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硒铟镓银多晶材料的合成研究 被引量:1
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作者 朱伟林 朱世富 +6 位作者 赵北君 黄毅 刘娟 张建军 陈宝军 黎明 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第S1期196-198,共3页
根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xI... 根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法. 展开更多
关键词 AgGa_(1-x)In_xSe_2 多晶材料 机械和温度振荡 单晶生长
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AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体的生长温场研究 被引量:2
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作者 赵北君 +3 位作者 朱世富 黄毅 朱伟林 何知宇 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1061-1064,共4页
采用B-S法生长出尺寸为Ф12×35mm的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)非线性光学晶体.对AgGa1-xInxSe2(x=0.2)多晶进行差热分析.结合测试结果和结晶特性,设计出适合晶体生长的稳定温场并设计组装了三温区B-S立式炉.对生长的AgGa1-xInxSe2(x=0.2... 采用B-S法生长出尺寸为Ф12×35mm的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)非线性光学晶体.对AgGa1-xInxSe2(x=0.2)多晶进行差热分析.结合测试结果和结晶特性,设计出适合晶体生长的稳定温场并设计组装了三温区B-S立式炉.对生长的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体解理面进行X射线衍射分析得到(101)面,表明生长出的AgGa1-xInxSe2晶体结构完整,所设计的温场适合于AgGa1-xInxSe2单晶生长. 展开更多
关键词 红外非线性光学材料 硒铟镓银晶体 晶体生长温场 差热分析
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AgGa_(1-x)In_xSe_2单晶的生长研究 被引量:2
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作者 黄毅 赵北君 +4 位作者 朱世富 刘娟 张建军 朱伟林 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期50-53,共4页
采用高纯(99.9999%)Ag、Ga、In和Se单质为原料,按化学计量比富Se0.3-0.5%配料,通过机械振荡和温度振荡相结合的方法合成出单相高致密AgGa1-xInxSe2多晶材料。以此为原料采用布里奇曼法生长出外观完整的尺寸为φ15mm×25mm... 采用高纯(99.9999%)Ag、Ga、In和Se单质为原料,按化学计量比富Se0.3-0.5%配料,通过机械振荡和温度振荡相结合的方法合成出单相高致密AgGa1-xInxSe2多晶材料。以此为原料采用布里奇曼法生长出外观完整的尺寸为φ15mm×25mm的AgGa1-xInxSe:单晶锭(x=0.2)。沿自然显露面对晶体进行了解理和x射线衍射分析,发现该面是(101)面。同时进行了红外透过率测试,其红外透过率为41%。 展开更多
关键词 红外非线性光学晶体 AgGal In Se2 多晶合成 单晶生长 布里奇曼法 X射线衍射
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AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体退火改性研究 被引量:1
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作者 万书权 朱世富 +6 位作者 赵北君 黄毅 朱伟林 何知宇 陈宝军 赵国栋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期52-55,共4页
采用改进布里奇曼法生长出外观完整的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭,晶体的红外透过率低,不能直接用于红外非线性光学器件制备。采用TA公司生产的SDTQ-600热分析仪进行DSC-TGA测试,发现其熔点为826.69℃,结晶点为750.86℃,总失重约为3.9... 采用改进布里奇曼法生长出外观完整的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭,晶体的红外透过率低,不能直接用于红外非线性光学器件制备。采用TA公司生产的SDTQ-600热分析仪进行DSC-TGA测试,发现其熔点为826.69℃,结晶点为750.86℃,总失重约为3.9217%。采用同成份粉末源包裹晶体,在抽空封结后进行退火处理。退火处理后晶体的红外透过率有明显改善。在4000 cm^-1~7000 cm^-1范围内红外透过率由原先低于25%改进到高于40%;在750 cm^-1~4000 cm^-1范围的红外透过率由原先低于45%改善到超过50%,在2000 cm^-1~750 cm^-1区域甚至高达60%。结果表明:采用同成分粉末源包裹,在抽空封结后退火处理能有效提高AgGa1-xInxSe2晶体的红外透过率,改善晶体的光学均匀性,退火后的晶体适合红外非线性光学器件制备。 展开更多
关键词 AgGa1-xInxSe2 红外非线性光学晶体 退火处理 差热分析 红外透过率
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AgGa_(1-x)In_xSe_2单晶体生长及结构性能研究 被引量:1
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作者 黄毅 赵北君 +5 位作者 朱世富 赵国栋 朱伟林 万书权 何知宇 《四川大学学报(工程科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期107-110,共4页
采用改进Bridgman法生长出外观完整的尺寸为Φ15 mm×35 mm的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭。其晶格常数为a=0.60125 nm,c=1.10243 nm,为黄铜矿结构,与标准PDF卡片(No.35-1095)吻合。X射线粉末衍射谱图的谱峰尖锐,无杂峰,表明得到的Ag... 采用改进Bridgman法生长出外观完整的尺寸为Φ15 mm×35 mm的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭。其晶格常数为a=0.60125 nm,c=1.10243 nm,为黄铜矿结构,与标准PDF卡片(No.35-1095)吻合。X射线粉末衍射谱图的谱峰尖锐,无杂峰,表明得到的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭的结晶状态好。对晶锭沿自然显露面解理取样后经X射线衍射发现晶体的自然显露面为(101)面,并观测到{101}晶面族的四级衍射峰,其回摆峰尖锐且半峰宽窄,表明晶体的结晶性完好并且结构完整,同时证实沿(101)晶面自然显露是AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体生长习性的一种体现。DSC-TG分析表明晶体的熔点和凝固点分别为822.67℃和801.58℃,总失重约为2.027%。 展开更多
