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冲击下c轴硫化镉单晶的相变特性
被引量：
2
1
作者
唐志平
Y.M.Gupta
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第3期298-306,共9页
采用前后压电石英计方法系统地研究了c 轴硫化镉单晶在高速平面撞击下的相变特性,首次得到了这种材料的冲击Hugoniot 曲线,并观察到与相变机制有关的应力松弛和双波结构现象.与弹塑性波不同的是,这种由于相变引起的双波结构波形的弹性...
采用前后压电石英计方法系统地研究了c 轴硫化镉单晶在高速平面撞击下的相变特性,首次得到了这种材料的冲击Hugoniot 曲线,并观察到与相变机制有关的应力松弛和双波结构现象.与弹塑性波不同的是,这种由于相变引起的双波结构波形的弹性前驱波,在一定压力范围内,其幅值不随传播距离而衰减.实验结果推断出,相变点同时可能又是屈服点,相变与塑性两种机制也许存在某种耦合作用。
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关键词
硫化镉
冲击相变
石英计
塑性耦合
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职称材料
PbTiO_(3)-CdS纳米复合材料的制备及其微结构和光催化性能
被引量：
2
2
作者
许铭冬
李文强
+3 位作者
刘顺
章涛
来森
尹思敏
《浙江理工大学学报（自然科学版）》
2022年第3期340-347,共8页
为探究铁电表面对半导体氧化物结构和性能的影响,以单晶钙钛矿PbTiO_(3)纳米片为衬底,通过简单水热法调控CdS纳米晶的生长;通过成分设计,制备了一系列不同负载浓度的PbTiO_(3)-CdS纳米复合材料,并对其微结构和光催化性能进行了系统分析...
为探究铁电表面对半导体氧化物结构和性能的影响,以单晶钙钛矿PbTiO_(3)纳米片为衬底,通过简单水热法调控CdS纳米晶的生长;通过成分设计,制备了一系列不同负载浓度的PbTiO_(3)-CdS纳米复合材料,并对其微结构和光催化性能进行了系统分析。结果表明:在所制得的产物中,CdS纳米颗粒选择性生长在PbTiO_(3)纳米片表面,其形貌受到PbTiO_(3)纳米片暴露面的影响,PbTiO_(3)衬底与CdS纳米颗粒之间具有清晰的界面;起始反应物浓度与水热反应时间也显著影响CdS的晶体形态。光催化研究表明,所制备的PbTiO_(3)-CdS纳米复合材料对10 mg/L罗丹明B水溶液具有显著的降解效应,随着CdS负载浓度的增加,其降解效率增加,其中质量分数3%的PbTiO_(3)-CdS样品在120 min内对10 mg/L罗丹明B水溶液的降解率可以达到72%。
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关键词
cds
单晶钙钛矿
PbTiO_(3)纳米复合材料
光催化
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职称材料
CdS籽晶扩大技术
3
作者
李强
《微纳电子技术》
北大核心
2016年第7期486-490,共5页
采用物理气相传输(PVT)法制备大尺寸硫化镉(CdS)籽晶,通过调整源区与生长区温差进行了籽晶扩大实验,并进行了X射线衍射(XRD)、红外透过率和腐蚀坑密度等测试。研究表明,在15,10,5和2℃等不同温差条件下,均可实现CdS籽晶的扩展,扩展的晶...
采用物理气相传输(PVT)法制备大尺寸硫化镉(CdS)籽晶,通过调整源区与生长区温差进行了籽晶扩大实验,并进行了X射线衍射(XRD)、红外透过率和腐蚀坑密度等测试。研究表明,在15,10,5和2℃等不同温差条件下,均可实现CdS籽晶的扩展,扩展的晶体区域具有和初始籽晶相同的晶向,而且低温差利于获得更大的单晶扩展面积。当温差为5℃时,扩展出的CdS单晶的X射线衍射半高宽(FWHM)较小、红外透过率较高且腐蚀位错密度较低,表明此时晶体的质量较好;当温差增大为10℃和15℃时,蒸气过饱和度高、晶体生长速率大,导致晶体质量变差;当温差减小为2℃时,晶体生长驱动力不足,这容易形成不稳定的生长界面并导致晶体质量下降。
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关键词
硫化镉(
cds
)
单晶
籽晶
扩大
温差
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职称材料
CdS晶体电子自旋相干动力学
4
作者
郭家兴
吴真
+4 位作者
梁盼
姜美珍
胡蓉蓉
张圆圆
冯东海
《华东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第1期92-102,共11页
利用时间分辨克尔旋转(Time-Resolved Kerr Rotation, TRKR)光谱技术研究了纤锌矿n-CdS(n型掺杂)(0001)面单晶在不同温度、不同波长下的电子自旋相干动力学.发现低温下该材料存在两种电子自旋信号:一种是在较长泵浦探测波长下存在的长...
