效应的模型.在该模型中,针对器件的尺寸和在芯片上分布情况,我们认为CMOS IC闩锁效应的维持电流有两种模式:大尺寸MOST的寄生双极晶体管... 本文详细地分析了LDD结构高温CMOS集成电路闩锁效应.文中提出了亚微米和深亚微米CMOS集成电路闩锁效应的模型.在该模型中,针对器件的尺寸和在芯片上分布情况,我们认为CMOS IC闩锁效应的维持电流有两种模式:大尺寸MOST的寄生双极晶体管是长基区,基区输运因子起主要作用;VLSI和ULSI中MOST的寄生双极晶体管是短基区,发射效率起主要作用.但是他们的维持电流都与温度是负指数幂关系.文章给出了这两种模式下的维持电流与温度关系,公式在25℃至300℃之间能与实验结果符合. 展开更多
关键词 高温 CMOS 集成电路 闩锁效应 解析表达式
下载PDF
pn结泄漏电流对高温集成MOSFET交流性能的影响 被引量：4
16
作者 柯导明 童勤义 冯耀兰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期153-160,共8页
分析了漏源pn结泄漏电流对高温MOS模拟集成电路中、工作在零温度系数(ZTC点)的MOSFET交流参数的影响。研究结果表明,pn结扩散电流对高温MOSFET的交流性能有极大的影响,而产生电流的影响则可以忽略不计。减小泄漏电流对高温MOSFET交流性... 分析了漏源pn结泄漏电流对高温MOS模拟集成电路中、工作在零温度系数(ZTC点)的MOSFET交流参数的影响。研究结果表明,pn结扩散电流对高温MOSFET的交流性能有极大的影响,而产生电流的影响则可以忽略不计。减小泄漏电流对高温MOSFET交流性能影响的重要方法是增加衬底掺杂浓度。还给出了漏源pn结泄漏电流和工作在ZTC点的漏源电流最大允许比例的计算公式。 展开更多
关键词 pn结泄漏电流 模拟集成电路 MOSFET
下载PDF
宽温区耐高温硅集成电路中MOS晶体管的电学特性 被引量：3
17
作者 柯导明 童勤义 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期6-13,共8页
本文简化了MOSFET伏安特性的精确公式,得到了一个能反映27℃～300℃硅集成MOSFET=级温度效应的简单方程。并用该方程修正和完善了宽温区,耐高温MOSFET的ZTC模型。把原有公式在饱和区误差从29％以上,减小到8％以下。理论分析和实验结果... 本文简化了MOSFET伏安特性的精确公式,得到了一个能反映27℃～300℃硅集成MOSFET=级温度效应的简单方程。并用该方程修正和完善了宽温区,耐高温MOSFET的ZTC模型。把原有公式在饱和区误差从29％以上,减小到8％以下。理论分析和实验结果都说明了本文的结论是正确的。 展开更多
关键词 MOSFET 硅集成电路 场效应晶体管
下载PDF
SOI LDMOS晶体管耐压结构的研究 被引量：4
18
作者 吴秀龙 陈军宁 +2 位作者 孟坚 高珊 柯导明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期27-31,共5页
SOI 技术已经成功的应用到功率集成电路中,而击穿电压是功率器件一个重要的参数。本文对SOI　LDMOS 的击穿电压进行了分析,介绍了目前国内外几种典型的提高击穿电压的结构,较为详细的分析了RESURF 原理的应用。
关键词 击穿电压 SOI LDMOS 功率器件
下载PDF
高温微电子学-Ⅱ:硅集成电路的高温特性研究 被引量：4
19
作者 柯导明 童勤义 《微电子学》 CAS CSCD 1990年第4期65-70,共6页
本文详细分析了硅集成电路的高温特性和高温失效模式,指出了CMOS集成电路的高温失效的主要模式是高温闭锁效应。解决这个问题的有效途径之一是研制介质隔离的CMOS IC,例如SOI CMOS集成电路。
关键词 高温 微电子学 硅集成电路 特性
下载PDF
用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型 被引量：4
20
作者 孟坚 高珊 +4 位作者 陈军宁 柯导明 孙伟锋 时龙兴 徐超 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1983-1988,共6页
分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻,提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式,改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式.针对一个LDMOS的例子做了计算,并将其与相同参数情况下用MEDICI软件模拟的结果作了对比.结果... 分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻,提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式,改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式.针对一个LDMOS的例子做了计算,并将其与相同参数情况下用MEDICI软件模拟的结果作了对比.结果表明两者相差仅5%,这说明所得公式可用于该类型LDMOS的分析和设计. 展开更多
关键词 阱区 双扩散MOS晶体管 导通电阻 解析模型
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 5 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部