摘要
本文提出了一种适于制作孤立图形的新的移相掩模方法,这种新的移相掩模仅由移相器图形组成。移相器的边缘线(PEL)起遮光掩蔽作用。光强计算表明:在相同的照明条件下,由移相器边缘线得到暗场,其光强分布比铬掩模的更为陡峭。采用移相器边缘线掩模及i线步进光刻机(镜头数值孔径NA=0.42,光相干因子σ=0.5),就可制作出线条(正性抗蚀剂)和间隔(负性抗蚀剂)尺寸≤0.2μm的抗蚀剂图形,图形线宽可通过曝光量进行控制。用LMR-UV负性抗蚀剂,在1.5μm宽的聚焦范围内,可制作出0.15μm宽的窗口图形。对特征尺寸很少的方孔图形,可采用一对移相器边缘线掩模和负性抗蚀剂,通过两次重叠曝光法来制作。使第二个曝光掩模上的移相器边缘线与第一个曝光掩模上的移相器边缘线构成直角正交,于是,在大于1.5μm的聚焦范围内,在两边缘线的交叉处,即可成功地形成0.2μm的方孔图形。用同样的方法及正性抗蚀剂(PFR-TT15),如果留膜厚度没有损耗,0.2μm尺寸的柱图形也可制作出来。
出处
《半导体情报》
1992年第5期26-30,共5页
Semiconductor Information
