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多壁纳米碳管/Cu基复合材料的摩擦磨损特性 被引量:42
1
作者 王浪云 涂江平 +3 位作者 杨友志 张孝彬 陈卫祥 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期367-371,共5页
利用销盘式磨损试验机研究了粉末冶金法制备的多壁纳米碳管 /Cu基复合材料的稳态摩擦磨损行为 ,并用扫描电镜分析了复合材料的磨损形貌。结果表明 :多壁纳米碳管 /Cu基复合材料具有较小的摩擦系数 ,并随纳米碳管质量分数的增加而逐渐降... 利用销盘式磨损试验机研究了粉末冶金法制备的多壁纳米碳管 /Cu基复合材料的稳态摩擦磨损行为 ,并用扫描电镜分析了复合材料的磨损形貌。结果表明 :多壁纳米碳管 /Cu基复合材料具有较小的摩擦系数 ,并随纳米碳管质量分数的增加而逐渐降低 ;由于复合材料中纳米碳管的增强和减摩作用 ,在低载荷和中等载荷作用下 ,随着纳米碳管质量分数的增加 ,复合材料的磨损率减小 ;而在高载荷作用下 ,由于发生表面开裂和片状层剥落 ,含纳米碳管质量分数高的复合材料的磨损率增高。 展开更多
关键词 多壁纳米碳管 金属基复合材料 摩擦系数 磨损率
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原位反应纳米TiB_2/Cu复合材料的制备和微结构 被引量:28
2
作者 王耐艳 涂江平 +5 位作者 杨友志 齐卫笑 刘芙 张孝彬 刘茂森 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期151-154,共4页
利用原位反应技术 ,通过控制反应物B2 O3 和石墨的含量制备了原位生长纳米TiB2 增强Cu基复合材料。用XRD ,EDS ,TEM对TiB2 /Cu原位复合材料进行微结构分析 ,研究表明铜基体中弥散分布着 5 0nm的TiB2颗粒 ,并对Cu基体有良好的增强作用。
关键词 原位反应 硼化钛 铜基复合材料 制备 微结构 纳米材料
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线切割单晶硅表面损伤的研究 被引量:22
3
作者 樊瑞新 《材料科学与工程》 CSCD 1999年第2期55-57,共3页
利用台阶仪、扫描电镜(SEM)和X射线双晶衍射仪,研究了线切割硅片和内圆切割硅片的表面切割损伤和损伤层厚度。实验指出线切割硅片表面粗糙度大,外表面损伤大,但损伤层的厚度要小于常规内圆切割硅片。
关键词 切割 表面损伤 单晶硅
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多壁纳米碳管空气电极的交流阻抗研究 被引量:13
4
作者 黄辉 张文魁 +3 位作者 马淳安 葛忠华 张孝彬 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期2151-2154,共4页
研究了多壁纳米碳管、活性炭和石墨等空气电极的交流阻抗特性 .结果表明 ,纳米碳管空气电极的阻抗谱由两个半圆组成 ,高频区半圆对应欧姆极化阻抗 ,低频区半圆对应电化学极化阻抗 .催化剂 Pt以纳米颗粒的形式沉积在碳管的外表面 ,明显... 研究了多壁纳米碳管、活性炭和石墨等空气电极的交流阻抗特性 .结果表明 ,纳米碳管空气电极的阻抗谱由两个半圆组成 ,高频区半圆对应欧姆极化阻抗 ,低频区半圆对应电化学极化阻抗 .催化剂 Pt以纳米颗粒的形式沉积在碳管的外表面 ,明显减小了电极的欧姆阻抗和电化学极化阻抗 ,提高了氧还原反应的电催化活性 .活性炭电极除存在电化学阻抗外 ,还存在薄液膜扩散阻抗 ( Nernst扩散 ) ,石墨电极形成的薄液膜反应区域较小 ,电极反应呈 Warburg扩散阻抗特征 ,相应的电催化活性较低 .采用交流阻抗等效电路分析方法 ,对拟合的动力学数据进行了解释 . 展开更多
关键词 多壁纳米碳管 空气电极 交流阻抗 氧还原反应 锂离子电池 负极材料
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碳纳米管的球磨处理及其对储氢性能的影响 被引量:15
5
作者 刘芙 张孝彬 +5 位作者 涂江平 程继鹏 孔凡志 孙沿林 陈长聘 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期116-120,共5页