利用时间分辨克尔旋转(Time-Resolved Kerr Rotation, TRKR)光谱技术研究了纤锌矿n-CdS(n型掺杂)(0001)面单晶在不同温度、不同波长下的电子自旋相干动力学.发现低温下该材料存在两种电子自旋信号:一种是在较长泵浦探测波长下存在的长寿命自旋信号,低温5 K时其自旋退相位时间长达4.8 ns,随着温度的升高不断减小;另一种为较短泵浦探测波长下存在的短寿命自旋信号,其自旋退相位时间约为40 ps,可以持续到室温,该自旋信号几乎不受温度的影响.研究表明,长寿命自旋信号来自于局域电子,而短寿命自旋信号来自于导带自由电子.
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关键词
电子自旋
cds
单晶
泵浦-探测
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职称材料
镉气氛退火对CdS单晶材料性能的影响
5
作者
李强
张颖武
+2 位作者
司华青
练小正
程红娟
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期275-277,共3页
硫化镉(CdS)是一种光电性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接跃迁、宽带隙化合物半导体材料。将本征高阻的CdS单晶材料在镉气氛中高温退火,并对退火后的CdS材料进行电学、光学特性表征。测试结果表明,镉气氛退火可使本征高阻的CdS单晶转变为低阻CdS材...
硫化镉(CdS)是一种光电性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接跃迁、宽带隙化合物半导体材料。将本征高阻的CdS单晶材料在镉气氛中高温退火,并对退火后的CdS材料进行电学、光学特性表征。测试结果表明,镉气氛退火可使本征高阻的CdS单晶转变为低阻CdS材料,从而实现对CdS材料电学特性调控。
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关键词
硫化镉(
cds
)
单晶
镉气氛
退火
电学
光学
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职称材料
PVT法生长大尺寸CdS单晶中的孔洞研究
6
作者
霍晓青
程红娟
+3 位作者
于凯
赵堃
王健
金雷
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第11期899-904,共6页
CdS单晶是一种电学和光学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体材料,近年受到人们的广泛关注。但是大尺寸CdS单晶在生长过程中易形成孔洞缺陷,质量难以控制,使其电学性能不稳定,制约着晶体的实际应用。采用物理气相传输(PVT)法成功地生长了...
CdS单晶是一种电学和光学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体材料,近年受到人们的广泛关注。但是大尺寸CdS单晶在生长过程中易形成孔洞缺陷,质量难以控制,使其电学性能不稳定,制约着晶体的实际应用。采用物理气相传输(PVT)法成功地生长了尺寸为55 mm×15 mm的CdS单晶,对CdS单晶中孔洞产生的过程、孔洞形成的原因进行了分析和研究,进而提出了改进的CdS晶体生长技术,降低了晶体孔洞缺陷的密度,提高了CdS晶体的质量。在25~300 K,对采用改进生长方法生长的大尺寸CdS单晶进行了霍尔迁移率、载流子浓度和电阻率等测试,其迁移率最高可达7 000 cm2·V^-1·s^-1,为大尺寸CdS单晶在器件中的实际应用提供了重要的数据支撑。
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关键词
cds
单晶
物理气相传输(PVT)法
晶体缺陷
孔洞
霍尔迁移率
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职称材料
PVT法生长大尺寸CdS单晶
7
作者
张颖武
《河南科技》
2015年第4期137-139,共3页
硫化镉(Cd S)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。以硫化镉(Cd S)晶片作为籽晶,采用有籽晶的物理气相传输(PVT)法生长出大尺寸Cd S单晶,并对其电学、光学等性能进行了表征。结果表明,PVT法是一种理想的大尺寸Cd S单晶生长方法。
关键词
CD
S
大尺寸
单晶
PVT法
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职称材料
K元素对CdS晶体光学及电学性能的影响
8
作者
练小正
齐海涛
+3 位作者
张颖武
司华青
程红娟
徐永宽
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期846-849,共4页
采用物理气相输运（PVT）法生长了直径为50 mm的K掺杂Cd S晶体,对掺杂和未掺杂的Cd S晶片进行显微观察、二次离子质谱（SIMS）成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K元素掺杂对Cd S晶体光学及电学性能的影响。生长时用KCl...
