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HEMT器件的非线性模型分析

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摘要本文提出了一种新的ＨＥＭＴ器件非线性ＣＡＤ模拟方法，即可以利用ＰＳＰＩＣＥ程序中ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的非线性ＣＡＤ模型（Ｓｔａｔｚ模型）对ＨＥＭＴ器件进行非线性模拟，并用实验验证了这种方法的正确性。

作者高建军梁春广

机构地区石家庄电子部十三所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期9-11,共3页 Semiconductor Technology

关键词半导体器件 HEMT 非线性分析模型

分类号 TN322.2 [电子电信—物理电子学]

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半导体技术

1994年第3期

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