半导体器件非线性泊松方程的一种新差分格式

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摘要 <正> 本文对半导体器件非线性泊松方程▽~2(?)=q/c(n-p-D),提出了一种新的差分格式应用该格式以二维MOSFET管为例,我们计算了零偏条件下的电势分布,并在均匀和非均匀网格情形下与文献[I.D.Mayergoyz,I.Appl.Phys.,59(1986),195.]中的算法进行比较。

作者王国彬严荣良任迪远

机构地区中国科学院新疆物理所

出处《计算物理》 CSCD 北大核心 1992年第A01期530-530,共1页 Chinese Journal of Computational Physics

关键词半导体器件泊松方程差分格式

分类号 TN302 [电子电信—物理电子学]

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