同被引文献9
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1徐江涛.三代微光像增强器制管工艺对阴极光电发射性能的影响[J].应用光学,2004,25(5):30-32. 被引量：1
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2李慧蕊,顾肇业,马建一,丁辉敏.负电子亲和势GaAs光阴极的研究[J].光电子技术,1994,14(3):183-189. 被引量：1
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3郭太良.GaAs负电子亲合势光电阴极的研究[A].中国电子学会第六届学术年会论文集,北京,1996:122 被引量：1
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4王智敏.高灵敏度反射式GaAs负电子亲合势阴极获得和分析.全国薄膜技术讨论会论文集,北京,1991:48 被引量：1
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5Lu Qingbin,Pan Yongxi,Tao Huairong.Optimum()/GaAs interface of negative affinity GaAs Photocathodes.J Appl Phys,1990,68(2):634-638 被引量：1
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6徐江涛.三代微光像增强器GaAs负电子亲合势(NEA)光电阴极稳定性研究[J].应用光学,1999,20(2):6-9. 被引量：4
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7徐江涛.透射式GaAs光电阴极激活技术研究[J].应用光学,2000,21(4):5-7. 被引量：6
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8钱芸生,宗志圆,常本康.GaAs光电阴极原位光谱响应测试技术研究[J].真空科学与技术,2000,20(5):305-307. 被引量：14
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9王乃铸,王宁,顾香春.在p^+GaAs体单晶材料上进行的NEA活化实验[J].电子科学学刊,1991,13(2):177-182. 被引量：5
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1高鸿楷,张济康,云峰.MOCVD法透射式GaAs光阴极材料生长及性能研究[J].稀有金属,1993,17(5):382-385. 被引量：1
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2马建一,顾肇业,李慧蕊,丁辉敏.透射式GaAs光阴极量子效率分析[J].真空电子技术,1994,7(6):5-10.
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3刘晖,冯刘,张连东,程宏昌,高翔,张晓辉.GaAs光阴极激活稳定性研究[J].红外与激光工程,2014,43(4):1222-1225. 被引量：1
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4李慧蕊,顾肇业,马建一,丁辉敏.负电子亲和势GaAs光阴极的研究[J].光电子技术,1994,14(3):183-189. 被引量：1
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5胡仓陆,郭晖,焦岗成,彭岔霞,冯驰,徐晓兵,周玉鉴,成伟,王书菲.电子倍增型GaAs光阴极实验研究[J].电子学报,2013,41(8):1549-1554.
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6Enloe,W.用GaAs光电阴极的电子轰击CCD像增强器[J].云光技术,1996,28(4):13-21. 被引量：1
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7张连东,冯刘,刘晖,程宏昌,高翔,张晓辉.高温退火对GaAs光阴极表面状态的影响[J].红外与激光工程,2014,43(4):1226-1229. 被引量：1
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8汪贵华,富容国,杨伟毅.(Cs,O)/GaAs热退火的变角XPS定量研究[J].真空与低温,2001,7(1):58-62. 被引量：3
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9牛军,张益军,常本康,熊雅娟.GaAs光电阴极激活后的表面势垒评估研究[J].物理学报,2011,60(4):259-263.
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10陈怀林,牛军,常本康.真空度对MBE GaAs光阴极激活结果的影响[J].功能材料,2009,40(12):1951-1954. 被引量：2
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