采用电子显微镜分析技术研究了碳纳米管经过不同时间和不同方式机械球磨处理后其微观组织和结构的变化 ,并探讨了球磨对碳纳米管储氢性能的影响。研究结果表明 ,机械球磨可以截断碳管 ,碳管长度从原来的微米级降到几十到几百纳米 ;同时... 采用电子显微镜分析技术研究了碳纳米管经过不同时间和不同方式机械球磨处理后其微观组织和结构的变化 ,并探讨了球磨对碳纳米管储氢性能的影响。研究结果表明 ,机械球磨可以截断碳管 ,碳管长度从原来的微米级降到几十到几百纳米 ;同时碳管端口打开 ,缺陷增多 ,表面积增大。在球磨的碳管中加入纳米级MgO ,可使球磨效果更显著。球磨 2h处理的碳纳米管的储氢量是未球磨碳纳米管储氢量的 2倍以上 ,达到 0 4 4wt%。而加入MgO球磨 1h后 ,其储氢量达到 0 81wt%。 展开更多
关键词 碳纳米管 球磨 储氢
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纳米碳管的制备及其在化学电源中的应用 被引量:9
6
作者 黄辉 张文魁 +2 位作者 马淳安 张孝彬 《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期96-100,共5页
本文介绍了纳米碳管制备技术的最新研究成果 ,并对其嵌锂行为、储氢及电催化性能进行了重点讨论。纳米碳管作为一种新型的纳米电极材料 ,有可能在锂离子电池、镍氢电池。
关键词 纳米碳管 制备工艺 纳米电极材料 化学电源 电催化 电池
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硅基GaN薄膜的外延生长 被引量:9
7
作者 张昊翔 叶志镇 +2 位作者 赵炳辉 阙端麟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期143-146,共4页
本文报道采用简便的真空反应法在Si(111)衬底上生长出了六方结构的GaN单晶薄膜,并对GaN薄膜的表面形貌、结晶学性质和光学特性作了研究.SEM表明外延层表面光亮平整,无裂纹出现,XRD图谱上有一GaN(0002)... 本文报道采用简便的真空反应法在Si(111)衬底上生长出了六方结构的GaN单晶薄膜,并对GaN薄膜的表面形貌、结晶学性质和光学特性作了研究.SEM表明外延层表面光亮平整,无裂纹出现,XRD图谱上有一GaN(0002)衍射峰,其半高宽为0.5°,室温下的光致发光谱在373nm处有一个很强的发光峰,其半高宽为8nm(35.7meV). 展开更多
关键词 氮化镓 硅基 外延生长 半导体薄膜技术
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Cu-纳米TiB_2原位复合材料的摩擦磨损性能 被引量:8
8
作者 王耐艳 涂江平 +4 位作者 杨友志 齐卫笑 郭绍仪 刘茂森 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期414-418,共5页
采用销-盘式摩擦磨损试验机考察了Cu-纳米TiB2原位复合材料在滑动干摩擦条件下的磨损行为.结果表明:载荷和滑动速度对纳米TiB2颗粒原位增强Cu基复合材料的摩擦磨损性能有重要影响;随着载荷的增加,Cu-纳米TiB2原位复合材料的磨损率和摩... 采用销-盘式摩擦磨损试验机考察了Cu-纳米TiB2原位复合材料在滑动干摩擦条件下的磨损行为.结果表明:载荷和滑动速度对纳米TiB2颗粒原位增强Cu基复合材料的摩擦磨损性能有重要影响;随着载荷的增加,Cu-纳米TiB2原位复合材料的磨损率和摩擦系数增大;由于在较高载荷下发生表面开裂,TiB2增强相含量较高的原位复合材料的磨损由轻度磨损向严重磨损转化;在中等载荷下,表面保护性氧化膜和基体中纳米TiB2相使复合材料具有良好的抗软化能力,Cu-纳米TiB2原位复合材料的磨损率和摩擦系数随着滑动速度的增加而降低;在较高滑动速度下,复合材料的主要磨损机制为塑性流变和氧化磨损. 展开更多
关键词 Cu-纳米TiB2原位复合材料 原位复合材料 摩擦磨损性能
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熔盐电解法制备纳米碳管及纳米线 被引量:3
9
作者 黄辉 张文魁 +3 位作者 马淳安 张孝彬 葛忠华 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第2期131-134,共4页
