同被引文献20
-
1董骐,罗蓉平,张守忠,杜建,钟钢,田凯,文学春,刘祥武.气离溅射离子镀制氮化钛[J].真空科学与技术学报,2005,25(1):69-74. 被引量：4
-
2何玉定,胡社军,谢光荣.TiN涂层应用及研究进展[J].广东工业大学学报,2005,22(2):31-36. 被引量：25
-
3杨根庆,柳襄怀.离子束薄膜合成及材料表面优化[J].薄膜科学与技术,1995,8(3):232-239. 被引量：3
-
4金恒毅,于志明,金柱京.不同底层TiN离子镀复合涂层的研究[J].表面技术,1995,24(1):5-9. 被引量：7
-
5黄佳木,徐成俊,张兴元,王亚平.室温直流磁控溅射氮化钛薄膜研究[J].真空科学与技术学报,2005,25(4):297-300. 被引量：10
-
6沟引宁,孙鸿,黄楠,张文英,冷永祥.磁过滤真空弧源沉积技术制备C/C多层类金刚石膜及其摩擦磨损性能研究[J].摩擦学学报,2006,26(2):121-124. 被引量：19
-
7周志烽,范玉殿.薄膜热应力的研究[J].真空科学与技术,1996,16(5):347-354. 被引量：16
-
8刘晓红,陈志勇,邓山江.气相沉积技术的现状与发展[J].华北航天工业学院学报,2006,16(3):26-28. 被引量：6
-
9范玉殿,周志烽.薄膜内应力的起源[J].材料科学与工程,1996,14(1):5-12. 被引量：16
-
10向伟.－[J].真空科学与技术,1998,18(4):308-308. 被引量：1
引证文献3
-
1卢春灿,聂朝胤,潘婧,贾晓芳,谢红梅,杨娟.阳极线性离子源辅助磁控溅射沉积氮化钛薄膜的研究[J].材料导报,2010,24(10):29-32. 被引量：4
-
2曾鹏,胡社军,谢光荣,黄拿灿,吴起白.低能离子束轰击对Ti和Ti-N膜组织与性能的影响[J].稀有金属材料与工程,2002,31(3):175-178. 被引量：2
-
3黎波含,马迅,杨溪,李伟,刘平,张柯,马凤仓,王静静.医用不锈钢表面TiN薄膜的组织结构和力学性能研究[J].有色金属材料与工程,2022,43(2):36-43.
二级引证文献6
-
1钱锋,林晶,刘树红.离子源对磁控溅射制备TiNC膜基结合力的影响[J].真空,2012,49(1):78-82.
-
2刘兰兰,林松盛,曾德长,代明江,胡芳.离子源对中频反应磁控溅射AlN薄膜结构和性能的影响[J].中国表面工程,2012,25(6):42-46. 被引量：1
-
3吕起鹏,李刚,公发全,王锋,卢俊,孙龙,金玉奇.低温等离子体辅助脉冲直流磁控溅射制备TiN薄膜[J].真空科学与技术学报,2014,34(11):1192-1196. 被引量：4
-
4冉彪,李刘合.阳极层离子源的发展及应用[J].真空,2018,55(5):51-57.
-
5鲜晓斌,刘柯钊,吕学超,张永彬.U表面循环Ar^+轰击-磁控溅射离子镀Ti研究[J].稀有金属材料与工程,2003,32(1):67-69. 被引量：5
-
6张宇峰,张溪文,任兆杏,韩高荣.离子束辅助薄膜沉积[J].材料导报,2003,17(11):40-43. 被引量：13
-
1Colin Durkan,杨盈莹.纳米级电流[J].国外科技新书评介,2015,0(1):11-11.
-
2李怀学,陈光南,巩水利.激光离散预处理钢基铬层的功能梯度界面效应[J].中国激光,2011,38(3):109-114. 被引量：3
-
3何宇亮,褚一鸣,王中怀,刘湘娜,白春礼.纳米硅薄膜界面结构的微观特征[J].Journal of Semiconductors,1994,15(1):71-73. 被引量：9
-
4张朝发,刘国方,李焕喜,吕明云.频率选择表面传输特性的湿热试验研究[J].功能材料,2007,38(10):1638-1640.
-
5焊接与连接工艺[J].电子科技文摘,2001,0(11):29-30.
-
6马治国,闻邦椿,颜云辉.智能结构中压电元件的最佳厚度[J].东北大学学报（自然科学版）,1998,19(6):584-587. 被引量：4
-
7庄大明,刘家浚,朱宝亮.TiN薄膜的应力状态对摩擦学性能的影响[J].摩擦学学报,1996,16(4):312-321. 被引量：9
-
8触动心弦的巧克力手机[J].中国国家地理,2006(5):155-155.
-
9Dong-Hee KWON,Jeong-Suk KIM,Myung-Chang KANG,Se-Hun KWON,Jong-Hwan LEE.Characteristics of damaged layer in micro-machining of copper material[J].中国有色金属学会会刊：英文版,2009,19(B09):295-300.
-
10陈白帆.从技术因素分析高可靠电磁继电器多余物产生机理[J].机电元件,2016,36(4):29-35. 被引量：6
;
