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VO_2热致变色薄膜的结构和光电特性研究 被引量：26
1
作者 崔敬忠 达道安 姜万顺 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期454-460,共7页
用磁控溅射方法制备了ＶＯ２热致变色薄膜．用Ｘ射线衍射、Ｘ射线光电子谱和原子力显微镜对薄膜的宏观及微观结构进行了分析，表明ＶＯ２薄膜纯度高、相结构单一、结晶度好．薄膜的光透过率在２０００ｎｍ处相变前后改变了４２％，高／... 用磁控溅射方法制备了ＶＯ２热致变色薄膜．用Ｘ射线衍射、Ｘ射线光电子谱和原子力显微镜对薄膜的宏观及微观结构进行了分析，表明ＶＯ２薄膜纯度高、相结构单一、结晶度好．薄膜的光透过率在２０００ｎｍ处相变前后改变了４２％，高／低温电阻率变化达到三个数量级以上．薄膜的光透过谱和相变过程中电学性质变化的研究与结构分析结果相一致． 展开更多
关键词 光电特性 磁控溅射 二氧化钒 热致变色 薄膜
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ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜的制备及其特性 被引量：30
2
作者 黄佳木 董建华 张新元 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第11期7-10,13,共5页
笔者采用射频磁控溅射工艺、以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜,系统研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压、温度、射频功率和退火条件等对其结构和光电特性的影响。实验结果表明:在纯氩气中且衬底温度为300℃时制备的ZAO薄膜... 笔者采用射频磁控溅射工艺、以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜,系统研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压、温度、射频功率和退火条件等对其结构和光电特性的影响。实验结果表明:在纯氩气中且衬底温度为300℃时制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至8.7104 W·cm,可见光透过率在85%以上。X射线衍射谱表明ZAO晶粒具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长。 展开更多
关键词 导电薄膜 制备 射频磁控溅射 光电特性 锌氧铝薄膜 氧化铎 氧化锌铝陶瓷
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热丝化学气相沉积技术低温制备多晶硅薄膜的结构与光电特性 被引量：25
3
作者 汪六九 朱美芳 +2 位作者 刘丰珍 刘金龙 韩一琴 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期2934-2938,共5页
以金属W和Ta为热丝 ,采用热丝化学气相沉积 ,在 2 5 0℃玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜 .研究了热丝温度、沉积气压、热丝与衬底间距等沉积参数对硅薄膜结构和光电特性的影响 ,在优化条件下获得晶态比Xc>90 % ,暗电导率σd=10 - 7— 10 -... 以金属W和Ta为热丝 ,采用热丝化学气相沉积 ,在 2 5 0℃玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜 .研究了热丝温度、沉积气压、热丝与衬底间距等沉积参数对硅薄膜结构和光电特性的影响 ,在优化条件下获得晶态比Xc>90 % ,暗电导率σd=10 - 7— 10 - 6 Ω- 1 cm- 1 ,激活能Ea=0 5eV ,光能隙Eopt≤ 1 3eV的多晶硅薄膜 . 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积 多晶硅薄膜 光电特性 激活能 光能隙 薄膜结构 沉积气压 热丝温度
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硅光电池特性的实验研究 被引量：29
4
作者 张玮 杨景发 闫其庚 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2009年第9期42-46,共5页
硅光电池是不需外加电源而直接把太阳辐射能转换为电能的器件,其中应用最广的是硅光电池。应用电学与光学的一些重要实验手段及数据处理方法,对硅光电池的伏安特性、负载特性、光电特性和温度特性作了初步的分析和研究。
关键词 太阳能电池 伏安特性 负载特性 光电特性 温度特性
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氧化锌铝透明导电膜 被引量：17
5
作者 徐成海 陆峰 谢元华 《真空电子技术》 2003年第6期39-44,49,共7页
本文在对ZAO膜与ITO膜性能比较的基础上,综述了ZAO膜的应用前景、国内外研究现状和制备技术,给出了用直流反应磁控溅射法制备ZAO膜的最佳工艺参数和测得的光电性能。
关键词 ZAO膜 磁控溅射 光电特性
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ZnO:Al(ZAO)薄膜的制备与特性研究 被引量：20
6
作者 裴志亮 张小波 +3 位作者 王铁钢 宫骏 孙超 闻立时 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期84-88,共5页