采用物理气相输运（PVT）法生长了直径为50 mm的K掺杂Cd S晶体,对掺杂和未掺杂的Cd S晶片进行显微观察、二次离子质谱（SIMS）成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K元素掺杂对Cd S晶体光学及电学性能的影响。生长时用KCl进行掺杂。显微观察显示,掺杂KCl后Cd S晶体的微观形貌没有明显变化;SIMS成分测试表明,晶体中引入的杂质主要是K元素,而Cl元素未掺入晶体中。红外光谱透过率发现掺杂K元素的Cd S晶体相比于未掺杂晶体,不仅在波长为2.5~10μm内红外透过率显著下降,而且在波长为10μm以上时红外透过率甚至低于15%。另外,K元素掺杂Cd S晶体电学性能也发生变化,晶体迁移率也由未掺杂的318 cm2/（V·s）下降为146 cm2/（V·s）。
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关键词
硫化镉
单晶
氯化钾掺杂
光学特征
电学特征
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职称材料
题名
冲击下c轴硫化镉单晶的相变特性
被引量：
2
1
作者
唐志平
Y.M.Gupta
机构
中国科学技术大学
美国华盛顿州立大学
出处
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第3期298-306,共9页
文摘
采用前后压电石英计方法系统地研究了c 轴硫化镉单晶在高速平面撞击下的相变特性,首次得到了这种材料的冲击Hugoniot 曲线,并观察到与相变机制有关的应力松弛和双波结构现象.与弹塑性波不同的是,这种由于相变引起的双波结构波形的弹性前驱波,在一定压力范围内,其幅值不随传播距离而衰减.实验结果推断出,相变点同时可能又是屈服点,相变与塑性两种机制也许存在某种耦合作用。
关键词
硫化镉
冲击相变
石英计
塑性耦合
Keywords
impact
phase
transition
cds
single
crystal
quartz
gauge
plasticity
coupling
time
dependence.
分类号
TN304.25 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
PbTiO_(3)-CdS纳米复合材料的制备及其微结构和光催化性能
被引量：
2
2
作者
许铭冬
李文强
刘顺
章涛
来森
尹思敏
机构
浙江理大学机械与自动控制学院
出处
《浙江理工大学学报（自然科学版）》
2022年第3期340-347,共8页
基金
国家自然科学基金项目(51602286)
浙江省自然科学基金项目(LY19E020015)。
文摘
为探究铁电表面对半导体氧化物结构和性能的影响,以单晶钙钛矿PbTiO_(3)纳米片为衬底,通过简单水热法调控CdS纳米晶的生长;通过成分设计,制备了一系列不同负载浓度的PbTiO_(3)-CdS纳米复合材料,并对其微结构和光催化性能进行了系统分析。结果表明:在所制得的产物中,CdS纳米颗粒选择性生长在PbTiO_(3)纳米片表面,其形貌受到PbTiO_(3)纳米片暴露面的影响,PbTiO_(3)衬底与CdS纳米颗粒之间具有清晰的界面;起始反应物浓度与水热反应时间也显著影响CdS的晶体形态。光催化研究表明,所制备的PbTiO_(3)-CdS纳米复合材料对10 mg/L罗丹明B水溶液具有显著的降解效应,随着CdS负载浓度的增加,其降解效率增加,其中质量分数3%的PbTiO_(3)-CdS样品在120 min内对10 mg/L罗丹明B水溶液的降解率可以达到72%。
关键词
cds
单晶钙钛矿
PbTiO_(3)纳米复合材料
光催化
Keywords
cds
single
-
crystal
perovskite
PbTiO_(3)
nano
composite
material
photocatalysis
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
CdS籽晶扩大技术
3
作者
李强
机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2016年第7期486-490,共5页
文摘
采用物理气相传输(PVT)法制备大尺寸硫化镉(CdS)籽晶,通过调整源区与生长区温差进行了籽晶扩大实验,并进行了X射线衍射(XRD)、红外透过率和腐蚀坑密度等测试。研究表明,在15,10,5和2℃等不同温差条件下,均可实现CdS籽晶的扩展,扩展的晶体区域具有和初始籽晶相同的晶向,而且低温差利于获得更大的单晶扩展面积。当温差为5℃时,扩展出的CdS单晶的X射线衍射半高宽(FWHM)较小、红外透过率较高且腐蚀位错密度较低,表明此时晶体的质量较好;当温差增大为10℃和15℃时,蒸气过饱和度高、晶体生长速率大,导致晶体质量变差;当温差减小为2℃时,晶体生长驱动力不足,这容易形成不稳定的生长界面并导致晶体质量下降。
