甲状腺微小乳头状癌应用彩超诊断的价值分析

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作者 廉亚光 《中文科技期刊数据库（全文版）医药卫生》 2024年第9期0080-0083,共4页

甲状腺微小乳头状癌应用彩超诊断的价值分析。方法 回顾性整理2022年1月-2022年12月本院接受诊断的甲状腺微小乳头状癌患者40例为观察组,另整理同期接受诊断的甲状腺良性肿瘤患者40例为对照组。两组均接受彩超诊断,比较诊断效果。结果 ... 甲状腺微小乳头状癌应用彩超诊断的价值分析。方法 回顾性整理2022年1月-2022年12月本院接受诊断的甲状腺微小乳头状癌患者40例为观察组,另整理同期接受诊断的甲状腺良性肿瘤患者40例为对照组。两组均接受彩超诊断,比较诊断效果。结果 两组PSV、RI以及超声图像的对比存在明显差异(P〈0.05)。结论 彩超诊断甲状腺微小乳头状癌效果显著,有利于疾病的鉴别、诊断,有推广价值。 展开更多

关键词 甲状腺微小乳头状癌 彩超诊断 应用效果

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不稳定型心绞痛的心电图改变与冠状动脉造影的对比分析 被引量：2

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作者 高伟 伊莲花 +1 位作者 廉亚光 张桂芬 《中国实验诊断学》 2003年第1期20-21,共2页

关键词 不稳定型心绞痛 诊断 心电图 冠状动脉造影术 对比分析 缺血性ST-T改变

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2.5Gb/sGaAs激光器高速驱动电路

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作者 王文君 田国平 +4 位作者 廉亚光 郝景臣 王俊华 张降红 乔键 《半导体情报》 1999年第3期56-57,共2页

研制出一种实用化的ＧａＡｓ激光器高速驱动电路，该电路采用源耦合场效应管逻辑电路形式，０．８μｍ栅工艺，全离子注入平面工艺，单电源（－５．２Ｖ）供电。并给出了研究结果：最大驱动电流可达４５ｍＡ，数据传输速率２．５Ｇｂ／ｓ。

关键词 激光器 驱动电路 砷化镓

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P埋层技术研究 被引量：1

4

作者 廉亚光 郝景晨 郑晓光 《半导体情报》 1994年第6期12-15,共4页

介绍了在Ｓｉ￣＋注入的ｎ－ＧａＡｓ沟道层下面用Ｂｅ￣＋或Ｍｇ￣＋注入以形成ｐ埋层。采用此方法做出了阈值电压０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ，也做出了夹断电压－０．４～－０．６Ｖ、跨导大... 介绍了在Ｓｉ￣＋注入的ｎ－ＧａＡｓ沟道层下面用Ｂｅ￣＋或Ｍｇ￣＋注入以形成ｐ埋层。采用此方法做出了阈值电压０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ，也做出了夹断电压－０．４～－０．６Ｖ、跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。 展开更多

关键词 P埋层 砷化镓 增强型 耗尽型 场效应晶体管

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门阵列布局合理化研究 被引量：1

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作者 廉亚光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期8-13,共6页

本文对门阵列的子单元和电源线的布局结构进行了分析,用图论理论对通道和二次布线做了研究。给出了门阵列子单元和电源线的合理化布局,所需通道的最少数和二次布线长度最短的方法。

关键词 门阵列 电源 布局 半定制电路

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2英寸GaAs快速热退火技术研究

6

作者 张绛红 宋马成 +1 位作者 郝景辰 廉亚光 《半导体情报》 1996年第1期28-32,共5页

为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门阵列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究。做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电... 为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门阵列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究。做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电压为－０．４～－０．６Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。 展开更多

关键词 砷化镓 快速热退火 离子注入

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GaAs 6位数-模转换器技术研究

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作者 杨中月 梁玉英 +1 位作者 郝景晨 廉亚光 《半导体情报》 1999年第2期56-58,共3页

介绍一种ＧａＡｓ６位数－模转换器（ＤＡＣ）。时钟频率达到５００ＭＨｚ，采用全耗尽型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ制作，平面凹槽工艺，最小线宽１μｍ，输入与ＥＣＬ电平兼容，输出能驱动５０Ω负载，最大静态功耗９００ｍＷ。