以LiCl、LiCl+SnCl2 等为熔盐电解质 ,采用电解石墨的方法制备了纳米碳管和纳米线 ,并运用TEM、XRD、EDS等分析手段对产物的形貌和结构进行了表征 .结果表明 ,熔盐成分对电解产物的形态和性质有显著影响 .在LiCl熔盐中可得到直径为 75~... 以LiCl、LiCl+SnCl2 等为熔盐电解质 ,采用电解石墨的方法制备了纳米碳管和纳米线 ,并运用TEM、XRD、EDS等分析手段对产物的形貌和结构进行了表征 .结果表明 ,熔盐成分对电解产物的形态和性质有显著影响 .在LiCl熔盐中可得到直径为 75~ 10 0nm的纳米碳管 ;在LiCl+1.0 %SnCl2 熔盐中可生成 β Sn填充的纳米碳管 .XRD测试表明 ,电解制备的 β Sn纳米线经氧化处理后在碳管内可转变为SnO2 ,其晶体结构为四方晶系 ,直径为 2 0~ 5 0nm .电解过程中Li+ 在石墨阴极上反应生成的LiC6化合物对纳米碳结构的形成具有重要作用 . 展开更多
关键词 熔盐电解法 制备 纳米碳管 碳纳米线 纳米材料
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硅基GaN外延层的光致发光谱 被引量:8
10
作者 张昊翔 叶志镇 +1 位作者 赵炳辉 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期120-122,126,共4页
报道了在硅基上用简便的真空反应法制备出 Ga N 外延层,并对其发光特性进行了研究。发现衬底晶向、生长温度和退火均会对 Ga N 外延层的发光特性产生影响。 Si(111) 衬底比 Si(100) 衬底更有利于 Ga N 外延层... 报道了在硅基上用简便的真空反应法制备出 Ga N 外延层,并对其发光特性进行了研究。发现衬底晶向、生长温度和退火均会对 Ga N 外延层的发光特性产生影响。 Si(111) 衬底比 Si(100) 衬底更有利于 Ga N 外延层的单色发光。退火使 Ga N 外延层的发光强度降低。在1 050 ℃下生长的 Ga N 外延层的发光强度高于其他温度下生长的 Ga N 展开更多
关键词 半导体材料 氮化镓 光致发光 外延层
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硅上超高真空CVD生长硅锗外延层及其特性研究 被引量:7
11
作者 叶志镇 黄靖云 +4 位作者 姜小波 汪雷 赵炳辉 阙端麟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期30-34,共5页
我们利用自行研制的UHV/CVD技术在直径3英寸的硅衬底上生长了锗硅外延层,并进行了实时掺杂生长.采用X射线双晶衍射和二次离子质谱技术确定了外延层的质量与组分,利用扩展电阻仪对外延层电阻率进行了表征,研究了生长特性和... 我们利用自行研制的UHV/CVD技术在直径3英寸的硅衬底上生长了锗硅外延层,并进行了实时掺杂生长.采用X射线双晶衍射和二次离子质谱技术确定了外延层的质量与组分,利用扩展电阻仪对外延层电阻率进行了表征,研究了生长特性和材料特性.由此获得生长速率及组分与源气体流量的关系曲线,发现生长速度随Ge组分的增加而降低,以氢气为载气的B2H6对锗硅合金的生长速率有促进作用. 展开更多
关键词 锗硅材料 CVD 外延生长
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单壁纳米碳管的纯化研究(英文) 被引量:1
12
作者 王新庆 王淼 +4 位作者 李振华 朱海滨 王凤飞 何丕模 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第6期594-598,共5页
A purification method to remove the metal catalysts and impurity carbon materials from arc discharge grown single walled carbon nanotubes (SWCNTs) has been developed. Microporous membrane and the oxidation in the air ... A purification method to remove the metal catalysts and impurity carbon materials from arc discharge grown single walled carbon nanotubes (SWCNTs) has been developed. Microporous membrane and the oxidation in the air for the crude SWCNTs were used to eliminate the coexisting metal catalysts nanoparticles,carbon nanoparticles and amorphous