关键词
硫化镉(
cds
)
单晶
籽晶
扩大
温差
Keywords
cadmium
sulfide（
cds
）
single
crystal
seed
crystal
expanding
temperature
difference
分类号
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
CdS晶体电子自旋相干动力学
4
作者
郭家兴
吴真
梁盼
姜美珍
胡蓉蓉
张圆圆
冯东海
机构
华东师范大学精密光谱科学与技术国家重点实验室
上海电机学院文理学院
上海应用技术大学理学院
出处
《华东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第1期92-102,共11页
基金
国家自然科学基金(91950112)
上海市自然科学基金(19ZR1414500)。
文摘
利用时间分辨克尔旋转(Time-Resolved Kerr Rotation, TRKR)光谱技术研究了纤锌矿n-CdS(n型掺杂)(0001)面单晶在不同温度、不同波长下的电子自旋相干动力学.发现低温下该材料存在两种电子自旋信号:一种是在较长泵浦探测波长下存在的长寿命自旋信号,低温5 K时其自旋退相位时间长达4.8 ns,随着温度的升高不断减小;另一种为较短泵浦探测波长下存在的短寿命自旋信号,其自旋退相位时间约为40 ps,可以持续到室温,该自旋信号几乎不受温度的影响.研究表明,长寿命自旋信号来自于局域电子,而短寿命自旋信号来自于导带自由电子.
关键词
电子自旋
cds
单晶
泵浦-探测
Keywords
electron
spin
cds
single
crystal
pump-probe
分类号
O47 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
镉气氛退火对CdS单晶材料性能的影响
5
作者
李强
张颖武
司华青
练小正
程红娟
机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期275-277,共3页
基金
国家重点研究项目
文摘
硫化镉(CdS)是一种光电性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接跃迁、宽带隙化合物半导体材料。将本征高阻的CdS单晶材料在镉气氛中高温退火,并对退火后的CdS材料进行电学、光学特性表征。测试结果表明,镉气氛退火可使本征高阻的CdS单晶转变为低阻CdS材料,从而实现对CdS材料电学特性调控。
关键词
硫化镉(
cds
)
单晶
镉气氛
退火
电学
光学
Keywords
cadmium
sulfide（
cds
）
single
crystal
cadmium
anneal
electrical
optical
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
O782.7 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
PVT法生长大尺寸CdS单晶中的孔洞研究
6
作者
霍晓青
程红娟
于凯
赵堃
王健
金雷
机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第11期899-904,共6页
基金
supported by the National Natural Science Foundation of China(51702297,11847120)
文摘
CdS单晶是一种电学和光学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体材料,近年受到人们的广泛关注。但是大尺寸CdS单晶在生长过程中易形成孔洞缺陷,质量难以控制,使其电学性能不稳定,制约着晶体的实际应用。采用物理气相传输(PVT)法成功地生长了尺寸为55 mm×15 mm的CdS单晶,对CdS单晶中孔洞产生的过程、孔洞形成的原因进行了分析和研究,进而提出了改进的CdS晶体生长技术,降低了晶体孔洞缺陷的密度,提高了CdS晶体的质量。在25~300 K,对采用改进生长方法生长的大尺寸CdS单晶进行了霍尔迁移率、载流子浓度和电阻率等测试,其迁移率最高可达7 000 cm2·V^-1·s^-1,为大尺寸CdS单晶在器件中的实际应用提供了重要的数据支撑。
关键词
cds
单晶
物理气相传输(PVT)法
晶体缺陷
孔洞
霍尔迁移率
Keywords
Cd
S
single
crystal
physical
vapor
transport
(PVT)
method