关键词 硒铟镓银 红外非线性光学晶体 单晶锭 黄铜矿
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Synthesis of AgGa_(1-x)In_(x)Se_(2) Polycrystalline Materials 被引量:2
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作者 Liu Juan Zhao Beijun +7 位作者 Zhu Shifu Huang Yi Zhang Jianjun Zhu Weilin Xu Chengfu Chen Baojun Li Ming He Zhiyu 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第z1期269-271,共3页
AgGa_(1-x)In_(x)Se_(2)polycrystals were synthesized by the method of mechanical oscillation and temperature oscillation.X-ray diffraction spectra of polycrystal powder are conformable with the JCPDS cards.Lattice cons... AgGa_(1-x)In_(x)Se_(2)polycrystals were synthesized by the method of mechanical oscillation and temperature oscillation.X-ray diffraction spectra of polycrystal powder are conformable with the JCPDS cards.Lattice constants a and c calculated from the XRD were found to obey Vegard's law.The melting point of AgGa_(0.8)In_(0.2)Se_(2)obtained by means of differential scanning calorimetry(DSC)is 796.53℃.The DSC curve also show that there are no other transformation points below the melting point.The results indicate that polycrystalline materials synthesized by the method mentioned above are high-quality and can be used to grow single crystals by the vertical Bridgman technology. 展开更多
关键词 nonlinear optical materials AgGa_(1-x)In_(x)Se_(2) polycrystal synthesis lattice constants
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InAs/GaAs量子点激光器结温研究
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作者 高山 李世国 +4 位作者 陈朋 杨海东 曹春芳 龚谦 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期866-869,共4页
对利用气源分子束外延(GSMBE)技术生长的InAs/GaAs量子点激光器的工作结温进行了研究,结温的测试是基于量子点激光器的温度升高会导致Fabry-Perot(F-P)腔的腔模移动。在20℃脉冲工作模式下,当脉冲注入电流的占空比从1%变化到准连续波(95... 对利用气源分子束外延(GSMBE)技术生长的InAs/GaAs量子点激光器的工作结温进行了研究,结温的测试是基于量子点激光器的温度升高会导致Fabry-Perot(F-P)腔的腔模移动。在20℃脉冲工作模式下,当脉冲注入电流的占空比从1%变化到准连续波(95%),InAs/GaAs量子点激光器的结温升高了23.9℃,在相同的测试条件下,商用量子阱激光器的结温仅升高了3.5℃。InAs/GaAs量子点激光器的结温比商用量子阱激光器的结温升高了6.8倍,这是影响激光器性能的一个重要参数。 展开更多
关键词 结温 量子点激光器 腔模移动 气源分子柬外延
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高职院校图书馆为下岗职工服务的思考
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作者 《贵图学刊》 2005年第1期54-55,共2页
阐述了高职院校图书馆在新形势下如何挖掘自身资源优势,为下岗职工这一特殊群体服务,支持国家再就业工程,稳定社会治安,从而,通过这种有效服务,充分发挥高职院校图书馆的社会效益。
关键词 高职院校图书馆 特殊群体 新形势 服务 挖掘 支持 社会效益 下岗职工 再就业工程 资源优势
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气源分子束外延生长的InAs/InP(100)量子点激光器
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作者 杨海东 李世国 +3 位作者 陈朋 高山 龚谦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期871-873,共3页
利用气源分子束外延(GSMBE)技术,在InP(100)衬底上生长InAs量子点激光器。有源区包含5层InAs量子点,每层量子点的平均尺寸是2.9 nm和76 nm,面密度在1010cm-2左右,势垒层为InGaAsP。室温下量子点的光致发光中心波长在1.55μm,发光峰半高... 利用气源分子束外延(GSMBE)技术,在InP(100)衬底上生长InAs量子点激光器。有源区包含5层InAs量子点,每层量子点的平均尺寸是2.9 nm和76 nm,面密度在1010cm-2左右,势垒层为InGaAsP。室温下量子点的光致发光中心波长在1.55μm,发光峰半高宽为108 meV。通过化学湿法腐蚀制备双沟道8μm宽脊条激光器,在20℃连续波工作模式下,腔长为0.7 mm的激光器的阈值电流为143 mA(2.5 kA/cm2),器件的激射中心波长在1.55μm。由于量子点尺寸的非均匀性,在大电流注入,激光器的激射谱展宽。器件单端面最大输出功率为27 mW,功率斜率效率为130 mW/A。 展开更多
关键词 激光器 自组织 量子点 光谱 气源分子束外延
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浅谈知识经济与高职院校图书馆情报信息服务
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作者 《成都教育学院学报》 2005年第3期115-116,共2页
文章主要浅谈高职院校图书馆在知识经济时代的情报信息服务作用,重点阐述高职院校图书馆如何利用图书馆自身优势,充分发挥传播情报信息职能,拓宽社会效益。
关键词 知识经济 图书馆 情报 信息服务
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