摘要
使用移相掩模能实现亚半微米光学光刻。我们提出了一种用SiO_2作移相器的新的移相掩模。在石英掩模衬底上的SiO_2移相器具有在远紫外区吸收率低和没有多次干涉等优点。SiO_2移相器是通过将蒸发的SiO_2膜剥离而制成的。这种新的移相掩模对远紫外光有高的透明度,并在5X步进机的整个曝光视场内达到2％的移相均匀度。通过使用KrF准分子激光器步进机和这种新的移相掩模提高了分辨率,得到0.25μm的线条和间隔。使用移相掩模后,掩模图形与投影到片子上的图形的一致性降低,因此我们也研究了用移相掩模投影的成像特性,指出了各个窗孔的衍射图形的主、次波瓣之间的干涉的重要性,并阐明了在使用移相掩模的光学光刻中一致性衰减的机理。
出处
《半导体情报》
1992年第3期46-52,共7页
Semiconductor Information