crystal
defect
void
Hall
mobility
分类号
TN304.25 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
PVT法生长大尺寸CdS单晶
7
作者
张颖武
机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
出处
《河南科技》
2015年第4期137-139,共3页
文摘
硫化镉(Cd S)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。以硫化镉(Cd S)晶片作为籽晶,采用有籽晶的物理气相传输(PVT)法生长出大尺寸Cd S单晶,并对其电学、光学等性能进行了表征。结果表明,PVT法是一种理想的大尺寸Cd S单晶生长方法。
关键词
CD
S
大尺寸
单晶
PVT法
Keywords
cds
bulk
single
crystal
PVT
method
分类号
TN304.22 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
K元素对CdS晶体光学及电学性能的影响
8
作者
练小正
齐海涛
张颖武
司华青
程红娟
徐永宽
机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期846-849,共4页
文摘
采用物理气相输运（PVT）法生长了直径为50 mm的K掺杂Cd S晶体,对掺杂和未掺杂的Cd S晶片进行显微观察、二次离子质谱（SIMS）成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K元素掺杂对Cd S晶体光学及电学性能的影响。生长时用KCl进行掺杂。显微观察显示,掺杂KCl后Cd S晶体的微观形貌没有明显变化;SIMS成分测试表明,晶体中引入的杂质主要是K元素,而Cl元素未掺入晶体中。红外光谱透过率发现掺杂K元素的Cd S晶体相比于未掺杂晶体,不仅在波长为2.5~10μm内红外透过率显著下降,而且在波长为10μm以上时红外透过率甚至低于15%。另外,K元素掺杂Cd S晶体电学性能也发生变化,晶体迁移率也由未掺杂的318 cm2/（V·s）下降为146 cm2/（V·s）。
关键词
硫化镉
单晶
氯化钾掺杂
光学特征
电学特征
Keywords
cds
single
crystal
KCl
doping
optical
characteristic
electric
characteristic
分类号
TN304.25 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
冲击下c轴硫化镉单晶的相变特性
唐志平
Y.M.Gupta
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
1990
2
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职称材料
2
PbTiO_(3)-CdS纳米复合材料的制备及其微结构和光催化性能
许铭冬
李文强
刘顺
章涛
来森
尹思敏
《浙江理工大学学报（自然科学版）》
2022
2
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职称材料
3
CdS籽晶扩大技术
李强
《微纳电子技术》
北大核心
2016
0
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职称材料
4
CdS晶体电子自旋相干动力学
郭家兴
吴真
梁盼
姜美珍
胡蓉蓉
张圆圆
冯东海
《华东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2021
0
下载PDF
职称材料
5
镉气氛退火对CdS单晶材料性能的影响
李强
张颖武
司华青
练小正
程红娟
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
下载PDF
职称材料
6
PVT法生长大尺寸CdS单晶中的孔洞研究
霍晓青
程红娟
于凯
赵堃
王健
金雷
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
0
下载PDF
职称材料
7
PVT法生长大尺寸CdS单晶
张颖武
《河南科技》
2015
0
下载PDF
职称材料
8
K元素对CdS晶体光学及电学性能的影响
练小正
齐海涛
张颖武
司华青
程红娟
徐永宽
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015
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