carbon. Then we used the high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) to characterize the crude SWCNTs prepared by arc discharge method and the purified SWCNTs. The Raman spectra and the thermogravimetric analysis (TGA) were also utilized to analyze the approach of our purification for SWCNTs. With this method the SWCNTs with the purity more than 95%could be obtained. 展开更多
关键词 单壁纳米碳管 纯化 拉曼光谱 热重分析
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UHV/CVD生长亚微米薄硅外延层及其高频器件研制 被引量:6
13
作者 吴贵斌 叶志镇 +4 位作者 崔继锋 黄靖云 张海燕 赵炳辉 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1248-1251,共4页
为获得亚微米级的薄硅外延层,从而提高硅器件的工作频率,利用自行研制的一台新型超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)系统生长用于高频器件的超薄外延层,该系统由气路部分、控制部分、主体部分组成,反应室本底真空可达5.0×10-8Pa,能够... 为获得亚微米级的薄硅外延层,从而提高硅器件的工作频率,利用自行研制的一台新型超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)系统生长用于高频器件的超薄外延层,该系统由气路部分、控制部分、主体部分组成,反应室本底真空可达5.0×10-8Pa,能够实现在超净环境下低温、低压外延生长.利用该系统在重掺硅衬底上成功生长出了高质量的亚微米薄硅单晶层,外延层厚度为0.1~0.5μm,掺杂浓度为1×1017cm3,过渡区非常窄,达到了制备高频器件的要求;并在此基础上制备出了高频肖特基二极管原型器件,由IV测试并经过计算,截止频率可达31GHz. 展开更多
关键词 超高真空化学气相沉积 硅外延层 亚微米 高频 肖特基二极管
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低温环境下PbTiO_(3)钙钛矿晶粒的演化过程
14
作者 于海涛 陈国新 +2 位作者 吴海辰 梁芮 《理化检验(物理分册)》 CAS 2024年第5期1-3,共3页
利用透射电子显微镜研究了PbTiO_(3)钙钛矿在低温条件下的晶体结构及晶粒演化过程。结果表明:低温条件下,PbTiO_(3)钙钛矿未出现明显的相转变;在电子束辐照条件下,PbTiO_(3)晶体出现细晶化现象,说明电子束对其结构变化存在诱导作用;在... 利用透射电子显微镜研究了PbTiO_(3)钙钛矿在低温条件下的晶体结构及晶粒演化过程。结果表明:低温条件下,PbTiO_(3)钙钛矿未出现明显的相转变;在电子束辐照条件下,PbTiO_(3)晶体出现细晶化现象,说明电子束对其结构变化存在诱导作用;在室温和低温环境下,PbTiO_(3)晶体均未产生位错缺陷,且低温环境使晶粒细化过程变慢;电子辐照作用使材料的表面能变大,导致晶粒尺寸变小,从而出现细晶化现象。 展开更多
关键词 PbTiO_(3)钙钛矿 透射电子显微镜 细晶化现象 相变 表面能
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UHV/CVD低温生长硅外延层的性能研究 被引量:6
15
作者 叶志镇 曹青 +6 位作者 张侃 陈伟华 汪雷 李先杭 赵炳辉 李剑光 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期565-568,共4页
本文利用自行研制的一台超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)系统,在780℃下进行了硅低温外延,取得了表面平整、缺陷密度低、界面质量良好。
关键词 UHV/CVD ULSI 外延生长 分子外延
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磁相变材料热膨胀与磁致伸缩效应测试
16
