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激光掺杂选择性发射极单晶硅太阳电池的工艺研究 被引量:1

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摘要 研究了激光掺杂选择性发射极匹配的扩散工艺,通过调整不同的工艺参数,达到相同的高方阻,比较了不同方法获得的高方阻的均匀性,得到了在105Ω/?左右的高方阻仍能保持较好均匀性的扩散工艺。通过调整激光功率形成不同的重掺杂区方块电阻,研究了不同的重掺杂区方块电阻对电池主要电性能参数的影响,分析了变化原因。最后比较了激光掺杂选择性发射极太阳电池和传统太阳电池的电性能及外量子效率。工艺优化后,激光掺杂选择性发射极太阳电池的转换效率相比传统太阳电池有0.24%的提升。
出处 《电子世界》 2017年第19期53-54,57,共3页 Electronics World
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