半导体与微电子技术

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摘要 Y2002-63234-149 0224580多缓冲浅沟道隔离中等离子体充电缺陷检测与监视=Plasma charging defect inspection and monitors in poly-buffered STI[会,英]/Yu,C.H.& Liou,Y.H.//2001 IEEE International Symposium on SemiconductorManufacturing.—149～152(E)0224581透明导电 IMO 薄膜的载流子迁移率研究[刊]/孟扬//真空科学与技术学报.—2002,22(4).—265～269(L)

出处《电子科技文摘》 2002年第12期17-17,共1页 Sci.& Tech.Abstract

关键词 inspection 缺陷检测透明导电体充电孟扬微电子行业真空科学载流子迁移率 CHARGING buffered

分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]

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