作者 王新 +1 位作者 孙洁 《理化检验(物理分册)》 CAS 2024年第3期27-30,37,共5页
基于综合物理性能测试系统的低温与磁场环境,采用应变片测试方法开发了磁相变材料热膨胀系数的表征方法,验证了测试结果的可靠性,并开展了磁相变材料LaFe11Co0.8Si1.2负膨胀性能的研究。结果表明:在居里温度处,LaFe11Co0.8Si1.2材料的... 基于综合物理性能测试系统的低温与磁场环境,采用应变片测试方法开发了磁相变材料热膨胀系数的表征方法,验证了测试结果的可靠性,并开展了磁相变材料LaFe11Co0.8Si1.2负膨胀性能的研究。结果表明:在居里温度处,LaFe11Co0.8Si1.2材料的热膨胀量随温度的升高而减小,这是因为材料发生了铁磁性向顺磁性的磁相变,导致其产生磁致伸缩效应,抵消了原子非简谐振动引起的热胀冷缩,最终导致材料发生负热膨胀现象。 展开更多
关键词 负热膨胀 应变片 电子探针 热膨胀系数 磁致伸缩曲线
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氧压对PLD法硅上生长c轴取向LiNbO_3晶体薄膜的影响 被引量:3
17
作者 王新昌 叶志镇 +4 位作者 何军辉 黄靖云 顾星 赵炳辉 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第2期129-131,135,共4页
本文采用脉冲激光沉积 (PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3 (LN)晶体薄膜 ,研究氧气压强对薄膜质量的影响。结果表明 ,氧压是生长c轴择优取向LN薄膜的一个重要影响参数。X射线衍射和透射电子显微镜分析表明 ,氧压为 30Pa时生长得到了完... 本文采用脉冲激光沉积 (PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3 (LN)晶体薄膜 ,研究氧气压强对薄膜质量的影响。结果表明 ,氧压是生长c轴择优取向LN薄膜的一个重要影响参数。X射线衍射和透射电子显微镜分析表明 ,氧压为 30Pa时生长得到了完全c轴取向的LN薄膜 ,LN(0 0 6 )衍射峰的半高宽为 0 2 1°。 展开更多
关键词 PLD法 硅衬底 LiNb03晶体薄膜 C轴取向 薄膜生长 脉冲激光沉积 氧压 铌酸锂薄膜 半导体
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高精度X射线双晶衍射仪的原理及其应用 被引量:2
18
作者 赵轶 叶志镇 《材料科学与工程》 CSCD 1997年第4期51-53,共3页
本文介绍了X射线双晶衍射仪的特点及其原理,以及利用X射线摇摆曲线技术在半导体材料研究方面的应用。
关键词 双晶衍射 摇摆曲线 超晶格 X射线
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X射线光电子能谱仪的开放使用与管理 被引量:7
19
作者 苗利静 江柯敏 《分析测试技术与仪器》 CAS 2017年第2期124-126,共3页
X射线光电子能谱仪(XPS)是材料表面元素定性和半定量分析的重要手段之一,是表面分析科研工作的必备仪器.为提高测试效率,实施了大型仪器设备开放共享优化,总结了在推动XPS开放过程中管理的经验和体会.
关键词 X射线光电子能谱 开放 共享
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扫描电子显微镜样品制备原理及方法
20
作者 蒋蓉蓉 姚懿容 +2 位作者 管建敏 《分析测试技术与仪器》 CAS 2024年第3期153-160,共8页
合理正确的样品制备是高质量扫描电子显微镜(SEM)表征的重要前提.将样品固定在样品座上是一个简短但却重要的步骤,但其重要性却往往被低估.不合理的制样会造成表征中荷电效应、图像漂移、面分布重影、颗粒团聚等各种问题,不仅影响表征效... 合理正确的样品制备是高质量扫描电子显微镜(SEM)表征的重要前提.将样品固定在样品座上是一个简短但却重要的步骤,但其重要性却往往被低估.不合理的制样会造成表征中荷电效应、图像漂移、面分布重影、颗粒团聚等各种问题,不仅影响表征效果,增加测试难度,而且有可能错失重要信息.从导电胶的选择、样品座的选择、样品固定方式、电子迁移通道的搭建以及镀膜等方面,综合总结了样品制备的操作要点,并阐述了其机理和原因,希望帮助SEM使用者通过优化制样过程提高SEM的表征效果. 展开更多
关键词 样品制备 导电胶 样品座 电子迁移通道 镀膜
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