真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺

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摘要 Y2002-63234-117 0224666无空洞浅沟道隔离四乙氧基硅烷(TEOS)填料的脉冲压化学汽相淀积=Novel pulse pressure CVD for voidfree STI trench TEOS fill[会,英]/Nakamura,T.//2001 IEEE International Symposium on SemiconductorManufacturing.—117～120(E)0224667真空蒸发沉积18烷基取代螺吡喃薄膜的光致变色及光电子谱研究[刊]/季振国//真空科学与技术学报.—2002,22(4).—287～289(L)

出处《电子科技文摘》 2002年第12期23-24,共2页 Sci.& Tech.Abstract

关键词金属化溅射方法淀积真空蒸发 TRENCH TEOS 四乙氧基硅烷蒸发沉积真空科学光致变色

分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]

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