β-Ga2O3薄膜的生长与应用被引量：1

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摘要超宽禁带半导体氧化镓(Ga2O3)有五种晶相,其中β-Ga2O3能带带隙为4.7~4.9 eV,在高温气体传感、深紫外日盲光电探测和功率器件等领域具有重要应用潜力。文章综述了β-Ga2O3薄膜生长/掺杂技术、β-Ga2O3薄膜器件、β-Ga2O3器件在实际应用中渗透市场的挑战,以及未来工作的途径。

作者马聪聪方志来

机构地区复旦大学电光源研究所

出处《光源与照明》 2019年第4期6-11,共6页 Lamps & Lighting

关键词 β-Ga2O3 薄膜生长掺杂器件

分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]

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