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低能V^+注入花生种子的深度研究 被引量:16

Study of Penetration Depth for V^+ With Low Energy Implanted in Peanut Seeds
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摘要 用扫描电子显微镜和X射线能谱仪测定了低能V+ 注入干花生种子的穿透深度 浓度分布。结果表明 :这种分布是有长拖尾的高斯分布 ;2 0 0keV的V+ 注入干花生种子的最大穿透深度为 1 3 6 μm。比较了实验结果与TRIM95的计算值。 The penetration depth and concentration distribution for vanadium ions with low energy implanted into the dry peanut seeds is determined by scanning electron microscope and X-ray energy dispersion spectrometer. The results show that the depth-concentration distribution is a Gaussian distribution with a long tail and the maximum penetration depth is about 13.6 μm for V+ 200 keV in cotyledon of the peanut. The experimental result of the implanted V+ ranging in the peanut seed is compared with the calculating value of the TRIM95.
出处 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2002年第6期531-534,共4页 Atomic Energy Science and Technology
基金 国家自然科学基金资助项目 (19890 30 3)
关键词 离子注入 花生种子 扫描电子显微镜 深度分布 钒化 DNA 变异 穿透深度 浓度 结构损伤 Modification Scanning electron microscopy Seed Vanadium
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