采用磁控溅射技术制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜.研究了不同的工艺参数对薄膜的组织结构和光电特性的影响.实验结果表明,多晶ZAO薄膜具有(001)择优取向且呈柱状生长,能量机制决定其微观生长状态.讨论了薄膜的内应力,高的沉积温度和低的溅射功... 采用磁控溅射技术制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜.研究了不同的工艺参数对薄膜的组织结构和光电特性的影响.实验结果表明,多晶ZAO薄膜具有(001)择优取向且呈柱状生长,能量机制决定其微观生长状态.讨论了薄膜的内应力,高的沉积温度和低的溅射功率可有效减小薄膜的内应力.优化的ZAO薄膜电阻率和在可见光区的平均透射率可分别达到3×10-4-4×10-4Ω·cm和80％以上. 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射 ZAO薄膜 生长机制 光电特性
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氧分压对直流磁控溅射制备ZnO：Ga透明导电薄膜特性的影响 被引量：23
7
作者 马全宝 叶志镇 +3 位作者 何海平 朱丽萍 张银珠 赵炳辉 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1113-1116,共4页
通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(znO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ca透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依... 通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(znO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ca透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小,随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小,在氧分压为0.30 Pa时沉积的ZnO:Ga薄膜半高宽最小,晶粒尺寸最大.薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大,沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10^(-4)Ω·cm.此外,所有ZnO:Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%. 展开更多
关键词 ZNO:GA 透明导电氧化物薄膜 磁控溅射 氧分压 光电特性
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CCD的光电特性研究 被引量：23
8
作者 曾雄文 陆启生 +1 位作者 赵伊君 刘泽金 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期47-51,共5页
根据ＭＯＳ器件的基本工作原理推导出了电荷耦合器（ＣＣＤ）的输入输出函数关系的解析解，并在此基础上求得了ＣＣＤ的各光电特性（如响应度、串音阈值等），定性地分析了ＣＣＤ的温度效应，讨论了激光干扰ＣＣＤ的对抗措施。
关键词 CCD 光电特性 串音 激光干扰 电荷耦合器
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ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究 被引量：20
9
作者 马颖 张方辉 +2 位作者 靳宝安 牟强 袁桃利 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第5期376-379,共4页
以氯化铟和氯化锡为前驱物,采用溶胶 凝胶法在玻璃基片上制备了ITO薄膜。研究了掺锡浓度、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响。制备的ITO薄膜的方阻为300Ω/□,可见光平均透过率为80%,电阻率为4×10-3Ω... 以氯化铟和氯化锡为前驱物,采用溶胶 凝胶法在玻璃基片上制备了ITO薄膜。研究了掺锡浓度、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响。制备的ITO薄膜的方阻为300Ω/□,可见光平均透过率为80%,电阻率为4×10-3Ω·cm,其光电特性已达到了TN LCD透明电极的要求。 展开更多
关键词 ITO薄膜 溶胶-凝胶法 透光率 液晶显示器 热处理 光电特性
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形态结构和光电特性对纳米TiO_2光催化性能的影响 被引量：12
10
作者 丁正新 侯乙东 +3 位作者 李旦振 王绪绪 付贤智 刘平 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第10期978-981,共4页
采用sol-gel法制备了系列纳米TiO2光催化剂,运用X射线衍射、BET比表面测定、紫外漫反射吸收光谱和表面光电压谱等手段对催化剂进行表征,并以乙烯作为光催化反应的指标反应分子,研究了TiO2纳米晶的性质对于光催化活性的影响.随着焙烧温... 采用sol-gel法制备了系列纳米TiO2光催化剂,运用X射线衍射、BET比表面测定、紫外漫反射吸收光谱和表面光电压谱等手段对催化剂进行表征,并以乙烯作为光催化反应的指标反应分子,研究了TiO2纳米晶的性质对于光催化活性的影响.随着焙烧温度的升高,TiO2的晶粒逐渐增大,比表面积下降,晶相由锐钛矿向金红石转变,其吸收带边与光伏响应阈值向长波方向移动,氧化-还原能力降低,降解乙烯的转化率迅速下降. 展开更多
关键词 形态结构 光电特性 纳米TIO2 光催化性能 二氧化钛 纳米晶 表面光电压谱
