摘要
本文研究了 a-Si∶H 及 a-Si∶H/a-SiN_x∶H 多层膜光致发光的某些性质。实验研究表明,a-Si∶H 及其多层膜的光致发光峰值能量强烈地依赖于沉积偏压、a-Si∶H 层厚度和内应力,并对这些结果进行了讨论。
In this paper,the photoluminescence of a-Si:H and a-Si:H/a-SiN_x:H multila-yet has been investigated.Experimental results indicate that the peak position of thephotoluminescence depends on bias,internal stress and thickness of a-Si:H layer inthe films.
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第1期75-78,共4页
Journal of Inorganic Materials
关键词
A-SI:H
光致发光
薄膜
a-Si
H/a-SiN_a
H multilager films
Photoluminescence
Internal stress
