基于LSS理论,本文用蒙特卡洛法模拟计算了不同能量的硼、磷离子注入非晶硅靶及多层靶中的射程和能量淀积分布。对于多层、多原子靶,利用概率分布和比例函数使它转换成普通靶材料的计算。计算结果与LSS理论及IBM公司J. P. Biersack等人1...基于LSS理论,本文用蒙特卡洛法模拟计算了不同能量的硼、磷离子注入非晶硅靶及多层靶中的射程和能量淀积分布。对于多层、多原子靶,利用概率分布和比例函数使它转换成普通靶材料的计算。计算结果与LSS理论及IBM公司J. P. Biersack等人1985年的计算结果基本相符。对于高斯型分布的微细离子柬注入,对其径向坐标的随机抽样作了模拟分析,结果表明横向分布与束半径密切相关,并且横向能量淀积的峰值位置就在束半径附近。展开更多
文摘基于LSS理论,本文用蒙特卡洛法模拟计算了不同能量的硼、磷离子注入非晶硅靶及多层靶中的射程和能量淀积分布。对于多层、多原子靶,利用概率分布和比例函数使它转换成普通靶材料的计算。计算结果与LSS理论及IBM公司J. P. Biersack等人1985年的计算结果基本相符。对于高斯型分布的微细离子柬注入,对其径向坐标的随机抽样作了模拟分析,结果表明横向分布与束半径密切相关,并且横向能量淀积的峰值位置就在束半径附近。