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MOCVD制备用于薄膜太阳电池的ZnO薄膜研究 被引量：14
11
作者 徐步衡 薛俊明 +9 位作者 赵颖 张晓丹 魏长春 孙建 刘芳芳 何青 侯国付 任慧志 张德坤 耿新华 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期515-518,共4页
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和H2O作O源,使用B2H6 为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的低电阻率、高透过率的ZnO薄膜。制备条件为:衬底温度160 ℃,DEZ的流量为342μmol/min,H2O流量为500μmol/m... 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和H2O作O源,使用B2H6 为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的低电阻率、高透过率的ZnO薄膜。制备条件为:衬底温度160 ℃,DEZ的流量为342μmol/min,H2O流量为500μmol/min,反应气压为5×133.32 Pa,B2H6 流量为5 sccm,掺杂手段为气体掺杂。在薄膜面积为10 cm×10 cm、厚度为550 nm时,方块电阻为40Ω/□。透过率>85%。 展开更多
关键词 ZnO薄膜 薄膜太阳电池 MOCVD 金属有机物化学气相沉积 备用 生长技术 二乙基锌 低电阻率 光电特性 衬底温度 制备条件 方块电阻 H2O 透过率 min MOL 掺杂 流量 500 膜面积 气体
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ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究 被引量：15
12
作者 陶海华 姚宁 +2 位作者 辛荣生 边超 张兵临 《郑州大学学报（理学版）》 CAS 2003年第4期37-40,共4页
论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的... 论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的导电性或可见光透过率 ,甚至同时降低其光电性能 .实验结果表明 ,当Ar流量为 4 0 2cm3 ·min-1、温度为 36 0℃和旋转溅射时间为 90min等参数保持不变时 ,ITO薄膜光电特性最佳溅射参数的氧流量为 0 4 2cm3 ·min-1,溅射气压为 0 5Pa ,溅射电流 0 3A(溅射电压约为 2 4 5V ) ,所得薄膜的方块电阻为 5 7Ω、波长为 5 5 0nm的绿光透过率达到 88 6 % (洁净玻璃基底的绿光透光率为 91 6 % ) . 展开更多
关键词 ITO透明导电薄膜 制备 光电特性 直流磁控反应溅射法 透过率 氧化铟锡
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AZO薄膜制备工艺及其性能研究 被引量：21
13
作者 黄稳 余洲 +4 位作者 张勇 刘连 黄涛 闫勇 赵勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期35-39,共5页
综述了掺铝氧化锌(AZO)薄膜制备方法与光电特性,重点阐述了磁控溅射法制备工艺参数如衬底温度、溅射功率、气体压强、溅射时间、衬底和靶间距、负偏压等对AZO薄膜结构、光电性能的影响,并指出目前AZO薄膜的研究关键以及所面临的挑战,展... 综述了掺铝氧化锌(AZO)薄膜制备方法与光电特性,重点阐述了磁控溅射法制备工艺参数如衬底温度、溅射功率、气体压强、溅射时间、衬底和靶间距、负偏压等对AZO薄膜结构、光电性能的影响,并指出目前AZO薄膜的研究关键以及所面临的挑战,展望了未来的研究方向。 展开更多
关键词 AZO 结构特性 光电特性
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平板型太阳能光伏/光热一体化热泵热水系统特性 被引量：21
14
作者 徐国英 张小松 赵善国 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S2期136-141,共6页
研究了一种平板型太阳能光伏/光热一体化热泵(PV/T-HP)系统,制冷剂R134a直接在太阳能光伏板背面盘管内吸热而蒸发,以降低光伏电池工作温度,保证其高效稳定地输出电能;集热器同时作为蒸发器,所收集的热量经热泵循环进行温度提升,为建筑... 研究了一种平板型太阳能光伏/光热一体化热泵(PV/T-HP)系统,制冷剂R134a直接在太阳能光伏板背面盘管内吸热而蒸发,以降低光伏电池工作温度,保证其高效稳定地输出电能;集热器同时作为蒸发器,所收集的热量经热泵循环进行温度提升,为建筑提供生活热水、供暖和驱动制冷空调。对平板型PV/T-HP热水系统在南京室外的一个夏季晴天工况下循环加热180L水至60℃进行了实验研究,探讨了太阳总辐照度、光伏/集热器工作温度以及光电输出控制方式对系统光电、光热综合输出特性的影响规律;对比实验得出了在热电联供模式下,系统发电量比无冷却的单一光电输出模式下相对高出35%。 展开更多
关键词 太阳能热泵 光伏/光热一体化 集热/蒸发器 光电特性
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退火温度对ITO薄膜微结构和光电特性的影响 被引量：20
15
作者 江锡顺 万东升 +1 位作者 宋学萍 孙兆奇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1536-1540,1556,共6页
