其它激光理论与技术
出处
《电子科技文摘》
1999年第8期27-27,共1页
Sci.& Tech.Abstract
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1宋航,Park S H,Kang T W,Kim T W.分子束外延高Mg掺杂GaN的发光特性[J].发光学报,1999,20(2):148-151. 被引量：2
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2梁铨廷.掺铒光纤放大器增益的温度依赖关系[J].光学学报,1995,15(8):1115-1118. 被引量：4
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3李清山,马玉蓉,方容川.多孔硅发光峰温度行为的研究[J].发光学报,1999,20(3):265-269. 被引量：4
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4高玉琳,吕毅军,郑健生.(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P光致发光谱的温度依赖关系[J].半导体光电,2000,21(4):293-295. 被引量：1
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5宋航.MOCVD生长GaN中带尾和激子发光特性研究[J].发光学报,1998,19(3):263-266.
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6边历峰,江德生,陆书龙.快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究[J].稀有金属,2004,28(3):582-584.
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7吕少哲,刘俊业,秦伟平,向卫东.不同方法制备的C_(60)材料的发光行为[J].光电子．激光,1999,10(5):425-427. 被引量：2
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8梁铨廷,N.Granpayeh,P.L.Chu.掺铒光纤放大器增益的温度依赖关系[J].广州师院学报（自然科学版）,1998,19(11):56-60.
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9施伟华,陈坤基,杜家方,李志锋.氢化非晶硅光电导研究中的新现象[J].南京大学学报（自然科学版）,1995,31(1):20-24.
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10俞容文,吕毅军,郑健生.无序GaInP光致发光谱的温度依赖关系[J].发光学报,1999,20(1):22-24. 被引量：1
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