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电压门控氯离子通道与癫痫研究进展 被引量:3

Advance on voltage-gated chloride channel and epilepsy
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摘要 癫痫是最常见的慢性神经系统疾病之一,病因多样,发病机制复杂。离子通道基因突变是癫痫常见的遗传学病因。电压门控氯离子通道(ClCs)可通过影响神经元细胞膜两侧的Cl-浓度和电势差,从而参与神经元兴奋性调节。近期研究显示,CLCN-1、CLCN-2、CLCN-3、CLCN-4和CLCN-6与癫痫相关,这些基因突变可增加癫痫的易感性或引起癫痫发作。现就ClCs与癫痫的研究进展作一综述。 Epilepsy is one of the most common chronic neurological diseases,which results from diverse etiologies,and its mechanism is very complicated.Ion channel gene mutation is a common genetic cause of epilepsy.Voltage-gated chloride channels(ClCs)can change the chloride ion concentration and electric potential difference across the plasma membrane,and thereby regulate the electrical excitability of neurons.CLCN-1,CLCN-2,CLCN-3,CLCN-4 and CLCN-6 are reported to be associated with epilepsy,which could increase susceptibility to epilepsy or cause seizures.This review is focused on recent advances in ClCs and epilepsy.
作者 贺海兰 彭镜 He Hailan;Peng Jing(Department of Pediatrics,Xiangya Hospital of Central South University,Changsha 410000,China)
出处 《中华实用儿科临床杂志》 CSCD 北大核心 2019年第24期1911-1914,共4页 Chinese Journal of Applied Clinical Pediatrics
基金 国家自然科学基金(81771409)。
关键词 电压门控氯离子通道 氯离子 癫痫 基因 Voltage-gated chloride channel Chloride ion Epilepsy Gene
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参考文献2

共引文献24

同被引文献16

引证文献3

二级引证文献3

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