用直流磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃、300℃和400℃,保温时间为1 h。采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外-可见光分光光度计和四探针测试仪... 用直流磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃、300℃和400℃,保温时间为1 h。采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外-可见光分光光度计和四探针测试仪等测试手段分别对薄膜的微结构、化学组分和光电特性进行了测试分析。分析结果表明:Sn元素已经溶入In2O3晶格中形成了固溶体。退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率。退火温度为200℃时ITO薄膜的性能指数最高,为4.56×10-3Ω-1。 展开更多
关键词 ITO薄膜 磁控溅射 光电特性
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非晶/微晶相变域硅薄膜及其太阳能电池 被引量：16
16
作者 郝会颖 孔光临 +3 位作者 曾湘波 许颖 刁宏伟 廖显伯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期3327-3331,共5页
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF_PECVD)法,成功制备出从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜.样品的微结构、光电特性及光致变化的测量结果表明这些处于相变域的硅薄膜兼具非晶硅优良的光电性质和微晶硅的稳定性.用这种两相结构的材料... 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF_PECVD)法,成功制备出从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜.样品的微结构、光电特性及光致变化的测量结果表明这些处于相变域的硅薄膜兼具非晶硅优良的光电性质和微晶硅的稳定性.用这种两相结构的材料作为本征层制备了p_i_n太阳能电池,并测量了其稳定性.结果在AM1.5(100mW cm2)的光强下曝光800—5000min后,开路电压略有升高,转换效率仅衰退了2.9%. 展开更多
关键词 太阳能电池 硅薄膜 等离子体增强化学气相沉积 相变 过渡区域 两相结构 光电性质 光致变化 光电特性 开路电压 转换效率 稳定性 甚高频 微结构 本征层 微晶硅 非晶硅 AM1 制备 测量
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聚硅烷的奇异特性及其应用 被引量：14
17
作者 楚增勇 《有机硅材料》 CAS 2000年第4期25-28,共4页
综述了聚硅烷的光学特性、电学特性、光敏特性、热分解转化特性及功能化改性等多种奇异特性 ,并分别阐述了其在相应领域的应用现状及发展前景。
关键词 聚硅烷 共轭聚合物 光电特性
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AZO透明导电薄膜的制备技术、光电特性及应用 被引量：12
18
作者 葛春桥 薛亦渝 夏志林 《真空电子技术》 2004年第6期51-54,共4页
AZO透明导电薄膜是一种半导体氧化物薄膜材料,具有高的载流子浓度和较大的光学禁带宽度,因而具有优异的光电性能,极具应用价值。本文介绍了AZO透明导电薄膜的晶体结构和光电特性,综述了国内外对AZO薄膜所开展的研究工作,并简要地介绍了... AZO透明导电薄膜是一种半导体氧化物薄膜材料,具有高的载流子浓度和较大的光学禁带宽度,因而具有优异的光电性能,极具应用价值。本文介绍了AZO透明导电薄膜的晶体结构和光电特性,综述了国内外对AZO薄膜所开展的研究工作,并简要地介绍了AZO薄膜的实际应用。 展开更多
关键词 AZO薄膜 光电特性 禁带宽度
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基于磁控溅射技术的ZAO透明导电薄膜及靶材的研究 被引量：12
19
作者 肖华 王华 任鸣放 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期158-164,共7页
阐述用磁控溅射技术制备综合性能优良的ZAO透明导电薄膜及其靶材的发展现状和趋势。介绍了透明导电薄膜的基本性能及其存在的问题,进而重点阐述了ZAO薄膜的组织结构、导电机制和透光特性。由于其优良的光电特性(用掺杂Al2O3质量分数达3... 阐述用磁控溅射技术制备综合性能优良的ZAO透明导电薄膜及其靶材的发展现状和趋势。介绍了透明导电薄膜的基本性能及其存在的问题,进而重点阐述了ZAO薄膜的组织结构、导电机制和透光特性。由于其优良的光电特性(用掺杂Al2O3质量分数达3%的溅射靶材可制备电阻率达4.7×10-4Ω·cm、透射率超过90%的ZAO薄膜)而具有广泛的应用前景。并针对靶材的制备和利用磁控溅射技术制备ZAO透明导电薄膜过程中存在的问题及发展方向进行了分析讨论。 展开更多
关键词 磁控溅射 ZAO透明导电薄膜 溅射靶材 光电特性
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透光导电ITO膜的制备及其光电特性的研究 被引量：16
20
作者 周引穗 王俊 +4 位作者 杨晓东 董庆彦 高爱华 胡晓云 陆治国 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1077-1080,共4页
采用溶胶 凝胶方法制备ITO膜 ,并从制备工艺上研究了各种因素对ITO膜光电特性的影响 最后制出的ITO膜厚度约为 5 0nm ,在可见光区平均透射比达 97% ,最高达 99.5 5 % ,电阻率在 2 .0Ω·cm左右 ,最低达到 0 .
关键词 制备 ITO膜 溶胶-凝胶 光电特性 掺锡氧化铟膜 透光导电膜
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