期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
基于“半导体制造技术”探讨氮化镓发光二极管倒装芯片结构及制造工艺
下载PDF
职称材料
导出
摘要
基于传统的氮化镓二极管倒装芯片技术,针对导电层吸收光和电极垫遮光而导致的发光亮度低的问题,本文主要介绍了氮化镓发光二极管中一种新型倒装芯片结构及其制造工艺。该倒装芯片结构及新工艺的引入,可以有效增强光子的吸收,从而提高倒装芯片的发光亮度。
作者
郝惠莲
刘宏波
机构地区
上海工程技术大学材料工程学院
出处
《求知导刊》
2016年第20期42-42,共1页
基金
“半导体制造技术”课程建设项目(k201605006)
“光电材料与器件”课程建设项目(k201605006).
关键词
氮化镓
发光二极管
倒装芯片
分类号
TN312 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
2
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
参考文献
2
1
吴伟兴,朱素爱.LED 封装工艺与设备技术[M]. 北京:科学出版社,2015.
被引量:1
2
战瑛,张逊民主编..半导体光电器件封装工艺[M].北京:电子工业出版社,2011:96.
1
罗雁横,张瑞君.
带有MU连接器接口的40Gb/s光接收模块封装技术[J]
.电子与封装,2005,5(9):17-19.
2
慢光(编译).
非极性氮化镓发光二极管功率再创新高[J]
.激光与光电子学进展,2007,44(6):13-14.
3
陶梅.
LED相关专利简介[J]
.中国照明电器,2012(9):24-25.
4
刘宏伟,阚强,王春霞,於丰,许兴胜,陈弘达.
Light extraction of GaN LEDs with 2-D photonic crystal structure[J]
.Chinese Optics Letters,2009,7(10):918-920.
被引量:1
5
Xiaomin Jin,章蓓,代涛,魏伟,康香宁,张国义,Simeon Trieu,Fei Wang.
Optimization of top polymer gratings to improve GaN LEDs light transmission[J]
.Chinese Optics Letters,2008,6(10):788-790.
被引量:5
6
压电-光电效应可将LED效能提升4倍[J]
.硅酸盐通报,2011,30(6):1453-1453.
7
高国龙.
氮化镓发光二极管在可见光光谱区发光[J]
.红外,1997(1):41-41.
8
刘春影,苗长云,刘宏伟,杨华,李晓云,牛萍娟.
表面等离子体提高GaN-LED发光效率的研究进展[J]
.半导体技术,2014,39(12):881-887.
被引量:1
9
闫泉喜,张淑芳,龙兴明,罗海军,吴芳,方亮,魏大鹏,廖梅勇.
Numerical Simulation on Thermal-Electrical Characteristics and Electrode Patterns of GaN LEDs with Graphene/NiO_x Hybrid Electrode[J]
.Chinese Physics Letters,2016,33(7):186-190.
被引量:3
10
杜孝璋,陆海,陈敦军,修向前,张荣,郑有炓.
UV Light-Emitting Diodes at 340 nm Fabricated on a Bulk GaN Substrate[J]
.Chinese Physics Letters,2010,27(8):239-241.
求知导刊
2016年 第20期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部