摘要
本文根据半导体材料物理参数、ＭＯＳ器件电学参数在高温下变化的理论分析和实验结果，提出了影响ＭＯＳ器件最高工作温度的主要因素及潜力开拓的途径。
In this paper, the theoretical analysis and the experimental results at hightemperature of semiconductor material' physical parameters and MOS devices',electrical parametershave been discussed,The main factors which influence the limited operating temperature arepresented. The ways of potential development have been proposed.
出处
《电子器件》
CAS
1994年第4期23-29,共7页
Chinese Journal of Electron Devices
基金
国家自然科学基金