关键词 凹槽 数-模转换器 耗尽型 静态测试 DAC 砷化镓

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GaAs超高速门阵列集成电路Se离子注入技术研究

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作者 张降红 宋马成 +3 位作者 郝景晨 廉亚光 张海明 曹彦新 《电子器件》 CAS 1997年第1期37-41,共5页

采用室温下Se+离子注入半绝缘GaAs衬底,通过优化注入能量、剂量、注入角度及快速热退火温度、时间,获得了高剂量(1×1013cm-2、200Kev)下杂质激活率大于74%,注入层平均载流子浓度为(5—6)×1017-cm-2,平均载流子迁移率为3010cm2... 采用室温下Se+离子注入半绝缘GaAs衬底,通过优化注入能量、剂量、注入角度及快速热退火温度、时间,获得了高剂量(1×1013cm-2、200Kev)下杂质激活率大于74%,注入层平均载流子浓度为(5—6)×1017-cm-2,平均载流子迁移率为3010cm2/v.s,载流子浓度分布陡峭的优质离子注入薄层,成功地研制出了3000门GaAs超高速门阵列集成电路. 展开更多

关键词 离子注入 快速热退火 砷化镓 集成电路

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多层平坦化互连技术

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作者 廉亚光 郝景臣 张豫黔 《半导体情报》 2000年第5期33-36,共4页

阐述了实现多层平面互连结构的方法 ,对该技术中的三个主要方面——介质隔离度、小于 2 .0 μm× 2 .0 μm互连孔和 5 0 nm之内的介质填充平坦技术进行了分析。测试结果表明 ,该技术稳定可靠 ,是改善互连质量的可行方法 ,并已用在... 阐述了实现多层平面互连结构的方法 ,对该技术中的三个主要方面——介质隔离度、小于 2 .0 μm× 2 .0 μm互连孔和 5 0 nm之内的介质填充平坦技术进行了分析。测试结果表明 ,该技术稳定可靠 ,是改善互连质量的可行方法 ,并已用在实际电路的制造工艺中。 展开更多

关键词 隔离度 砷化镓 多层平面互连结构 集成电路

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PECVD Si_xO_yN_z膜及其在GaAs VHSIC中的应用

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作者 杨克武 刘福顺 +1 位作者 綦素琴 廉亚光 《半导体情报》 1991年第3期48-52,共5页

采用SiH_4,N_2O和NH_3反应气体生长了Si_xO_yN_z膜,其特性取决于反应气体流量、射频功率、反应室压力和衬底温度。用折射率为1.71的Si_xO_yN_z做GaAs注Si^+包封退火膜,它比SiO_2或Si_3N_4有更高的电激活。该膜作为互连隔离介质已用于GaA... 采用SiH_4,N_2O和NH_3反应气体生长了Si_xO_yN_z膜,其特性取决于反应气体流量、射频功率、反应室压力和衬底温度。用折射率为1.71的Si_xO_yN_z做GaAs注Si^+包封退火膜,它比SiO_2或Si_3N_4有更高的电激活。该膜作为互连隔离介质已用于GaAs高速电压比较器。实验结果表明:Si_xO_yN_z是一种有希望的介质膜。 展开更多

关键词 应用 PECVD 介质薄膜 GAAS VHSIC

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用正性光刻胶进行GaAs IC的非辅助直接剥离技术

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作者 廉亚光 《半导体情报》 1991年第3期53-56,共4页

在GaAs IC的实际制作中,通过采用氯代苯对AZ-1350J光刻胶进行表面韧化处理,得到一近似的负窗孔,并在二次连线时,成功地剥出了最小间距为4μm和最细线条为3μm的TiPtAu条。

关键词 集成电路 工艺 剥离技术 光刻胶

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和Si ECL电路相兼容的GaAs二输入或非门电路

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作者 廉亚光 宋东波 +1 位作者 郝景晨 郑晓光 《半导体情报》 1993年第5期54-59,64,共7页

叙述了用电容二极管场效应逻辑电路形式制作的二输入或非门电路。该电路能很好地解决输入输出与SiECL电路相兼容以及输出能驱动50Ω负载的问题。封装后的电路延迟为300～500ps,功耗小于50mW。

关键词 砷化镓 逻辑电路 或非门子电路

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超声诊断腹膜后畸胎瘤1例

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作者 廉亚光 刘丽雅 《中国实验诊断学》 2003年第3期F003-F003,共1页

关键词 超声诊断 腹膜后畸胎瘤 脂肪 纤维 肌肉 血管 淋巴 神经

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