W-Bi-Ti-O系陶瓷低场电学性能的温度特性被引量：1

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摘要采用通常的固相合成工艺制备了Bi2WTi3O12陶瓷.在低场(E<100 V/mm)T,随温度的升高,样品的电学性质先呈现金属行为,100℃后变为无规的电涨落,300℃后则表现为半导体特征下的非线性行为.这些现象不能用电传导的热激发Arrhenius规律来解释.XRD分析表明样品中存在Bi2WO6主晶相和Bi4Ti13O12次晶相.考虑到WO3的相变后可以简单的解释上述实验结果.

作者陈敏刘祖黎王传聪王豫羊新胜姚凯伦

机构地区华中科技大学物理系

出处《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期46-49,共4页 Chinese Science Bulletin

关键词 W-Bi-Ti-O系陶瓷电学性能温度特性铁电材料显微结构

分类号 O482 [理学—固体物理]

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